技术特征：
技术总结
本发明公开了一种低成本黑硅太阳能电池制作方法，涉及晶硅太阳能电池生产，包括：对硅片进行表面清洗和湿法制绒；利用硼源，对硅片进行高温掺杂，制作P‑N结；在酸溶液、碱溶液中去除硅片表面的硅硼玻璃，以及蚀刻去边；在硅片正面使用ALD沉积法沉积Al2O3层，实现黑硅的上表面钝化；在Al2O3层上使用PECVD沉积法沉积SiNX减反射层；在硅片的背面沉积SiO2和SiNx叠层钝化层，实现黑硅的背表面钝化；在硅片背面钝化层上进行激光开槽；丝网印刷导电Ag浆和Al浆，制作金属电极；高温烧结，形成黑硅太阳能电池。本发明解决了减反效果与其带来的表面钝化问题之间的矛盾，适合产业化。
技术研发人员：张敬敬;马建峰;葛祖荣
受保护的技术使用者：浙江昱辉阳光能源江苏有限公司
技术研发日：2018.11.23
技术公布日：2019.02.19