一种氧化镓半导体结构及其制备方法与流程

本发明涉及半导体材料，更具体地涉及一种氧化镓半导体结构及其制备方法。

背景技术：

随着电子信息产业的迅速发展，人类对于半导体的需求不再仅仅局限于传统的半导体材料与技术，已经由半导体硅基材料发展到砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体，并逐渐向第三代宽禁带半导体材料转变。

第三代的宽禁带半导体(禁带宽度eg＞2.3ev)材料，包括碳化硅(sic)、氧化锌、氮化镓、金刚石、氧化镓等，由于具有耐击穿电压高、电子迁移率大、热稳定性好、抗辐射能力强等优势，越来越多地被用于高频、高功率、高集成度的光电子器件。尤其是氧化镓材料，因为它具有更大的禁带宽度4.5-4.9ev，相当于si的4倍以上，甚至比氧化锌的3.24ev、氮化镓的3.4ev还要高许多，可以广泛应用于蓝紫光或紫外发光器件和深紫外探测器件领域。另一方面，氧化镓的baliga优值指数(相对硅而言)高达3444，大约是碳化硅的10倍，gan的4倍。因此，基于氧化镓研制的器件将具有更小的导通损耗和更高的功率转换效率，在未来电力电子和功率器件领域具有巨大应用潜力。

近年来，在氧化镓晶体材料方面的研究已经取得了比较大的发展。德国、日本分别采用提拉法和导模法实现了2英寸和4～6英寸氧化镓晶体的制备。2015年，日本已实现了2英寸β-氧化镓单晶衬底的商品化。在我国，中科院上海光机所、同济大学、中电集团46所、山东大学等单位已经开展了氧化镓晶体结晶习性、掺杂方式、光学性质等方面的探索。然而，氧化镓晶体材料的热导率很低(约为0.27w·cm-1·k^-1)，直接在氧化镓晶体材料上制备器件，散热将成为制约器件性能的主要瓶颈，将氧化镓薄膜器件与高热导率衬底集成是解决其散热问题的主要途径。例如，在硅基衬底上(硅衬底的导热率是氧化镓的5.6倍)制备氧化镓薄膜形成绝缘体上氧化镓(gaooi)。由于匹配衬底材料的缺乏，采用传统的外延生长技术(如分子束外延、金属有机物化学气相沉积、磁控溅射等)在高热导率衬底上外延生长高质量的氧化镓单晶薄膜仍然面临着许多挑战，而且外延生长所需要的外延缓冲层影响了器件的性能与寿命。

技术实现要素：

为了解决上述现有技术存在的无法在高热导率衬底上外延生长氧化镓单晶薄膜的问题，本发明旨在提供一种氧化镓半导体结构及其制备方法。

本发明提供一种氧化镓半导体结构的制备方法，包括步骤：s1，提供具有注入面的氧化镓单晶晶片；s2，从所述注入面向氧化镓单晶晶片进行离子注入，使得注入离子到达预设深度并在预设深度处形成注入缺陷层，该注入缺陷层的两侧形成第一氧化镓层和第二氧化镓层；s3，将所述注入面与一高热导率衬底键合，得到包括氧化镓单晶晶片和高热导率衬底的第一复合结构；s4，对第一复合结构进行退火处理，使得第一复合结构中的氧化镓单晶晶片沿着注入缺陷层剥离，得到第二复合结构和第三复合结构，其中，注入缺陷层形成第一损伤层和第二损伤层，第二复合结构包括第一损伤层、第一氧化镓层和高热导率衬底，第三复合结构包括第二损伤层和第二氧化镓层；s5，对第二复合结构进行表面处理以除去第一损伤层，得到包括第一氧化镓层和高热导率衬底的氧化镓半导体结构。

所述氧化镓单晶晶片为α型氧化镓单晶晶片或β型氧化镓单晶晶片。

所述氧化镓单晶晶片为本征氧化镓单晶晶片或掺杂氧化镓单晶晶片。优选地，该掺杂氧化镓单晶晶片为sn掺杂氧化镓单晶晶片。

所述氧化镓单晶晶片包括晶向(-201)、(010)、(001)和(100)。

所述氧化镓单晶晶片的尺寸为毫米级晶片或晶圆级晶片。

在所述步骤s2中，从所述注入面注入h离子和/或he离子。

所述预设深度为20nm～20μm。优选地，该预设深度为100-900nm。更优选地，该预设深度为200-300nm。在一个优选的实施例中，该预设深度为230nm。

离子注入的能量为5kev～1000kev，剂量为1×10¹⁶ions/cm²～6×10¹⁷ions/cm²，温度为-20℃～300℃。

所述高热导率衬底选自硅衬底、氧化硅衬底、金刚石衬底、氮化铝衬底、碳化硅衬底中的一种高热导率衬底，或由其中的至少两种复合形成的复合衬底。

在所述步骤s3中，所述注入面与高热导率衬底采用直接键合、介质层键合、金属键合或阳极键合。

在所述步骤s4中，退火处理在真空环境下或在氮气、氧气及惰性气体中的至少一种气体形成的保护气氛下进行，退火温度为50℃～700℃，退火时间为1分钟～24小时。

在所述步骤s5中，所述表面处理选自：化学机械抛光、化学腐蚀、等离子体刻蚀、和低能离子溅射中的至少一种。

该制备方法还包括对第三复合结构进行表面处理以除去第二损伤层，得到第二氧化镓层。该第二氧化镓层可以被循环利用，以降低成本。

本发明还提供一种氧化镓半导体结构，其根据上述的制备方法得到。

根据本发明的制备方法，通过离子注入在注入面下的预设深度处形成注入缺陷层，然后与高热导率的衬底材料键合，键合后的结构进行退火，从而将较薄的第一氧化镓层(即氧化镓单晶薄膜)转移到高热导率的衬底材料上形成氧化镓半导体结构，该氧化镓半导体结构中的氧化镓单晶薄膜与高热导率衬底集成，有效提高了氧化镓单晶薄膜的导热性。另外，剩余的较厚的第二氧化镓层可以重复利用，降低氧化镓单晶薄膜的制备成本。

附图说明

图1是根据本发明的氧化镓半导体结构的制备方法提供的未注入的氧化镓单晶晶片的剖面图；

图2是根据本发明的氧化镓半导体结构的制备方法提供的注入后的氧化镓单晶晶片的剖面图；

图3是根据本发明的氧化镓半导体结构的制备方法提供的注入后的氧化镓单晶晶片与高热导率衬底键合得到的第一复合结构的剖面图；

图4是根据本发明的氧化镓半导体结构的制备方法提供的第一复合结构沿着注入缺陷层剥离的剖面图；

图5是根据本发明的氧化镓半导体结构的制备方法提供的氧化镓半导体结构的剖面图。

具体实施方式

下面结合附图，给出本发明的较佳实施例，并予以详细描述。

根据本发明的氧化镓半导体结构的制备方法包括：

1)提供具有注入面1a的氧化镓单晶晶片1，如图1所示；

2)从注入面1a沿着箭头方向向氧化镓单晶晶片1进行离子注入，如图2所示，氧化镓单晶晶片1在距离注入面1a的预设深度处形成注入缺陷层11，该注入缺陷层11的两侧分别形成独立的第一氧化镓层12和第二氧化镓层13；

3)将注入面1a与高热导率衬底2键合，如图3所示，得到包括氧化镓单晶晶片1和高热导率衬底2的第一复合结构；

4)对第一复合结构进行退火处理，如图4所示，使得第一复合结构沿着注入缺陷层11剥离得到第二复合结构和第三复合结构，其中，注入缺陷层11形成第一损伤层111和第二损伤层112，第二复合结构包括第一损伤层111、第一氧化镓层12和高热导率衬底2，第三复合结构包括第二损伤层112和第二氧化镓层13；

5)表面处理除去第二复合结构中的第一损伤层111，得到如图5所示的包括第一氧化镓层12(其又被称为氧化镓单晶薄膜)和高热导率衬底2的氧化镓半导体结构。

实施例1

提供β型sn掺杂氧化镓单晶晶片，尺寸为10mm×10mm，晶向为(-201)。从注入面进行h离子注入，注入能量为30kev，注入剂量为5×10¹⁷ions/cm²，注入温度为30℃，在距离注入面约230nm处形成注入缺陷层。将注入面与氧化硅衬底直接键合。氮气气氛下退火处理，退火温度为150℃，退火时间为30分钟。采用化学机械抛光除去损伤层得到氧化镓半导体结构。

实施例2

提供β型本征氧化镓晶圆级晶片，晶向为(100)。从注入面进行he离子注入，注入能量为5kev，注入剂量为1×10¹⁶ions/cm²，注入温度为-20℃，在距离注入面约20nm处形成注入缺陷层。将注入面与金刚石衬底进行阳极键合。氦气气氛下退火处理，退火温度为50℃，退火时间为1分钟。采用化学腐蚀除去损伤层得到氧化镓半导体结构。

实施例3

提供α型铁(fe)掺杂氧化镓晶圆级晶片，晶向为(001)。从注入面进行h离子和he离子注入，注入能量分别为35kev和65kev，注入剂量分别为1×10¹⁷ions/cm²和2×10¹⁶ions/cm²，注入温度为300℃，在距离注入面约230nm处形成注入缺陷层。将注入面与氮化铝衬底进行金属键合。氧气气氛下退火处理，退火温度为700℃，退火时间为8小时。采用等离子体刻蚀除去损伤层得到氧化镓半导体结构。

实施例4

提供α型本征氧化镓晶圆级晶片，晶向为(-201)。从注入面进行h离子注入，注入能量为1000kev，注入剂量分别为6×10¹⁷ions/cm²，注入温度为-20℃，在距离注入面约20μm处形成注入缺陷层。将注入面与碳化硅/硅复合衬底直接键合。在空气中退火处理，退火温度为700℃，退火时间为24小时。采用化学机械抛光除去损伤层得到氧化镓半导体结构。

以上所述的，仅为本发明的较佳实施例，并非用以限定本发明的范围，本发明的上述实施例还可以做出各种变化。即凡是依据本发明申请的权利要求书及说明书内容所作的简单、等效变化与修饰，皆落入本发明专利的权利要求保护范围。本发明未详尽描述的均为常规技术内容。