技术特征：
技术总结
公开了一种半导体装置及其制造方法。所述方法包括：提供包括第一组和第二组的布局，所述第一组包括第一图案和第二图案，所述第二组包括第三图案和第四图案；检查所述布局中的桥接风险区；偏置所述第一图案和所述第三图案中的至少一个的一端；以及，通过使用所述布局的所述第一图案至所述第四图案分别形成第一导电图案至第四导电图案。所述第一图案和所述第三图案中的至少一个的所述一端与所述桥接风险区相邻。
技术研发人员：尹大豪;全大琁;崔宰荣
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2018.11.27
技术公布日：2019.06.11