技术特征：
技术总结
本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片、芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层，所述N型半导体层、所述有源层、所述P型半导体层和所述接触层依次层叠在所述衬底上；所述接触层包括依次层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层为P型掺杂的GaN层或者N型掺杂的GaN层，所述第二子层为Bi2O2Se薄膜。本发明通过采用P型掺杂的GaN层或者N型掺杂的GaN层与Bi2O2Se薄膜叠加形成接触层，Bi2O2Se薄膜内载流子的迁移率很高，可以有效提高接触层的电荷扩展能力，改善长晶质量差而导致的电流拥堵。
技术研发人员：郭炳磊;王群;葛永晖;吕蒙普;胡加辉;李鹏
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
技术研发日：2018.11.30
技术公布日：2019.04.19