技术特征：
技术总结
公开了光电器件和图像传感器及电子设备。所述光电器件包括：第一电极；第一光电转换层，其在所述第一电极上并且包括包含第一p型半导体和第一n型半导体的异质结；第二光电转换层，其在所述第一光电转换层上并且包括包含第二p型半导体和第二n型半导体的异质结；和在所述第二光电转换层上的第二电极。所述第一光电转换层的峰值吸收波长(λ最大1)和所述第二光电转换层的峰值吸收波长(λ最大2)被包括在共同的光波长谱中，所述共同的光波长谱为如下的一种光波长谱：红色光波长谱、绿色光波长谱、蓝色光波长谱、近红外光波长谱、或紫外光波长谱，和所述第二光电转换层的光吸收半宽度(FWHM)比所述第一光电转换层的光吸收FWHM窄。
技术研发人员：朴敬培;卢卓均;堤清彦;许哲准;陈勇完
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2018.11.27
技术公布日：2019.06.11