光电器件和图像传感器及电子设备的制作方法

本申请要求2017年12月1日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.10-2017-0164147的优先权和权益，将其全部内容引入本文中作为参考。公开了光电器件、图像传感器、和电子设备。
背景技术：
：光电器件利用光电效应将光转换成电信号。所给光电器件可包括光电二极管、光电晶体管等，并且可应用于如下(“包括在如下中”)：图像传感器、太阳能电池、有机发光二极管等。包括光感测器件(“光电二极管”)的图像传感器可需要高的分辨率和因此小的像素。目前，广泛使用硅光电二极管，但是由于硅光电二极管具有由于小的像素所致的小的吸收面积，硅光电二极管具有恶化的灵敏度的问题。因此，已经研究了能够代替硅的有机材料。有机材料具有高的消光系数并且可取决于分子结构而选择性地吸收在特定的光波长谱中的光，并且因此可同时代替光电二极管和滤色器且结果改善灵敏度和对高的集成作贡献。然而，因为有机材料由于高的结合能和复合行为而呈现出与硅的特性不同的特性，所以有机材料的特性难以被精确地预测，并且因此可不容易控制光电器件的所需性质。技术实现要素：一些实例实施方式提供配置成同时满足光学性质、电特性、和耐热性质的光电器件。一些实例实施方式提供包括所述光电器件的图像传感器。再一些实例实施方式提供包括所述图像传感器的电子设备。根据一些实例实施方式，光电器件可包括第一电极、在所述第一电极上的第一光电转换层、在所述第一光电转换层上的第二光电转换层、和在所述第二光电转换层上的第二电极。所述第一光电转换层可包括包含第一p型半导和第一n型半导体的第一异质结。所述第二光电转换层可包括包含第二p型半导体和第二n型半导体的第二异质结。所述第一光电转换层可具有第一峰值吸收波长(λ最大1)。所述第二光电转换层可具有第二峰值吸收波长(λ最大2)。所述第一峰值吸收波长和所述第二峰值吸收波长两者可被包括在共同的(common)光波长谱中，所述共同的光波长谱为如下的一种光波长谱：红色光波长谱、绿色光波长谱、蓝色光波长谱、近红外光波长谱、或紫外光波长谱。所述第二光电转换层的光吸收半宽度(fwhm)可比所述第一光电转换层的光吸收fwhm窄。所述第二光电转换层在所述第二峰值吸收波长(λ最大2)处的消光系数可等于或大于所述第一光电转换层在所述第一峰值吸收波长(λ最大1)处的消光系数。所述第二光电转换层在所述第二峰值吸收波长(λ最大2)处的外量子效率可等于或大于所述第一光电转换层在所述第一峰值吸收波长(λ最大1)处的外量子效率。所述第二p型半导体的光吸收fwhm可比所述第一p型半导体的光吸收fwhm窄。所述第二光电转换层的光吸收fwhm可为约50nm-约110nm，和所述第一光电转换层的光吸收fwhm可为约100nm-约130nm。所述第一光电转换层的电荷迁移率可大于所述第二光电转换层的电荷迁移率。所述第一p型半导体的电荷迁移率可大于所述第二p型半导体的电荷迁移率。所述第一p型半导体的homo能级可比所述第二p型半导体的homo能级浅。所述第一n型半导体和所述第二n型半导体可各自独立地包括富勒烯或富勒烯衍生物。所述共同的光波长谱可为如下的一种光波长谱：约410nm-约480nm、约510nm-约560nm、约620nm-约670nm、或约780nm-约1200nm。所述第二光电转换层的厚度可等于或大于所述第一光电转换层的厚度。所述第一光电转换层与所述第二光电转换层的厚度比可为约50:50-约5:95。所述共同的光波长谱可为约510nm-约560nm的一种光波长谱，和所述第二光电转换层的光吸收fwhm可小于或等于约110nm。所述第二峰值吸收波长(λ最大2)可在约530nm-约550nm的光波长谱中。所述第一光电转换层和所述第二光电转换层在相应峰值吸收波长处的外量子效率和在450nm处的外量子效率可满足关系方程1，eqe(2)λ最大2/eqe(2)450nm>eqe(1)λ最大1/eqe(1)450nm，其中，在关系方程1中，eqe(2)λ最大2为所述第二光电转换层在所述第二峰值吸收波长(λ最大2)处的外量子效率，eqe(2)450nm为所述第二光电转换层在450nm的波长处的外量子效率，eqe(1)λ最大1为所述第一光电转换层在所述第一峰值吸收波长(λ最大1)处的外量子效率，和eqe(1)450nm为所述第一光电转换层在450nm的波长处的外量子效率。所述第二电极可在所述光电器件的光入射侧处。所述光电器件可进一步包括在如下的至少一个处的电荷辅助层：在所述第一电极与所述第一光电转换层之间、或者在所述第二电极与所述第二光电转换层之间。所述电荷辅助层可配置成基本上不吸收在可见光波长谱中的光。根据一些实例实施方式，光电器件可包括彼此面对的第一电极和第二电极；以及第一光电转换层和第二光电转换层。所述第一和第二光电转换层各自可在所述第一电极与所述第二电极之间。所述第一光电转换层和所述第二光电转换层的各光电转换层可配置成选择性地吸收在绿色光波长谱中的光。所述第一光电转换层和所述第二光电转换层在相应峰值吸收波长处的外量子效率和在450nm的波长处的外量子效率可满足关系方程1，eqe(2)λ最大2/eqe(2)450nm>eqe(1)λ最大1/eqe(1)450nm，其中在关系方程1中，eqe(2)λ最大2为所述第二光电转换层在第二峰值吸收波长(λ最大2)处的外量子效率，eqe(2)450nm为所述第二光电转换层在450nm的波长处的外量子效率，eqe(1)λ最大1为所述第一光电转换层在第一峰值吸收波长(λ最大1)处的外量子效率，和eqe(1)450nm为所述第一光电转换层在450nm的波长处的外量子效率。所述第二峰值吸收波长(λ最大2)可在约530nm-约550nm的光波长谱中。所述第一峰值吸收波长(λ最大1)可在约510nm-约560nm的光波长谱中。所述第一光电转换层的电荷迁移率可大于所述第二光电转换层的电荷迁移率。所述第一光电转换层可包括第一p型半导体和第一n型半导体，所述第二光电转换层可包括第二p型半导体和第二n型半导体，并且所述第一p型半导体和所述第二p型半导体可为彼此不同的材料并且配置成选择性地吸收在绿色光波长谱中的光。所述第二光电转换层在所述第二峰值吸收波长(λ最大2)处的外量子效率可等于或大于所述第一光电转换层在所述第一峰值吸收波长(λ最大1)处的外量子效率。所述第二光电转换层的光吸收半宽度(fwhm)可比所述第一光电转换层的光吸收fwhm窄。所述第一p型半导体的电荷迁移率可大于所述第二p型半导体的电荷迁移率。所述第一p型半导体的homo能级可比所述第二p型半导体的homo能级浅。所述第一n型半导体和所述第二n型半导体可各自独立地包括富勒烯或富勒烯衍生物。图像传感器可包括所述光电器件。电子设备可包括所述图像传感器。根据一些实例实施方式，光电器件可包括：第一光电转换层，其包括包含第一p型半导体和第一n型半导体的第一异质结；和在所述第一光电转换层上的第二光电转换层，所述第二光电转换层包括包含第二p型半导体和第二n型半导体的第二异质结。所述第一光电转换层可具有第一峰值吸收波长(λ最大1)，所述第二光电转换层可具有第二峰值吸收波长(λ最大2)，所述第一峰值吸收波长和所述第二峰值吸收波长两者可被包括在共同的光波长谱中，所述共同的光波长谱为如下的一种光波长谱：红色光波长谱、绿色光波长谱、蓝色光波长谱、近红外光波长谱、或紫外光波长谱。所述第二光电转换层的光吸收半宽度(fwhm)可比所述第一光电转换层的光吸收fwhm窄。所述第二光电转换层在所述第二峰值吸收波长(λ最大2)处的消光系数可等于或大于所述第一光电转换层在所述第一峰值吸收波长(λ最大1)处的消光系数。所述第二光电转换层在所述第二峰值吸收波长(λ最大2)处的外量子效率可等于或大于所述第一光电转换层在所述第一峰值吸收波长(λ最大1)处的外量子效率。所述第二p型半导体的光吸收fwhm可比所述第一p型半导体的光吸收fwhm窄。所述第二光电转换层的光吸收fwhm可为约50nm-约110nm，和所述第一光电转换层的光吸收fwhm可为约100nm-约130nm。所述第一光电转换层的电荷迁移率可大于所述第二光电转换层的电荷迁移率。所述第一n型半导体和所述第二n型半导体可各自独立地包括富勒烯或富勒烯衍生物。所述共同的光波长谱为如下的一种光波长谱：约410nm-约480nm、约510nm-约560nm、约620nm-约670nm、或约780nm-约1200nm。所述共同的光波长谱可为约510nm-约560nm的一种光波长谱，和所述第二光电转换层的光吸收fwhm可小于或等于约110nm。所述第一光电转换层和所述第二光电转换层在相应峰值吸收波长处的外量子效率和在450nm处的外量子效率满足关系方程1，[关系方程1]，eqe(2)λ最大2/eqe(2)450nm>eqe(1)λ最大1/eqe(1)450nm，其中，在关系方程1中，eqe(2)λ最大2为所述第二光电转换层在所述第二峰值吸收波长(λ最大2)处的外量子效率，eqe(2)450nm为所述第二光电转换层在450nm的波长处的外量子效率，eqe(1)λ最大1为所述第一光电转换层在所述第一峰值吸收波长(λ最大1)处的外量子效率，和eqe(1)450nm为所述第一光电转换层在450nm的波长处的外量子效率。所述光电器件可进一步包括在如下的至少一个处的电荷辅助层：在所述第一电极与所述第一光电转换层之间、或者在所述第二电极与所述第二光电转换层之间。所述电荷辅助层可配置成基本上不吸收在可见光波长谱中的光。根据一些实例实施方式，图像传感器可包括半导体基板和在所述半导体基板上的多个光电器件。所述多个光电器件可分别配置成将蓝色光、绿色光、或红色光的不同光转换为电信号。所述多个光电器件的各光电器件可包括第一电极；在所述第一电极上的第一光电转换层，所述第一光电转换层包括包含第一p型半导体和第一n型半导体的第一异质结；在所述第一光电转换层上的第二光电转换层，所述第二光电转换层包括包含第二p型半导体和第二n型半导体的第二异质结；和在所述第二光电转换层上的第二电极。所述第一光电转换层可具有第一峰值吸收波长(λ最大1)，所述第二光电转换层可具有第二峰值吸收波长(λ最大2)，所述第一峰值吸收波长和所述第二峰值吸收波长两者可被包括在共同的光波长谱中，所述共同的光波长谱可为如下的一种光波长谱：红色光波长谱、绿色光波长谱、蓝色光波长谱、近红外光波长谱、或紫外光波长谱。所述第二光电转换层的光吸收半宽度(fwhm)可比所述第一光电转换层的光吸收fwhm窄。所述图像传感器可进一步包括在所述半导体基板上的红外光电器件，其中所述红外光电器件可配置成将红外光转换为电信号。所述红外光电器件可在所述多个光电器件上。所述红外光电器件可在所述多个光电器件与所述半导体基板之间。附图说明图1为显示根据一些实例实施方式的光电器件的横截面图，图2为显示根据一些实例实施方式的光电器件的横截面图，图3为显示根据一些实例实施方式的有机cmos图像传感器的示意性顶部俯视图，图4为显示图3的有机cmos图像传感器的一个实例的横截面图，图5为显示所述有机cmos图像传感器的另一实例的横截面图，图6为显示根据一些实例实施方式的有机cmos图像传感器的示意性顶部俯视图，图7为显示图6的有机cmos图像传感器的横截面图，图8为显示根据一些实例实施方式的有机cmos图像传感器的示意性横截面图，图9和10为根据一些实例实施方式的有机cmos图像传感器的示意性横截面图，图11a为根据一些实例实施方式的有机cmos图像传感器的示意性横截面图，图11b为根据一些实例实施方式的有机cmos图像传感器的示意性横截面图，图12为根据一些实例实施方式的有机cmos图像传感器的示意性横截面图，图13为根据一些实例实施方式的有机cmos图像传感器的示意性横截面图，图14为根据一些实例实施方式的有机cmos图像传感器的示意性横截面图，图15为根据一些实例实施方式的有机cmos图像传感器的示意性横截面图，图16为根据一些实例实施方式的有机cmos图像传感器的示意性横截面图，图17为根据一些实例实施方式的有机cmos图像传感器的示意性横截面图，和图18为根据一些实例实施方式的电子设备的示意图。具体实施方式下文中，将详细地描述本公开内容的实例实施方式，使得本领域技术人员将理解其。然而，本公开内容可以许多不同的形式体现并且不被解释为限于本文中阐述的实例实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中类似的附图标记表示类似的元件。将理解，当一个元件例如层、膜、区域、或基板被称为“在”另外的元件“上”(例如在所述另外的元件上方)时，其可直接在所述另外的元件上或者还可存在中间元件。相反，当一个元件被称为“直接在”另外的元件“上”时，则不存在中间元件。为了便于描述，在本文中可使用空间上相对的术语例如“在……下方”、“在……下面”、“下部”、“在……上方”、“上部”等来描述如图中所示的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。将理解，除图中所描绘的方位之外，空间上相对的术语还意图包括在使用或操作中的设备的不同方位。例如，如果将图中的设备翻转，被描述为“在”另外的元件或特征“下面”或“下方”的元件则将被定向在所述另外的元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下面”可包括在……上方和在……下面两种方位。设备可以其它方式定向(旋转90度或在其它方位上)，并且本文中所使用的空间上相关的描述词相应地进行解释。在附图中，为了实施方式的清楚，省略了与描述没有关系的部分，并且在整个说明书中相同或类似的构成元件由相同的附图标记表示。下文中，“组合”指的是两者或更多者的混合物以及两者或更多者的堆结构。如本文中使用的，当未另外提供定义时，“取代(的)”指的是化合物或基团的氢被选自如下的取代基代替：卤素原子、羟基、硝基、氰基、氨基、叠氮基、脒基、肼基、腙基、羰基、氨基甲酰基、硫醇基、酯基、羧基或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、c1-c20烷基、c2-c20烯基、c2-c20炔基、c6-c30芳基、c7-c30芳烷基、c1-c30烷氧基、c1-c20杂烷基、c3-c20杂芳基、c3-c20杂芳烷基、c3-c30环烷基、c3-c15环烯基、c6-c15环炔基、c3-c30杂环烷基、及其组合。如本文中使用的，当未另外提供定义时，“杂”指的是包括选自n、o、s、p、和si的1-3个杂原子。下文中，最高占据分子轨道(homo)能级是作为距离真空能级的绝对值表示的。此外，当homo能级被说成是“深的”、“高的”、或“大的”时，该homo能级具有基于真空能级的“0ev”的大的绝对值，而当homo能级是“浅的”、“低的”、或“小的”时，该homo能级具有基于真空能级的“0ev”的小的绝对值。下文中，如本文中使用的，当未另外提供定义时，各特性是以薄膜(沉积薄膜)的状态测量(度量)的。下文中，参照附图描述根据一些实例实施方式的光电器件。图1为显示根据一些实例实施方式的光电器件的横截面图。参照图1，根据一些实例实施方式的光电器件100(在本文中也称作光电转换器件)包括彼此面对的第一电极10(在本文中也称作下部电极)和第二电极20(在本文中也称作上部电极)以及在第一电极10与第二电极20之间的光电转换层30。可在第一电极10的表面或第二电极20的表面上设置基板(未示出)。所述基板可例如由如下制成：无机材料例如玻璃，有机材料例如聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰胺、聚醚砜、或其组合，或硅晶片。第一电极10和第二电极20之一可为阳极并且另一个可为阴极。例如，第一电极10可为阳极并且第二电极20可为阴极。第一电极10和第二电极20的至少一个可为光透射电极且所述光透射电极可例如由如下制成：导电氧化物例如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化锡(sno2)、氧化铝锡(alto)、和氟掺杂的氧化锡(fto)，或者单层或多层的金属薄层。当第一电极10和第二电极20之一为非光透射电极时，其可由例如不透明导体例如铝(al)、银(ag)、或金(au)制成。例如，第一电极10和第二电极20可两者都为光透射电极。例如，第二电极20可为设置在光接收侧处的光接收电极。光电转换层30包括第一光电转换层31和第二光电转换层32。第一光电转换层31可靠近第一电极10并且第二光电转换层32可靠近第二电极20。例如，在图1中，第一光电转换层31在第一电极10上，第二光电转换层32在第一光电转换层31上，且第二电极20在第二光电转换层32上。第二光电转换层32可设置成比第一光电转换层31更靠近光接收侧。第一光电转换层31和第二光电转换层32各自可配置成共同地吸收在可见光波长谱、近红外光波长谱、或紫外光波长谱的光波长谱的一部分(例如，可见光波长谱的特定部分)中的光，并且可例如共同地吸收在绿色光波长谱中的光、在蓝色光波长谱中的光、在红色光波长谱中的光、在近红外光波长谱中的光、或在紫外光波长谱中的光的一部分。换而言之，第一光电转换层31和第二光电转换层32可分别具有第一峰值吸收波长和第二峰值吸收波长，它们二者被包括在共同的光波长谱中，所述共同的光波长谱可为可见光光波长谱、近红外光波长谱、或紫外光波长谱的一种光波长谱，并且可例如如下的一种光波长谱：绿色光波长谱、蓝色光波长谱、红色光波长谱、近红外光波长谱、或紫外光波长谱。所述共同的光波长谱可为如下的一种光波长谱：约410nm-约480nm、约510nm-约560nm、约620nm-约670nm、或约780nm-约1200nm。例如，第一光电转换层31的峰值吸收波长(λ最大1)和第二光电转换层32的峰值吸收波长(λ最大2)可共同地存在于选自如下的一个区域中：红色光波长谱、绿色光波长谱、蓝色光波长谱、近红外光波长谱、和紫外光波长谱。例如，第一光电转换层31和第二光电转换层32各自可选择性地吸收在绿色光波长谱中的光。此处，所述绿色光波长谱可为例如约500nm-约600nm的区域，并且第一光电转换层31的峰值吸收波长(λ最大1)和第二光电转换层32的峰值吸收波长(λ最大2)各自可共同地存在于约510nm-约560nm、例如约520nm-约550nm、或约530nm-约550nm的区域中。换而言之，前述光波长谱可为约510nm-约560nm的一种光波长谱。所述第二峰值吸收波长(λ最大2)可在约530nm-约550nm的光波长谱中。例如，第一光电转换层31和第二光电转换层32各自可选择性地吸收在蓝色光波长谱中的光。此处，所述蓝色光波长谱可为例如大于或等于约380nm且小于约500nm的区域，并且第一光电转换层31的峰值吸收波长(λ最大1)和第二光电转换层32的峰值吸收波长(λ最大2)各自可共同地存在于约410nm-约480nm、例如约420nm-约470nm、或约430nm-约460nm的区域中。例如，第一光电转换层31和第二光电转换层32各自可选择性地吸收在红色光波长谱中的光。此处，所述红色光波长谱可为例如大于约600nm且小于或等于约700nm的区域，并且第一光电转换层31的峰值吸收波长(λ最大1)和第二光电转换层32的峰值吸收波长(λ最大2)各自可共同地存在于约620nm-约670nm、例如约630nm-约660nm、或约640nm-约660nm的区域中。例如，第一光电转换层31和第二光电转换层32各自可选择性地吸收在近红外光波长谱中的光。此处，所述近红外光波长谱可为例如大于约700nm且小于或等于约3000nm的区域，并且第一光电转换层31的峰值吸收波长(λ最大1)和第二光电转换层32的峰值吸收波长(λ最大2)可共同地存在于约780nm-约1200nm、例如约790nm-约1100nm、或约800nm-约1000nm的区域中。第一光电转换层31和第二光电转换层32可独立地包括至少一种p型半导体和至少一种n型半导体以提供异质结。换而言之，第一光电转换层31可包括包含括至少一种第一p型半导体33和至少一种第一n型半导体35的第一异质结，和第二光电转换层32可包括包含至少一种第二p型半导体37和至少一种第二n型半导体39的第二异质结(其可与第一光电转换层31的第一异质结不同)。例如，第一光电转换层31可包括至少一种第一p型半导体和至少一种第一n型半导体以形成异质结并且第二光电转换层32可包括至少一种第二p型半导体和至少一种第二n型半导体以形成异质结。所述第一p型半导体和所述第二p型半导体可相同或不同并且所述第一n型半导体和所述第二n型半导体可相同或不同，条件是当所述第一p型半导体和所述第二p型半导体相同时，所述第一n型半导体和所述第二n型半导体不同，和当所述第一n型半导体和所述第二n型半导体相同时，所述第一p型半导体和所述第二p型半导体不同。第一光电转换层31和第二光电转换层32可独立地形成pn结，所述第一p型半导体和所述第一n型半导体形成pn结，可配置成通过(“基于”)接收来自外部(“在光电器件100外部的外部环境”)的光而产生激子，且将所产生的激子分离成空穴和电子，并且所述第二p型半导体和所述第二n型半导体形成pn结，通过接收来自外部的光而产生激子，并且将所产生的激子分离为空穴和电子。例如，可以与所述第一n型半导体相同的量或者以比所述第一n型半导体大的量包括所述第一p型半导体，和例如可以与所述第二n型半导体相同的量或者以比所述第二n型半导体大的量包括所述第二p型半导体。所述第一p型半导体和所述第一n型半导体的至少一种可选择性地吸收在可见光光波长谱、近红外光波长谱、或紫外光波长谱的光波长谱中的光的一部分，并且可例如选择性地吸收在绿色光波长谱中的光、在蓝色光波长谱中的光、在红色光波长谱中的光、在近红外光波长谱中的光、和在紫外光波长谱的光的一部分。例如，所述第一p型半导体可选择性地吸收在可见光光波长谱、近红外光波长谱、或紫外光波长谱的光波长谱中的光的一部分，并且可例如选择性地吸收在绿色光波长谱中的光、在蓝色光波长谱中的光、在红色光波长谱中的光、在近红外光波长谱中的光、和在紫外光波长谱中的光的一部分。例如，所述第一p型半导体可选择性地吸收在绿色光波长谱中的光。所述第二p型半导体和所述第二n型半导体的至少一种可选择性地吸收在可见光波长谱、近红外光波长谱、或紫外光波长谱的光波长谱中的光的一部分，并且可例如选择性地吸收在绿色光波长谱中的光、在蓝色光波长谱中的光、在红色光波长谱中的光、在近红外光波长谱中的光、和在紫外光波长谱中的光的一部分。例如，所述第二p型半导体可选择性地吸收在可见光光波长谱、近红外光波长谱、或紫外光波长谱的光波长谱中的光的一部分，并且可例如选择性地吸收在绿色光波长谱中的光、在蓝色光波长谱中的光、在红色光波长谱中的光、在近红外光波长谱中的光、和在紫外光波长谱中的光的一部分。例如，所述第二p型半导体可选择性地吸收在绿色光波长谱中的光。例如，所述第一p型半导体和所述第二p型半导体可彼此不同，并且可共同地吸收在可见光波长谱、近红外光波长谱、或紫外光波长谱的光波长谱中的光的一部分，并且可例如共同地吸收在绿色光波长谱中的光、在蓝色光波长谱中的光、在红色光波长谱中的光、在近红外光波长谱中的光、和在紫外光波长谱中的光的一部分。例如，所述第一p型半导体的峰值吸收波长(λ最大,p1)(例如，第一光电转换层31所拥有的第一峰值吸收波长)和所述第二p型半导体的峰值吸收波长(λ最大,p2)(例如，第二光电转换层32所拥有的第二峰值吸收波长)可共同地存在于如下的一个区域中：红色光波长谱、绿色光波长谱、蓝色光波长谱、近红外光波长谱、和紫外光波长谱。换而言之，所述第一峰值吸收波长和所述第二峰值吸收波长两者可被包括在共同的光波长谱中，其中所述共同的光波长谱为如下的一种光波长谱：红色光波长谱、绿色光波长谱、蓝色光波长谱、近红外光波长谱、或紫外光波长谱。例如，所述第一p型半导体和所述第二p型半导体可彼此不同(例如，可包括不同的材料)并且可分别配置成选择性地吸收在可见光波长谱中的光(例如，可各自配置成选择性地吸收在绿色光波长谱中的光)。此处，所述绿色光波长谱可为例如约500nm-约600nm的区域并且所述第一p型半导体的峰值吸收波长(λ最大1,p1)和所述第二p型半导体的峰值吸收波长(λ最大2,p2)各自可例如存在于约510nm-约560nm或例如约520nm-约550nm的区域中。例如，所述第一p型半导体和所述第二p型半导体可彼此不同并且可选择性地吸收在蓝色光波长谱中的光。当在本说明书中关于数值使用术语“约”或“基本上”时，意图是，相关的数值包括在所陈述的数值附近±10％的公差。当详述范围时，所述范围包括在其间的所有值例如以0.1％的增量。此处，所述蓝色光波长谱可为例如大于或等于约380nm且小于约500nm的区域并且所述第一p型半导体的峰值吸收波长(λ最大1,p1)和所述第二p型半导体的峰值吸收波长(λ最大2,p2)各自可例如存在于约410nm-约480nm的区域中。例如，所述第一p型半导体和所述第二p型半导体可彼此不同并且可选择性地吸收在红色光波长谱中的光。此处，所述红色光波长谱可为例如大于约600nm并且小于或等于约700nm的区域，并且所述第一p型半导体的峰值吸收波长(λ最大1,p1)和所述第二p型半导体的峰值吸收波长(λ最大2,p2)各自可例如存在于约620nm-约670nm的区域中。例如，所述第一p型半导体和所述第二p型半导体可彼此不同并且可选择性地吸收在近红外光波长谱中的光。此处，所述近红外光波长谱可为例如大于约700nm且小于或等于约3000nm的区域，并且所述第一p型半导体的峰值吸收波长(λ最大1,p1)和所述第二p型半导体的峰值吸收波长(λ最大2,p2)各自可例如存在于约780nm-约1200nm的区域中。例如，所述第一n型半导体和所述第二n型半导体可相同或不同并且可各自分别独立地包括例如富勒烯或富勒烯衍生物，但是不限于此。例如，所述第一n型半导体可包括富勒烯且所述第二n型半导体可包括富勒烯衍生物。第一光电转换层31和第二光电转换层32可具有不同的光学性质、耐热性质、和/或电特性。例如，第一光电转换层31和第二光电转换层32的光学性质、耐热性质和/或电特性可由所述p型半导体和/或所述n型半导体决定或者可例如由所述p型半导体决定。例如，第二光电转换层32可具有比第一光电转换层31高的光吸收特性和光吸收选择性。例如，第二光电转换层32的光吸收半宽度(fwhm)可比第一光电转换层31的光吸收fwhm窄。第二p型半导体37的光吸收fwhm可比第一p型半导体33的光吸收fwhm窄。此处，光吸收半宽度(fwhm)是与峰值吸收点的一半对应的波长的宽度并且可参照用uv-vis光谱仪测量的吸光度定义，除非另外提供具体定义。当光吸收半宽度(fwhm)窄时，在窄的光波长谱中的光被选择性地吸收，这意味着波长选择性是高的。例如，所述第二p型半导体的光吸收半宽度(fwhm)可比所述第一p型半导体的光吸收半宽度(fwhm)窄。第二光电转换层32的光吸收fwhm可例如小于或等于约110nm且第一光电转换层31的光吸收fwhm可大于第二光电转换层32的光吸收fwhm并且可例如大于或等于约100nm。在所述范围内，第二光电转换层32的光吸收fwhm可为例如约50nm-约110nm、约60nm-约110nm、约70nm-约110nm、约70nm-约105nm、和/或约70nm-约100nm，并且第一光电转换层31的光吸收fwhm可为例如约100nm-约130nm、约105nm-约130nm、约110nm-约130nm、和/或约112nm-约130nm。例如，第二光电转换层32在峰值吸收波长(λ最大2)处的消光系数(即，在所述第二峰值吸收波长处的消光系数)可相同于或者高于(“等于或大于”)第一光电转换层31在峰值吸收波长(λ最大1)处的消光系数(即，在所述第一峰值吸收波长处的消光系数)。例如，所述第二p型半导体在峰值吸收波长(λ最大2,p2)处的消光系数可相同于或高于所述第一p型在峰值吸收波长(λ最大1,p1)处的消光系数。例如，所述第二p型半导体在峰值吸收波长(λ最大2,p2)处的消光系数可例如大于或等于约6.5×104cm-1、大于或等于约6.6×104cm-1、约6.5×104cm-1-约1.5×105cm-1、约6.6×104cm-1-约1.5×105cm-1、约6.6×104cm-1-约1.2×105cm-1、或者约6.6×104cm-1-约1.0×105cm-1。例如，第二光电转换层32在峰值吸收波长(λ最大2)处的外量子效率(eqe)(即，在所述第二峰值吸收波长处的外量子效率)可相同于或高于(“等于或大于”)第一光电转换层31在峰值吸收波长(λ最大1)处的外量子效率(eqe)(即，在所述第一峰值吸收波长处的外量子效率)。例如，所述第二p型半导体在峰值吸收波长(λ最大2,p2)处的外量子效率(eqe)可相同于或高于所述第一p型半导体在峰值吸收波长(λ最大1,p1)处的外量子效率(eqe)。第二光电转换层32在峰值吸收波长(λ最大2)处的外量子效率(eqe)可例如大于或等于约60％、例如大于或等于约62％、大于或等于约65％、大于或等于约66％、或者大于或等于约67％。另一方面，第二光电转换层32在除峰值吸收波长(λ最大2)之外的波长处的外量子效率(eqe)可低于第一光电转换层31在除峰值吸收波长(λ最大1)之外的波长处的外量子效率(eqe)。例如，当第一光电转换层31和第二光电转换层32的峰值吸收波长(λ最大1,λ最大2)各自存在于绿色光波长谱中时，第二光电转换层32在450nm的波长处的外量子效率(eqe)可小于或等于约25％、小于或等于约22％、小于或等于约20％、或者小于或等于约19％，并且第一光电转换层31在450nm的波长处的外量子效率(eqe)可为小于或等于约40％、约20％-约40％、约22％-约38％、或者约25％-约35％。因此，第二光电转换层32在峰值吸收波长(λ最大2)处和在其它波长处的外量子效率的比率可高于第一光电转换层31在峰值吸收波长(λ最大1)处和在其它波长处的外量子效率的比率。即，第二光电转换层32的光吸收波长选择性可高于第一光电转换层31的光吸收波长选择性。例如，当第一光电转换层31和第二光电转换层32的峰值吸收波长(λ最大1,λ最大2)各自存在于在绿色光波长谱中时，第一光电转换层31和第二光电转换层32在相应峰值吸收波长(λ最大1，λ最大2)处的外量子效率(eqe)和在450nm(蓝色区域)处的外量子效率(eqe)可例如满足关系方程1。[关系方程1]eqe(2)λ最大2/eqe(2)450nm>eqe(1)λ最大1/eqe(1)450nm在关系方程1中，eqe(2)λ最大2为所述第二光电转换层在峰值吸收波长(λ最大2)处的外量子效率，eqe(2)450nm为所述第二光电转换层在450nm的波长处的外量子效率，eqe(1)λ最大1为所述第一光电转换层在峰值吸收波长(λ最大1)处的外量子效率，和eqe(1)450nm为所述第一光电转换层在450nm的波长处的外量子效率。根据关系方程1，第二光电转换层32的光吸收波长选择性可高于第一光电转换层31的光吸收波长选择性。例如，第一光电转换层31可具有比第二光电转换层32高的耐热性质和/或电特性。例如，第一光电转换层31的耐热性质可优于第二光电转换层32的耐热性质。例如，第一光电转换层31中包括的所述第一p型半导体和/或所述第一n型半导体的熔点可高于第二光电转换层32中包括的所述第二p型半导体和/或所述第二n型半导体的熔点(tm)，和例如所述第一p型半导体的熔点可高于所述第二p型半导体的熔点(tm)。例如，所述第一p型半导体的熔点可比所述第二p型半导体的熔点高大于或等于约5℃、大于或等于约7℃、大于或等于约10℃、大于或等于约12℃或者大于或等于约15℃。第一光电转换层31的电荷迁移率可高于(“大于”)第二光电转换层32的电荷迁移率。例如，所述第一p型半导体和/或所述第一n型半导体的电荷迁移率可高于(“大于”)所述第二p型半导体和/或所述第二n型半导体的电荷迁移率，和例如所述第一p型半导体的电荷迁移率可高于所述第二p型半导体的电荷迁移率。例如，所述第一p型半导体的电荷迁移率可比所述第二p型半导体的电荷迁移率高例如大于或等于约3％、大于或等于约5％、大于或等于约7％、大于或等于约10％、大于或等于约15％、或者大于或等于约20％。例如，第一光电转换层31的homo能级可比第二光电转换层32的homo能级浅。例如，第一光电转换层31中包括的所述第一p型半导体和/或所述第一n型半导体的homo能级可比第二光电转换层32中包括的所述第二p型半导体和/或所述第二n型半导体的homo能级浅，和例如所述第一p型半导体的homo能级可比所述第二p型半导体的homo能级浅。例如，所述第一p型半导体和所述第二p型半导体的homo能级各自可为例如约5.30ev-约5.80ev，在所述范围内，所述第一p型半导体的homo能级可比所述第二p型半导体的homo能级浅约0.01ev、例如约0.02ev、约0.04ev、约0.05ev、约0.07ev、或者约0.1ev。第一光电转换层31和第二光电转换层32各自可具有约10nm-约150nm的厚度，和例如第二光电转换层32的厚度可相同于或大于(“等于或大于”)第一光电转换层31的厚度。例如，第一光电转换层31与第二光电转换层32的厚度比可为约50:50-约5:95、例如约45:55-约5:95、约40:60-约5:95、约30:70-约5:95、约20:80-约5:95、或者约10:90-约5:95，但是不限于此。这样，光电转换层30包括具有不同的光学性质、电特性、和/或耐热性质的第一光电转换层31和第二光电转换层32，并且由此其可满足光电器件所需要的特性并且同时可根据所需要的特性调整第一光电转换层31和第二光电转换层32，使得可容易地制造具有合乎需要的性质的光电器件。如上所述，第一光电转换层31和第二光电转换层32的性质可例如通过所述第一p型半导体和/或所述第一n型半导体以及所述第二p型半导体和/或所述第二n型半导体而控制，并且可例如通过所述第一p型半导体和所述第二p型半导体而控制。所述第一p型半导体和所述第二p型半导体可为例如具有不同的结构的有机化合物，并且可独立地为例如包括给电子基团和受电子基团作为与具有半导体特性的共轭核心结合的取代基的有机化合物。例如，所述第一p型半导体和所述第二p型半导体可独立地例如由化学式1表示，但是不限于此。[化学式1]edg-ha-eag在化学式1中，ha为包括se、te、o、s、和si的至少一种的c2-c30杂环基团，edg为给电子基团，和eag为受电子基团。例如，所述第一p型半导体可由化学式1a表示，但是不限于此。[化学式1a]在化学式1a中，x1为se、te、o、s、so、或so2，ar3为取代或未取代的c6-c30亚芳基、取代或未取代的c3-c30杂环基团、或者前述的两者或更多者的稠环，r1-r3独立地为如下之一：氢、氘、取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的c1-c30烷氧基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c3-c30杂芳基、卤素、氰基、含氰基的基团、及其组合，g为如下之一：单键、-o-、-s-、-se-、-n＝、-(crfrg)k-、-nrh-、-sirirj-、-gerkrl-、-(c(rm)＝c(rn))-、和snrorp，其中rf、rg、rh、ri、rj、rk、rl、rm、rn、ro、和rp独立地为如下之一：氢、卤素、取代或未取代的c1-c10烷基、取代或未取代的c1-c10烷氧基、和取代或未取代的c6-c12芳基，rf和rg、ri和rj、rk和rl、rm和rn、以及ro和rp独立地单独存在或者彼此连接以提供环，并且k为1或2，r6a-r6d和r7a-r7d独立地为如下之一：氢、取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c3-c30杂芳基、卤素、氰基、含氰基的基团、及其组合，r6a-r6d独立地单独存在或者其相邻的两个彼此连接以形成稠环，和r7a-r7d独立地单独存在或者其相邻的两个彼此连接以形成稠环。例如，化学式1a的ar3可为苯环、萘环、蒽环、噻吩环、硒吩环、碲吩环、吡啶环、嘧啶环、或者前述的两者或更多者的稠环。例如，所述第一p型半导体可为组1的化合物之一，但是不限于此。[组1]例如，所述第二p型半导体可由化学式1b表示，但是不限于此。[化学式1b]在化学式1b中，x为s、se、te、so、so2、或sirarb，ar为取代或未取代的c6-c30亚芳基、取代或未取代的c3-c30杂环基团、或者前述的两者或更多者的稠环，ar1a和ar2a独立地为取代或未取代的c6-c30芳基或者取代或未取代的c3-c30杂芳基，ar1a和ar2a独立地单独存在或者彼此连接以形成稠环，和r1a-r3a、ra、和rb独立地为氢、氘、取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c3-c30杂芳基、取代或未取代的c1-c6烷氧基、卤素或氰基。例如，ar1a和ar2a可独立地为如下之一：取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的哒嗪基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的萘啶基、取代或未取代的噌啉基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的酞嗪基、取代或未取代的苯并三嗪基、取代或未取代的吡啶并吡嗪基、取代或未取代的吡啶并嘧啶基、和取代或未取代的吡啶并哒嗪基。例如，ar1a和ar2a可彼此连接以形成环或者例如ar1a和ar2a可通过如下之一彼此连接以形成环：单键、-(crgrh)n2-(n2为1或2)、-o-、-s-、-se-、-n＝、-nri-、-sirjrk-、和-gerlrm-。此处，rg-rm可独立地为氢、取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c3-c30杂芳基、取代或未取代的c1-c6烷氧基、卤素、或氰基。例如，所述第二p型半导体可由化学式1bb-1至1bb-4之一表示，但是不限于此。[化学式1bb-1][化学式1bb-2][化学式1bb-3][化学式1bb-4]在化学式1bb-1至1bb-4中，x、ar1a、ar2a、和r1a-r3a与以上描述的相同，z1为o或crcrd，y1为n或cre，y2为如下之一：o、s、se、te、和c(rf)(cn)，y3为o、s、se、或te，y4为n或nr18a，y5为cr19a或c＝cr20a(cn)，r11a、r12a、r15a-r20a、r24a、r25a、和rc-rf独立地为氢、取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c3-c30杂芳基、取代或未取代的c1-c6烷氧基、卤素或氰基，n1为0或1，m1为0或1，且m2为范围0-4的整数。例如，所述第二p型半导体可为组2的化合物之一，但是不限于此。[组2]在组2中，各芳族环的氢可被选自如下的取代基代替：取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的c1-c30烷氧基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c4-c30杂芳基、卤素、氰基、含氰基的基团、及其组合，和r16、r17、r18、r20、和rf独立地为氢、取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的c1-c30烷氧基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c4-c30杂芳基、卤素、氰基、含氰基的基团、或其组合。光电转换层30可进一步包括设置在第一光电转换层31和第二光电转换层32的下表面和/或上表面上的p型层和/或n型层(未示出)。光电器件100可进一步包括在第一电极10或第二电极20的一个表面上的抗反射层42。抗反射层42在光电器件100的光入射侧处并且降低入射光的光反射率并且由此光吸收率进一步改善。例如，当光从第一电极10进入时，所述抗反射层可设置在第一电极10上，而当光从第二电极20进入时，所述抗反射层可设置在第二电极20下面。所述抗反射层可包括例如具有约1.6-约2.5的折射率的材料，并且可包括例如具有在所述范围内的折射率的金属氧化物、金属硫化物、和有机材料的至少一种。所述抗反射层可包括，例如，金属氧化物例如含铝的氧化物、含钼的氧化物、含钨的氧化物、含钒的氧化物、含铼的氧化物、含铌的氧化物、含钽的氧化物、含钛的氧化物、含镍的氧化物、含铜的氧化物、含钴的氧化物、含锰的氧化物、含铬的氧化物、含碲的氧化物、或其组合；金属硫化物例如硫化锌；或有机材料例如胺衍生物，但是不限于此。在光电器件100中，当光从第一电极10或第二电极20进入并且光电转换层30吸收在特定的(或者替代地，预定的)光波长谱中的光时，可从内部产生激子。所述激子在光电转换层30中被分离成空穴和电子，并且所分离的空穴被传输至作为第一电极10和第二电极20之一的阳极且所分离的电子被传输至作为第一电极10和第二电极20的另一个的阴极以使电流流动。下文中，描述根据一些实例实施方式的光电器件。图2为显示根据一些实例实施方式的光电器件的横截面图。参照图2，像一些实例实施方式一样，根据一些实例实施方式的光电器件200包括第一电极10和第二电极20以及设置在第一电极10与第二电极20之间的包括第一光电转换层31和第二光电转换层32的光电转换层30。第一电极10、第二电极20、和光电转换层30与以上描述的相同。然而，不同于一些实例实施方式，根据一些实例实施方式的光电器件200进一步在第一电极10与光电转换层30之间、以及在第二电极20与光电转换层30之间各自包括电荷辅助层40和45。如图2中所示，光电器件200可包括在如下的至少一个处的电荷辅助层(例如40、45)：在第一电极10与第一光电转换层31之间，或者在第二电极20与第二光电转换层32之间。这样的电荷辅助层(例如40、45)可配置成基本上不吸收在一种或多种特定的可见光波长谱中的光。电荷辅助层40和45可使在光电转换层30中分离的空穴和电子被容易地传输以改善效率。电荷辅助层40和45可包括选自如下的至少一个：用于促进空穴注入的空穴注入层、用于促进空穴传输的空穴传输层、用于减少和/或防止电子传输的电子阻挡层、用于促进电子注入的电子注入层、用于促进电子传输的电子传输层、和用于减少和/或防止空穴传输的空穴阻挡层。电荷辅助层40和45可包括例如有机材料、无机材料、或者有机/无机材料。所述有机材料可为具有空穴或电子注入、传输和/或阻挡特性的有机材料并且所述无机材料可为例如金属氧化物例如氧化钼、氧化钨、或氧化镍。所述空穴传输层(htl)可包括选自例如如下的一种：聚(3,4-亚乙基二氧噻吩):聚(磺苯乙烯)(pedot:pss)、多芳基胺、聚(n-乙烯基咔唑)、聚苯胺、聚吡咯、n,n,n',n'-四(4-甲氧基苯基)-联苯胺(tpd)、4,4′-双[n-(1-萘基)-n-苯基-氨基]联苯(α-npd)、m-mtdata、4,4′,4″-三(n-咔唑基)-三苯基胺(tcta)、及其组合，但是不限于此。所述电子阻挡层(ebl)可包括选自例如如下的一种：聚(3,4-亚乙基二氧噻吩):聚(磺苯乙烯)(pedot:pss)、多芳基胺、聚(n-乙烯基咔唑)、聚苯胺、聚吡咯、n,n,n',n'-四(4-甲氧基苯基)-联苯胺(tpd)、4,4′-双[n-(1-萘基)-n-苯基-氨基]联苯(α-npd)、m-mtdata、4,4′,4″-三(n-咔唑基)-三苯基胺(tcta)、及其组合，但是不限于此。所述电子传输层(etl)可包括选自例如如下的一种：1,4,5,8-萘-四羧酸二酐(ntcda)、浴铜灵(bcp)、lif、alq3、gaq3、inq3、znq2、zn(btz)2、bebq2、及其组合，但是不限于此。所述空穴阻挡层(hbl)可包括选自例如如下的一种：1,4,5,8-萘-四羧酸二酐(ntcda)、浴铜灵(bcp)、lif、alq3、gaq3、inq3、znq2、zn(btz)2、bebq2、及其组合，但是不限于此。电荷辅助层40和45的至少一个可基本上不吸收在可见光区域中的光并且可包括例如可见光非吸收性材料。所述可见光非吸收性材料可为例如基本上不吸收在可见光区域中的光的材料并且可为例如可见光非吸收性有机材料。所述可见光非吸收性材料可为例如电荷缓冲材料，例如空穴缓冲材料或电子缓冲材料，例如空穴注入材料、空穴传输材料、空穴阻挡材料、电子注入材料、电子传输材料、或电子阻挡材料。例如，所述可见光非吸收性材料可具有大于或等于约2.8ev例如大于或等于约3.0ev的能带隙。所述可见光非吸收性材料可具有例如约2.8ev-约4.0ev例如约3.0ev-约3.8ev的能带隙。例如，所述可见光非吸收性材料可具有例如约5.4ev-约5.8ev例如约5.50ev-约5.75ev的homo能级。本文中，homo能级指的是当真空能级为0ev时的homo能级的绝对值。例如，所述可见光非吸收性材料可为由化学式2a或2b表示的化合物，但是不限于此。[化学式2a][化学式2b]在化学式2a或2b中，m1和m2独立地为crnro、sirprq、nrr、o、s、se、或te，ar1b、ar2b、ar3b、和ar4b独立地为取代或未取代的c6-c30芳基或者取代或未取代的c3-c30杂芳基，g2和g3独立地为单键、-(crsrt)n3-、-o-、-s-、-se-、-n＝、-nru-、-sirvrw-、或-gerxry-，其中n3为1或2，和r30-r37和rn-ry独立地为氢、取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c3-c30杂环基团、取代或未取代的c1-c6烷氧基、卤素、或氰基。例如，所述可见光非吸收性材料可为由化学式2a-1或2b-1表示的化合物，但是不限于此。[化学式2a-1][化学式2b-1]在化学式2a-1或2b-1中，m1、m2、g2、g3、和r30-r37与以上描述的相同，和r38-r45独立地为氢、取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c3-c30杂芳基、取代或未取代的c1-c6烷氧基、卤素、或氰基。例如，所述可见光非吸收性材料可为由化学式2a-1a或2b-1a表示的化合物，但是不限于此。[化学式2a-1a][化学式2b-1a]在化学式2a-1a或2b-1a中，r38-r45以及ro和rn与以上描述的相同。电荷辅助层40和45的各自厚度可为例如约1nm-约20nm。可省略电荷辅助层40和45的任一个。所述光电器件可应用于图像传感器、光电探测器、光电传感器、和有机发光二极管(oled)等，但是不限于此。所述光电器件可例如应用于图像传感器。下文中，参照附图描述包括所述光电器件的图像传感器的实例。作为图像传感器的实例，描述有机cmos图像传感器。图3为根据一些实例实施方式的有机cmos图像传感器的示意性顶部俯视图，且图4为显示图3的有机cmos图像传感器的一个实例的横截面图。参照图3和4，根据一些实例实施方式的有机cmos图像传感器300包括集成有光感测器件50a和50b、传输晶体管(未示出)和电荷存储器55的半导体基板110，下部绝缘层60，滤色器层70，上部绝缘层80，和光电器件100。半导体基板110可为硅基板，并且集成有光感测器件50a和50b、所述传输晶体管(未示出)、和电荷存储器55。光感测器件50a和50b可为光电二极管。光感测器件50a和50b、所述传输晶体管、和/或电荷存储器55可集成在每个像素中，且如所述图中所示，光感测器件50a和50b可分别包括在蓝色像素和红色像素中并且电荷存储器55可包括在绿色像素中。光感测器件50a和50b感测光，由所述光感测器件感测的信息可通过所述传输晶体管传输，电荷存储器55电连接至将稍后描述的光电器件100，并且电荷存储器55的信息可通过所述传输晶体管传输。在半导体基板110上形成金属线(未示出)和焊盘(垫)(未示出)。为了减少信号延迟，所述金属线和焊盘可由具有低的电阻率的金属例如铝(al)、铜(cu)、银(ag)、及其合金制成，但不限于此。此外，其不限于所述结构，并且所述金属线和焊盘可设置在光感测器件50a和50b下面。下部绝缘层60形成于所述金属线和所述焊盘上。下部绝缘层60可由无机绝缘材料例如氧化硅和/或氮化硅，或者低介电常数(低k)材料例如sic、sicoh、sico、和siof制成。下部绝缘层60具有使电荷存储器55暴露的沟槽。所述沟槽可用填料填充。滤色器层70形成于下部绝缘层60上。滤色器层70包括形成于蓝色像素中的蓝色过滤器70a和形成于红色像素中的红色过滤器70b。在一些实例实施方式中，不包括绿色过滤器，但是可进一步包括绿色过滤器。上部绝缘层80形成于滤色器层70上。上部绝缘层80消除由滤色器层70引起的台阶并且使表面平滑。上部绝缘层80和下部绝缘层60可包括使焊盘暴露的接触孔(未示出)、和使绿色像素的电荷存储器55暴露的通孔85。光电器件100形成于上部绝缘层80上。如上所述，光电器件100包括第一电极10；包含第一光电转换层31和第二光电转换层32的光电转换层30；和第二电极20。在该图中，第一电极10、光电转换层30、和第二电极20是顺序地堆叠的(例如，所述元件之一“在”所述元件的另一个“上”)，但是本公开内容不限于此，且例如它们可以第二电极20、光电转换层30、和第一电极10的次序堆叠。如本文中所指的，“在”另外的元件“上”的一个元件可直接地或间接地在该另外的元件上、在该另外的元件上方或下面、其某组合、等等。第一电极10和第二电极20可两者都为光透射电极并且光电转换层30与以上描述的相同。光电转换层30可例如选择性地吸收在绿色光波长谱中的光并且可代替绿色像素的滤色器。从第二电极20进入的在绿色光波长谱中的光主要被光电转换层30吸收且被光电转换，并且在剩余光波长谱中的光被透射通过第一电极10且被光感测器件50a和50b感测。可进一步在光电器件100上形成聚焦透镜(未示出)。所述聚焦透镜可控制入射光的方向并且将所述光聚集在一个区域中。所述聚焦透镜可具有例如圆柱体或半球体的形状，但是不限于此。如上所述，光电器件100具有堆结构，由此图像传感器的尺寸可减小以实现小型化的图像传感器。此外，如上所述，所述图像传感器所需的光学性质、电性质、和耐热性质可通过包括包含具有所需的光学性质和电特性以及高的耐热性的光电转换层30的光电器件100而得以满足。图4示例性地显示堆叠图1的光电器件的结构，但是图2的光电器件可同样应用于其。图5为显示所述有机cmos图像传感器的另一实例的横截面图。像一些实例实施方式一样，根据一些实例实施方式的有机cmos图像传感器400包括集成有光感测器件50a和50b、传输晶体管(未示出)、和电荷存储器55的半导体基板110，具有通孔85的上部绝缘层80，和配置成选择性地吸收在绿色光波长谱中的光的光电器件100。然而，不同于一些实例实施方式，在根据一些实例实施方式的有机cmos图像传感器400中，光感测器件50a和50b是在竖直方向上堆叠的，并且省略滤色器层70。光感测器件50a和50b电连接至电荷存储器(未示出)并且其信息可通过所述传输晶体管传输。取决于堆叠深度，光感测器件50a和50b可选择性地吸收在各个光波长谱中的光。可进一步在光电器件100上形成聚焦透镜(未示出)。所述聚焦透镜可控制入射光的方向并且将所述光聚集在一个区域中。所述聚焦透镜可具有例如圆柱体或半球体的形状，但是不限于此。如上所述，所述配置成选择性地吸收在绿色光波长谱中的光的光电器件具有堆结构并且所述红色光感测器件和所述蓝色光感测器件被堆叠且因此图像传感器的尺寸可减小以实现小型化的图像传感器。图5示例性地显示堆叠图1的光电器件的结构，但是图2的光电器件可同样应用于其。图6为根据一些实例实施方式的有机cmos图像传感器的示意性顶部俯视图并且图7为图6的有机cmos图像传感器的横截面图。根据一些实例实施方式的有机cmos图像传感器500包括配置成选择性地吸收在绿色光波长谱中的光的绿色光电器件、配置成选择性地吸收在蓝色光波长谱中的光的蓝色光电器件、和配置成选择性地吸收在红色光波长谱中的光的红色光电器件，并且它们是堆叠的。根据一些实例实施方式的有机cmos图像传感器500包括半导体基板110、下部绝缘层60、中间绝缘层65、上部绝缘层80、第一光电器件100a、第二光电器件100b、和第三光电器件100c。半导体基板110可为硅基板，并且集成有传输晶体管(未示出)以及电荷存储器55a、55b、和55c。在半导体基板110上形成金属线(未示出)和焊盘(未示出)，并且下部绝缘层60形成于所述金属线和所述焊盘上。第一光电器件100a形成于下部绝缘层60上。第一光电器件100a包括彼此面对的第一电极10a和第二电极20a以及在第一电极10a与第二电极20a之间的光电转换层30a。第一电极10a、第二电极20a、和光电转换层30a与以上描述的相同并且光电转换层30a可选择性地吸收在红色、蓝色、和绿色光波长谱之一中的光。例如，第一光电器件100a可为红色光电器件。在所述图中，第一电极10a、光电转换层30a、和第二电极20a是顺序地堆叠的，但是本公开内容不限于此，并且例如它们可以第二电极20a、光电转换层30a、和第一电极10a的次序堆叠。中间绝缘层65形成于第一光电器件100a上。第二光电器件100b形成于中间绝缘层65上。第二光电器件100b包括彼此面对的第一电极10b和第二电极20b以及在第一电极10b与第二电极20b之间的光电转换层30b。第一电极10b、第二电极20b、和光电转换层30b可为以上描述的并且光电转换层30b可选择性地吸收在红色、蓝色、和绿色光波长谱之一中的光。例如，第二光电器件100b可为蓝色光电器件。在所述图中，第一电极10b、光电转换层30b、和第二电极20b是顺序地堆叠的，但是本公开内容不限于此，并且例如它们可以第二电极20b、光电转换层30b、和第一电极10b的次序堆叠。上部绝缘层80形成于第二光电器件100b上。下部绝缘层60、中间绝缘层65、和上部绝缘层80具有使电荷存储器55a、55b、和55c暴露的多个通孔。第三光电器件100c形成于上部绝缘层80上。第三光电器件100c包括彼此面对的第一电极10c和第二电极20c以及在第一电极10c与第二电极20c之间的光电转换层30c。第一电极10c、第二电极20c、和光电转换层30c与以上描述的相同并且光电转换层30c可选择性地吸收在红色、蓝色、和绿色光波长谱之一中的光。例如，第三光电器件100c可为绿色光电器件并且可应用图1的光电器件100。在所述图中，第一电极10c、光电转换层30c、和第二电极20c是顺序地堆叠的，但是本公开内容不限于此，并且例如它们可以第二电极20c、光电转换层30c、和第一电极10c的次序堆叠。可进一步在光电器件100c上形成聚焦透镜(未示出)。所述聚焦透镜可控制入射光的方向并且将所述光聚集在一个区域中。所述聚焦透镜可具有例如圆柱体或半球体的形状，但是不限于此。在所述图中，作为第一光电器件100a、第二光电器件100b、和第三光电器件100c，示例了图1的光电器件，但是可以相同的方式应用图2的光电器件。在所述图中，第一光电器件100a、第二光电器件100b、和第三光电器件100c是顺序地堆叠的，但是本公开内容不限于此，并且它们可以各种次序堆叠。如上所述，第一光电器件100a、第二光电器件100b、和第三光电器件100c具有堆结构，并且因此图像传感器的尺寸可减小以实现小型化的图像传感器。图8为显示根据一些实例实施方式的有机cmos图像传感器的示意性横截面图。如参照图8所显示的，有机cmos图像传感器800可包括在半导体基板110上的多个光电器件100a、100b、和100c，其中所述多个光电器件100a、100b、和100c分别配置成将蓝色光、绿色光、或红色光的不同光转换为电信号。如图8中进一步显示的，有机cmos图像传感器800可进一步包括红外/近红外光电器件100ir。参照图8，根据一些实例实施方式的有机cmos图像传感器800包括集成有第一电荷存储器55a、第二电荷存储器55b、第三电荷存储器55c、任选的红外光/近红外光电荷存储器55ir、和传输晶体管(未示出)的半导体基板110，中间绝缘层65，第一(例如蓝色)光电器件100a，第二(例如绿色)光电器件100b，第三(例如红色)光电器件100c，和任选的红外/近红外光电器件100ir。半导体基板110可为硅基板并且可集成有第一电荷存储器55a、第二电荷存储器55b、第三电荷存储器55c、任选的红外光/近红外光电荷存储器55ir、和传输晶体管(未示出)。第一电荷存储器55a、第二电荷存储器55a、和第三电荷存储器55c可分别集成在蓝色像素、绿色像素、和红色像素中。在第一光电器件100a、第二光电器件100b、和第三光电器件100c、和任选的红外/近红外光电器件100ir中被吸收的电荷被收集在分别与第一光电器件100a、第二光电器件100b、和第三光电器件100c、和任选的红外/近红外光电器件100ir电连接的第一电荷存储器55a、第二电荷存储器55a、和第三电荷存储器55c、和任选的红外光/近红外光电荷存储器55ir中。在半导体基板110上形成金属线(未示出)和焊盘(未示出)。为了减少信号延迟，所述金属线和焊盘可由具有低的电阻率的金属例如铝(al)、铜(cu)、银(ag)、及其合金制成，但是不限于此。中间绝缘层65可形成于所述金属线和焊盘上。中间绝缘层65可由无机绝缘材料例如氧化硅和/或氮化硅，或低介电常数(低k)材料例如sic、sicoh、sico、和siof制成。第一光电器件100a、第二光电器件100b、和第三光电器件100c、和红外/近红外光电器件100ir可形成于中间绝缘层65上。第一光电器件100a包括第一电极10a、第二电极20a、和选择性地吸收在第一(例如蓝色)光波长谱中的光的光电转换层30a，第二光电器件100b包括第一电极10b、第二电极20b和选择性地吸收在第二(例如绿色)光波长谱中的光的光电转换层30b，第三光电器件100c包括第一电极10c、第二电极20c、和选择性地吸收在第三(例如红色)光波长谱中的光的光电转换层30c，且红外/近红外光电器件100ir包括第一电极10ir、第二电极20ir、和选择性地吸收在红外/近红外光波长谱中的光的光电转换层30ir。第一电极10a、10b、10c、和10ir以及第二电极20a、20b、20c、和20ir可为光透射电极并且可由例如透明导体例如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化锡(sno2)、氧化铝锡(alto)、和氟掺杂的氧化锡(fto)制成，或者可为具有几纳米至几十纳米的薄的厚度的金属薄层或者用金属氧化物掺杂的具有几纳米至几十纳米的薄的厚度的金属薄层。光电转换层30a、30b、30c、和30ir可包括p型半导体材料和n型半导体材料。第一光电器件100a的光电转换层30a可包括选择性地吸收在第一(例如蓝色)光波长谱中的光的p型半导体材料和选择性地吸收在第一(例如蓝色)光波长谱中的光的n型半导体材料，第二光电器件100b的光电转换层30b可包括选择性地吸收在第二(例如绿色)光波长谱中的光的p型半导体材料和选择性地吸收在第二(例如绿色)光波长谱中的光的n型半导体材料，第三光电器件100c的光电转换层30c可包括选择性地吸收在第三(例如红色)光波长谱中的光的p型半导体材料和选择性地吸收在第三(例如红色)光波长谱中的光的n型半导体材料，且红外/近红外光电器件100ir的光电转换层30ir可包括选择性地吸收在红外光波长谱中的光的p型半导体材料和选择性地吸收在红外光波长谱中的光的n型半导体材料。红外/近红外光电器件100ir可选择性地吸收在大于或等于约700nm且小于或等于约1300nm的红外光波长谱中的光而在可见光波长谱中没有吸收。图9和10为根据一些实例实施方式的有机cmos图像传感器的示意性横截面图。参照图9，有机cmos图像传感器900包括集成有红外光/近红外光电荷存储器55ir、第一电荷存储器55a、第二电荷存储器55b、第三电荷存储器55c、和传输晶体管(未示出)的半导体基板110，中间绝缘层65，第一光电器件100a，第二光电器件100b，第三光电器件100c，和红外/近红外光电器件100ir。红外/近红外光电器件100ir形成于第一光电器件100a、第二光电器件100b、和第三光电器件100c的整个表面上。其它结构与图8的图像传感器相同。在图9的结构中，替代地，红外/近红外光电器件100ir可设置在中间绝缘层65上并且第一光电器件100a、第二光电器件100b、和第三光电器件100c可设置在其上。图10中示出了具有这样的结构的有机cmos图像传感器1000。红外/近红外光电器件100ir可选择性地吸收在大于或等于约700nm且小于或等于约1300nm的红外光波长谱中的光而在可见光波长谱中没有吸收并且由于大的吸收面积而可改善效率。图11a为根据一些实例实施方式的有机cmos图像传感器的示意性横截面图。参照图11a，根据一些实例实施方式的有机cmos图像传感器1100包括集成有光感测器件50a和50b、传输晶体管(未示出)和电荷存储器55的半导体基板110，绝缘层60，滤色器层70，和光电器件100。如图11a中所示，光电器件100可在半导体基板110与滤色器层70之间，使得滤色器层70与光电器件100相比远离光感测器件50a和50b。其它结构与图4的图像传感器相同。在一些实例实施方式中，滤色器层70可包括配置成过滤混合的光波长谱(例如混合的颜色)的滤色器。例如，在图11a中，滤色器70a可配置成过滤青色光并且滤色器70b可配置成过滤黄色光，而光电器件100可配置成除了感测绿色光之外还过滤绿色光，而光感测器件50a可配置成检测(“感测”)蓝色光并且光感测器件50b可配置成检测红色光。图11b为根据一些实例实施方式的有机cmos图像传感器的示意性横截面图。参照图11b，根据一些实例实施方式的有机cmos图像传感器1100包括集成有光感测器件50a和50b、传输晶体管(未示出)和电荷存储器55的半导体基板110，在半导体基板110上的下部绝缘层65、滤色器层70、和上部绝缘层88，和在半导体基板110下面的光电器件100。如图11b中所示，光电器件100可在半导体基板110下方，使得滤色器层70与光感测器件50a和50b相比远离光电器件100。其它结构与图4的图像传感器相同。图12为根据一些实例实施方式的有机cmos图像传感器的示意性横截面图。参照图12，有机cmos图像传感器1200包括集成有红外光/近红外光电荷存储器55ir、第一电荷存储器55a、第二电荷存储器55b、第三电荷存储器55c和传输晶体管(未示出)的半导体基板110；下部绝缘层65；上部绝缘层85；第一光电器件100a、第二光电器件100b、第三光电器件100c、红外/近红外光电器件100ir、第一(例如蓝色)过滤器70a、第二(例如绿色)过滤器70b、和第三(例如红色)过滤器70c。图13为根据一些实例实施方式的有机cmos图像传感器的示意性横截面图。参照图13，有机cmos图像传感器1300包括集成有红外光/近红外光电荷存储器55ir、第一电荷存储器55a、第二电荷存储器55b、第三电荷存储器55c和传输晶体管(未示出)的半导体基板110；下部绝缘层65；上部绝缘层85；第一光电器件100a、第二光电器件100b、第三光电器件100c、红外/近红外光电器件100ir、第一(例如蓝色)过滤器70a、第二(例如绿色)过滤器70b、和第三(例如红色)过滤器70c。图14为根据一些实例实施方式的有机cmos图像传感器的示意性横截面图。参照图14，有机cmos图像传感器1400包括集成有红外光/近红外光电荷存储器55ir、第一电荷存储器55a、第二电荷存储器55b、第三电荷存储器55c和传输晶体管(未示出)的半导体基板110；下部绝缘层65；第一(例如蓝色)过滤器70a；第二(例如红色)过滤器70b；上部绝缘层85a和85b；红外/近红外光电器件100ir；和另一(例如绿色)光电器件100c。图15为根据一些实例实施方式的有机cmos图像传感器的示意性横截面图。在图15的有机cmos图像传感器1500中，第一光感测器件50a(例如蓝色光电二极管)和第二光感测器件50b(例如红色光电二极管)是竖直地堆叠的，这不同于图14的有机cmos图像传感器1400。图16为根据一些实例实施方式的有机cmos图像传感器的示意性横截面图。参照图16，有机cmos图像传感器1600包括集成有红外光/近红外光电荷存储器55ir、第一电荷存储器55a、第二电荷存储器55b、第三电荷存储器55c和传输晶体管(未示出)的半导体基板110；下部绝缘层65；第一(例如蓝色)过滤器70a；第二(例如红色)过滤器70b；上部绝缘层85a、85b、和85c；红外/近红外光电器件100ir；和另一(例如绿色)光电器件100c。图17为根据一些实例实施方式的有机cmos图像传感器的示意性横截面图。在图17的图像传感器1700中，第一光感测器件50a和第二光感测器件50b是竖直地堆叠的，这不同于图16的有机cmos图像传感器1600。参照至少图3-17，图3-17中所示的图像传感器的任一个中包括的光电器件的一个或多个可为如本文中描述的光电器件的任意实例实施方式，包括包含如下的光电转换层的光电器件：所述光电转换层包括如关于本文中描述的任意实例实施方式所描述的任意p型半导体和任意n型半导体。所述光电器件和所述图像传感器可应用于多种电子设备例如移动电话或数码相机，但不限于此。图18为根据一些实例实施方式的电子设备1800的示意图。如图18中所示，电子设备1800可包括经由总线1810电连接在一起的处理器1820、存储器1830、和图像传感器1840。图像传感器1840可为如本文中描述的任意实例实施方式的图像传感器。可为非暂时性的计算机可读介质的存储器1830可存储指令程序。处理器1820可执行所存储的指令程序以履行一个或多个功能。例如，处理器1820可配置成处理由图像传感器1840产生的电信号。处理器1820可配置成基于处理所述电信号而产生输出(例如，待显示于显示接口上的图像)。下文中，参照实施例更详细地说明实施方式。然而，这些实施例是示例性的，并且本公开内容不限于此。合成实施例合成实施例1[化学式a-1][反应方案1](1-i)化合物(1)的合成以如下中描述的方法合成2-碘硒吩：efficientsynthesisof2-iodoand2-dicyanomethylderivativesofthiopehene,selenophene,telluropheneandthieno[3,2-b]thiophene,takahashi,k.；tarutani,s.heterocycles1996,43,1927-1935。(1-ii)10h-吩硒嗪从medigeninc.购买10h-吩硒嗪(纯度：98％或更大)。关于合成10h-吩硒嗪的方法的参考文献：preparationandsomereactionsofphenoxazineandphenoselenazine,paulettemller,n.p.buu-hiandr.rips,j.org.chem.,1959,241,pp37-39。(1-iii)化合物(2)(10-(硒吩-2-基)-10h-吩硒嗪)的合成将13.6g(52.8mmol)的2-碘硒吩和10.0g(40.6mmol)的10h-吩硒嗪在100ml无水甲苯中在5摩尔％的pd(dba)2、5摩尔％的p(tbu)3、和4.29g(44.7mmol)的naotbu存在下加热和回流2小时。将由其获得的产物通过硅胶柱层析法(甲苯:己烷的体积比＝1:4)分离和纯化以获得6.89g的10-(硒吩-2-基)-10h-吩硒嗪(产率：45.2％)。(1-iv)化合物(3)的合成在-15℃下将2.2ml的磷酰氯以逐滴方式添加在6.8ml的n,n-二甲基甲酰胺-d7中，并且将混合物在室温(24℃)下搅拌2小时。在-15℃下将所得物以逐滴方式缓慢地添加至180ml二氯甲烷和6.84g化合物(3)的混合物，并且将混合物在室温下搅拌30分钟且在减压下浓缩。随后，向其添加100ml水，向其添加氢氧化钠水溶液直至ph变成14，并且将所获得的混合物在室温(24℃)下搅拌2小时。将用乙酸乙酯萃取的有机层用氯化钠水溶液洗涤并且用无水硫酸镁干燥。将由其获得的产物通过硅胶柱层析法(己烷:二氯甲烷的体积比＝3:2)分离和纯化以获得5.16g化合物(3)(产率：66％)。(1-v)化合物a-1的合成将2.00g(4.96mmol)的化合物(3)悬浮于乙醇中，添加1.46g(7.44mmol)的1h-环戊二烯并[b]萘-1,3(2h)-二酮，并且使所得物在50℃下反应2小时以获得2.62g的由化学式a-1表示的化合物(产率：66％)。合成实施例2[化学式a-2][反应方案2]1.10-(硒吩-2-基)-10h-吩硒嗪的合成以与在合成实施例1中的化合物(2)(10-(硒吩-2-基)-10h-吩硒嗪)的合成中相同的方法合成10-(硒吩-2-基)-10h-吩硒嗪。2.化合物(3)(5-(10h-吩硒嗪-10-基)硒吩-2-甲醛)的合成在-15℃下将2.2ml磷酰氯以逐滴方式添加至6.8ml的n,n-二甲基甲酰胺中，并且将混合物在室温(24℃)下搅拌2小时。在-15℃下将所得物以逐滴方式缓慢地添加至180ml二氯甲烷和6.84g的10-(硒吩-2-基)-10h-吩硒嗪的混合物，并且将混合物在室温下搅拌30分钟且在减压下浓缩。随后，向其添加100ml水，向其添加氢氧化钠水溶液直至ph变成14，并且将所获得的混合物在室温(24℃)下搅拌2小时。将用乙酸乙酯萃取的有机层用氯化钠水溶液洗涤并且用无水硫酸镁干燥。将由其获得的产物通过硅胶柱层析法(己烷:二氯甲烷＝3:2体积比)分离和纯化以获得5.16g的5-(10h-吩硒嗪-10-基)硒吩-2-甲醛(产率：70％)。3.化合物a-2((z)-6-((5-(10h-吩硒嗪-10-基)硒吩-2-基)亚甲基)-5h-茚并[5,6-b]硒吩-5,7(6h)-二酮)的合成将2.5g(6.20mmol)的5-(10h-吩硒嗪-10-基)硒吩-2-甲醛和2.00g(8.06mmol)的5h-茚并[5,6-b]硒吩-5,7(6h)-二酮转移至250ml圆底烧瓶并且添加80ml乙醇且将所得物在60℃下搅拌4小时。随后，将所得物冷却至室温，向其添加150ml正己烷，并且将所获得的混合物搅拌30分钟。接着，将来自其的所得物用正己烷洗涤以获得粗产物。随后，将所述粗产物移到2l三角瓶中，向其添加450ml氯仿，并且将所获得的混合物在70℃下加热和搅拌以使产物溶解。然后，向其逐滴地缓慢添加700ml正己烷，并且将所获得的混合物冷却至室温且过滤以获得产物。重复该沉淀和纯化直至99.9％的纯度。当该纯化完成时，将来自其的产物在150℃下真空干燥2小时以除去残留的正己烷以获得3.02g的(z)-6-((5-(10h-吩硒嗪-10-基)硒吩-2-基)亚甲基)-5h-茚并[5,6-b]硒吩-5,7(6h)-二酮。在一些实例实施方式中，可将产物通过如下纯化：在150℃下烘烤大于或等于2小时以升华。产率为83％。合成实施例3[化学式a-3][反应方案3]化合物(1)的合成根据如下中描述的方法合成化合物(1)：heterocycles2008,75,11,2735-2744和pharmazie19843910,671-2。化合物(2)的合成以如下中描述的方法合成2-碘硒吩：efficientsynthesisof2-iodoand2-dicyanomethylderivativesofthiopehene,selenophene,telluropheneandthieno[3,2-b]thiophene,takahashi,k.；tarutani,s.heterocycles1996,43,1927-1935。化合物(3)的合成将1g(3.89mmol)的2-碘硒吩和0.74g(3.54mmol)的化合物(1)在6ml无水甲苯中在5摩尔％的pd(dba)2、5摩尔％的p(tbu)3、和0.37g(3.89mmol)的naotbu的存在下加热和回流2小时。将由其获得的产物通过硅胶柱层析法(体积比：甲苯:己烷＝1:4)分离和纯化以获得0.78g的化合物(3)(产率＝65％)。化合物(4)的合成在-15℃下将0.16ml磷酰氯以逐滴方式添加至0.5ml的n,n-二甲基甲酰胺，并且将混合物在室温(24℃)下搅拌2小时。在-15℃下将所得物以逐滴方式缓慢地添加至10ml二氯甲烷和0.46g(1.54mmol)的化合物(3)的混合物，并且将所获得的混合物在室温下搅拌30分钟且在减压下浓缩。随后，向其添加5ml水，向其添加氢氧化钠水溶液直至ph变成14，并且将所得混合物在室温(24℃)下搅拌2小时。将用乙酸乙酯萃取的有机层用氯化钠水溶液洗涤并且通过向其添加无水硫酸镁而干燥。将由其获得的产物通过硅胶柱层析法(己烷:二氯甲烷的体积比＝3:2)分离和纯化以获得0.48g的化合物(4)(产率：85％)。由化学式a-3表示的化合物(5)的合成将0.40g(1.09mmol)的化合物(4)悬浮于乙醇中，向其添加0.23g(1.3mmol)的根据j.pharmacol,1944,82,292,p.4417中描述的方法合成的1,3-二甲基-2-硫代巴比妥酸，并且使混合物在50℃下反应2小时以获得0.51g的由化学式a-3表示的化合物(5)(产率：95％)。将该化合物(5)升华和纯化直至99.5％的纯度。光电器件的制造实施例1通过在玻璃基板上溅射ito而形成150nm厚的阳极和通过在其上沉积由化学式a表示的化合物而形成5nm厚的电荷辅助层。随后，在所述电荷辅助层上，通过以1.3:1的体积比共沉积在合成实施例1中获得的由化学式a-1表示的化合物(第一p型半导体33)和c60(第一n型半导体35)而形成50nm厚的第一光电转换层。然后，通过以2:1的体积比共沉积在合成实施例3中获得的由化学式a-3表示的化合物(第二p型半导体37)和c60(第二n型半导体39)而形成50nm厚的第二光电转换层。然后，在所述第二光电转换层上，通过溅射ito而形成7nm厚的阴极。在所述阴极上，通过沉积氧化铝(al2o3)而形成50nm厚的抗反射层，并且使用玻璃板进行密封以制造光电器件。[化学式a]实施例2根据与实施例1相同的方法制造光电器件，除了如下之外：第一光电转换层具有30nm的厚度并且第二光电转换层具有70nm的厚度。实施例3根据与实施例1相同的方法制造光电器件，除了如下之外：第一光电转换层具有10nm的厚度并且第二光电转换层具有90nm的厚度。对比例1通过在玻璃基板上溅射ito而形成150nm厚的阳极和通过在其上沉积由化学式a表示的化合物而形成5nm厚的电荷辅助层。随后，在所述电荷辅助层上，通过以1.3:1的体积比共沉积在合成实施例1中获得的由化学式a-1表示的化合物(p型半导体)和c60(n型半导体)而形成100nm厚的单个光电转换层。然后，在所述光电转换层上，通过溅射ito而形成7nm厚的阴极。在所述阴极上，通过沉积氧化铝(al2o3)而形成50nm厚的抗反射层，并且使用玻璃板进行密封以制造光电器件。实施例4通过在玻璃基板上溅射ito而形成150nm厚的阳极和通过在其上沉积由化学式a表示的化合物而形成5nm厚的电荷辅助层。随后，在所述电荷辅助层上，通过以1:1的体积比共沉积在合成实施例2中获得的由化学式a-2表示的化合物(第一p型半导体)和c60(第一n型半导体)而形成50nm厚的第一光电转换层。然后，通过以2:1的体积比共沉积在合成实施例3中获得的由化学式a-3表示的化合物(第二p型半导体)和c60(第二n型半导体)而形成50nm厚的第二光电转换层。然后，在所述第二光电转换层上，通过溅射ito而形成7nm厚的阴极。在所述阴极上，通过沉积氧化铝(al2o3)而形成50nm厚的抗反射层，并且使用玻璃板进行密封以制造光电器件。实施例5根据与实施例4相同的方法制造光电器件，除了如下之外：第一光电转换层具有30nm的厚度并且第二光电转换层具有70nm的厚度。实施例6根据与实施例4相同的方法制造光电器件，除了如下之外：第一光电转换层具有10nm的厚度并且第二光电转换层具有90nm的厚度。对比例2通过在玻璃基板上溅射ito而形成150nm厚的阳极和通过在其上沉积由化学式a表示的化合物而形成5nm厚的电荷辅助层。随后，在所述电荷辅助层上，通过以1.1:1的体积比共沉积在合成实施例2中获得的由化学式a-2表示的化合物(p型半导体)和c60(n型半导体)而形成100nm厚的单个光电转换层。然后，在所述光电转换层上，通过溅射ito而形成7nm厚的阴极。在所述阴极上，通过沉积氧化铝(al2o3)而形成50nm厚的抗反射层，并且使用玻璃板进行密封以制造光电器件。对比例3通过在玻璃基板上溅射ito而形成150nm厚的阳极和通过在其上沉积由化学式a表示的化合物而形成5nm厚的电荷辅助层。随后，在所述电荷辅助层上，通过以2:1的体积比共沉积在合成实施例3中获得的由化学式a-3表示的化合物(p型半导体)和c60(n型半导体)而形成100nm厚的单个光电转换层。然后，在所述光电转换层上，通过溅射ito而形成7nm厚的阴极。在所述阴极上，通过沉积氧化铝(al2o3)而形成50nm厚的抗反射层，并且使用玻璃板进行密封以制造光电器件。评价i评价根据实施例1-6以及对比例1和2的光电器件的光学性质。结果示于表1和2中。(表1)λ最大(nm)fwhm(nm)实施例1550119实施例2545113实施例3545112对比例1550120对比例3535105(表2)λ最大(nm)fwhm(nm)实施例4540117实施例5540106实施例6535106对比例2540120对比例3535105参照表1，与根据对比例1的光电器件相比，根据实施例1-3的光电器件呈现出更窄的光吸收半宽度(fwhm)，并且由所述结果，与根据对比例1的光电器件相比，根据实施例1-3的光电器件具有更好的波长选择性。类似地，参照表2，与根据对比例2的光电器件相比，根据实施例4-6的光电器件呈现出更窄的光吸收半宽度(fwhm)，并且由所述结果，与根据对比例2的光电器件相比，根据实施例4-6的光电器件具有更好的波长选择性。另外，实施例1-3的光电器件中的第一光电转换层的峰值吸收波长λ最大1和光吸收fwhm分别与对比例1的光电器件的峰值吸收波长λ最大和光吸收fwhm相等。实施例4-6的光电器件中的第一光电转换层的峰值吸收波长λ最大1和光吸收fwhm分别与对比例2的光电器件的峰值吸收波长λ最大和光吸收fwhm相等。实施例1-6的光电器件中的第二光电转换层的峰值吸收波长λ最大2和光吸收fwhm分别与对比例3的光电器件的峰值吸收波长λ最大和光吸收fwhm相等。评价ii评价根据实施例1-6以及对比例1和2的光电器件的外量子效率(eqe)。外量子效率(eqe)是使用入射光子-电流转换效率(ipce)方法在3v下在峰值吸收波长(λ最大)处和在450nm的波长处评价的。结果示于表3和4中。(表3)λ最大(nm)eqeλ最大(％)eqe450nm(％)eqe最大/eqe450nm实施例155065173.82实施例254563163.94实施例354563173.71对比例155065203.25对比例353567173.94(表4)λ最大(nm)eqeλ最大(％)eqe450nm(％)eqe最大/eqe450nm实施例454065203.25实施例554063193.32实施例653563183.50对比例254067292.31对比例353567173.94参照表3，与根据对比例1的光电器件相比，根据实施例1-3的光电器件呈现出高的在峰值吸收波长处的外量子效率(λ最大)对在450nm的波长处的外量子效率的比率，并且由所述结果，与根据对比例1的光电器件相比，根据实施例1-3的光电器件具有更好的波长选择性。类似地，参照表4，与根据对比例2的光电器件相比，根据实施例4-6的光电器件呈现出高的在峰值吸收波长处的外量子效率(λ最大)对在450nm的波长处的外量子效率的比率，并且由所述结果，与根据对比例2的光电器件相比，根据实施例4-6的光电器件具有更好的波长选择性。评价iii评价根据实施例1-6以及对比例3的光电器件的耐热性质。耐热性质是通过在将根据实施例1-6和对比例3的光电器件在170℃下放置3小时之后外量子效率(eqe)的变化比率度量的。结果示于表5中。(表5)δeqe(％)实施例13.5实施例23.3实施例34实施例43.8实施例51.9实施例63.2对比例325参照表5，与根据对比例3的光电器件相比，根据实施例1-6的光电器件在将它们在高温下放置之后呈现出小的外量子效率变化，表明更高的耐热性。评价iv设计和制造具有图3和4中所示结构的包括根据实施例3和6以及对比例1和2的光电器件的图像传感器并且测量各图像传感器的光学串扰(c.t.)。所述光学串扰是通过如下评价的：将可见光光波长谱划分成大于或等于约400nm且小于约440nm(蓝色)、约520nm-560nm(绿色)、和大于约630nm且小于或等于约670nm的三个区域，然后，评价在各区域中其它光转换器件被多大程度地光学干扰。即，在绿色光波长谱中的光学串扰是通过当绿色光电器件在520nm-560nm的区域中的灵敏度曲线的积分为100时，蓝色光电器件和红色光电器件在520nm-560nm的区域中的灵敏度曲线的相对积分表示的。当光学串扰较小时，图像传感器的串扰降低并且在绿色光波长谱中的颜色混合减少。结果示于表6中。(表6)c.t(％)实施例312.3实施例612.0对比例120.2对比例215.0参照表6，与包括根据对比例1和2的光电器件的图像传感器相比，包括根据实施例3和6的光电器件的图像传感器呈现出更小的光学串扰。评价v设计和制造具有图3和4中所示结构的包括根据实施例3和6以及对比例1和3的光电器件的图像传感器并且测量各图像传感器的颜色差异(色差)。所述图像传感器的颜色差异是以如下方法评价的。对由所述图像传感器获得的rgb原始信号进行图像处理以减少与真实颜色的差异。所述图像处理包括使rgb原始信号的强度一致化的白平衡过程和减小在macbeth图表(24色)的实际颜色与由所述图像传感器获得的原色之间的颜色差异的颜色校正过程。所述颜色校正过程通过将由所述图像传感器测量的rgb原始信号通过颜色校正矩阵(ccm)转换而表达颜色，并且所述图像传感器的颜色特性可通过将所转换的颜色与macbeth图表的实际颜色的颜色差异进行数字化而评价。该颜色差异指示与macbeth图表中的实际颜色的差异，并且当该颜色差异较小时，颜色可较接近于实际颜色。结果示于表7中。(表7)颜色差异(δeab)实施例32.7实施例62.7对比例14.3对比例33.0参照表7，与包括根据对比例1和3的光电器件的图像传感器相比，包括根据实施例3和6的光电器件的图像传感器呈现出更小的颜色差异。由所述结果，预期，与包括根据对比例的光电器件的图像传感器相比，包括根据一些实例实施方式的光电器件的图像传感器将显示出改善的颜色再现性。虽然已经关于当前被认为是实践性的实例实施方式的至少一些的内容描述了本公开内容，但是将理解，本发明构思不限于所公开的实施方式，而是相反，意图涵盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种改动和等同布置。当前第1页12