晶圆载片台的制作方法

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种晶圆载片台。

背景技术：

半导体集成电路芯片制造过程中，化学机械抛光工艺(cmp)有着诸多应用。在化学机械抛光过程中晶圆装卸机构主要用于实现机械手与抛光执行工位之间的晶圆上下料过程。

现有的化学机械抛光过程中，晶圆装卸载过程不可避免的存在着液体及抛光废弃物。当液体存在于晶圆载片台及晶圆之间时，会存在较大的液体表面张力。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供种晶圆片载片台，以改善现有技术中存在液体存在于晶圆载片台及晶圆之间时，会存在较大的液体表面张力的技术问题。

本发明提供的一种晶圆载片台，包括：基盘和多个接触盘；

多个所述接触盘均匀分布在所述基盘的边沿，且所述接触盘位于所述基盘表面的上方，多个所述接触盘用于承载晶圆，以降低晶圆与载片台之间的表面张力。

进一步地，所述晶圆载片台还包括：挠曲调节盘；

所述挠曲调节盘设置在所述基盘的中心，多个所述接触盘沿所述挠曲调节盘的周向均匀分布，且所述挠曲调节盘的高度小于所述接触盘的高度。

进一步地，所述接触盘远离所述基盘的一端设置有过渡面和承载面；

所述过渡面设置在所述接触盘靠近所述基盘中心的一侧，所述承载面设置在所述接触盘远离所述基盘中心的一侧，并与所述过渡面连接。

进一步地，所述接触盘上还设有检测孔，所述检测孔设置在所述承载面上，且所述检测孔的延伸方向与所述接触盘的延伸方向相同，并贯穿所述接触盘。

进一步地，所述基盘上设置有多组流体喷射机构；

多组流体喷射机构均匀分布在所述基盘的中心和多个所述接触盘之间。

进一步地，每组所述流体喷射机构包括第一喷嘴、第二喷嘴和第三喷嘴；

所述基盘表面上设置有第一连接口、第二连接口和第三连接口，所述第一连接口、第二连接口和所述第三连接口分别用于和所述第一喷嘴、第二喷嘴和第三喷嘴连接。

进一步地，所述第二喷嘴的喷射范围为第一喷嘴和第三喷嘴喷射范围的2倍。

进一步地，沿所述基盘的边沿向所述基盘的中心的方向，所述基盘上表面逐渐升高。

进一步地，所述基盘表面设置有多个排水孔和用于与多个检测孔配合的多个通孔，所述通孔设置所述接触盘的下方。

进一步地，所述挠曲调节盘包括安装座和定位凸起；

所述定位凸起设置在所述安装座的中心，所述定位凸起远离所述安装座的一端设置有柔性抵接面，且所述柔性抵接面与所述定位凸起的侧面之间设置有过渡面。

本发明提供的一种晶圆载片台，包括：基盘和多个接触盘；多个所述接触盘均匀分布在所述基盘的边沿，且所述接触盘位于所述基盘表面的上方，多个所述接触盘用于承载晶圆，以降低晶圆与载片台之间的表面张力。采用上述的方案，在基盘表面上方设置有多个接触盘，且接触盘设置在基盘的边沿，晶圆放置在接触盘上，这样能够减晶圆与载片台的接触面积，继而降低晶圆和载片台之间的液体存有量，以使晶圆与载片台之间的表面张力减小，从而缓解现有技术中存在液体存在于晶圆载片台及晶圆之间时，会存在较大的液体表面张力的技术问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明提供的晶圆载片台的第一种实施方式的结构示意图；

图2为本发明提供的晶圆载片台的基盘的局部示意图；

图3为本发明提供的晶圆载片台的接触盘的结构示意图；

图4为本发明提供的晶圆载片台上挠曲调节盘的结构示意图；

图5为本发明提供的晶圆载片台的第二种实施方式的结构示意图。

图标：100-基盘；200-接触盘；300-挠曲调节盘；400-流体喷射机构；110-第一连接口；120-第二连接口；130-第三连接口；140-通孔；210-检测孔；220-过渡面；230-承载面；310-安装座；320-定位凸起；321-柔性抵接面；410-第一喷嘴；420-第二喷嘴；430-第三喷嘴。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

图1为本发明提供的晶圆载片台第一种实施方式的结构示意图；

如图1所示，本发明提供的一种晶圆载片台，包括：基盘100和多个接触盘200；

多个所述接触盘200均匀分布在所述基盘100的边沿，且所述接触盘200位于所述基盘100表面的上方，多个所述接触盘200用于承载晶圆，以降低晶圆与载片台之间的表面张力。

图5为本发明提供的晶圆载片台第二种实施方式的结构示意图。如图5所示，其中，接触盘200与基盘100之间可以为可拆卸连接，也可为一体成型设置。

本实施例中，在基盘100表面上方设置有多个接触盘200，且接触盘200设置在基盘100的边沿，晶圆设置在接触盘200上，这样能够减小晶圆与载片台的接触面积，继而降低晶圆和载片台之间的液体存有量，以使晶圆与载片台之间的表面张力减小，从而缓解现有技术中存在液体存在于晶圆载片台及晶圆之间时，会存在较大的液体表面张力的技术问题。

图4为本发明提供的晶圆载片台上挠曲调节盘的结构示意图；如图4所示，在上述实施例的基础上，进一步地，所述晶圆载片台还包括：挠曲调节盘300；

所述挠曲调节盘300设置在所述基盘100的中心，多个所述接触盘200沿所述挠曲调节盘300的周向均匀分布，且所述挠曲调节盘300的高度小于所述接触盘200的高度。

其中，挠曲调节盘300的高度小于接触盘200的高度2-3mm。

本实施例中，在将晶圆安装在接触盘200上时，晶圆的中心可能会产生挠曲变形，在晶圆产生挠曲变形时，位于载片台中部的挠曲调节盘300与周边接触盘200之间的高度差异，可以容许晶圆片产生可接受的变形。进而防止晶圆片产生破裂。

图3为本发明提供的晶圆载片台的接触盘的结构示意图；如图3所示，在上述实施例的基础上，进一步地，所述接触盘200远离所述基盘100的一端设置有过渡面220和承载面230；

所述过渡面220设置在所述接触盘200靠近所述基盘100中心的一侧，所述承载面230设置在所述接触盘200远离所述基盘100中心的一侧，并与所述过渡面220连接。

其中，过渡面220和承载面230之间平滑连接。

其中，承载面230上可涂有疏水材料，用于降低承载面230上液体残留的量。

本实施例中，承载面230用来与晶圆接触，且过渡面220的设置用于降低晶圆在与承载面230接触时晶圆被磨损或擦伤的情况发生。

图2为本发明提供的晶圆载片台的基盘的局部示意图；如图2所示，在上述实施例的基础上，进一步地，所述接触盘200上还设有检测孔210，所述检测孔210设置在所述承载面230上，且所述检测孔210的延伸方向与所述接触盘200的延伸方向相同，并贯穿所述接触盘200。

进一步地，所述基盘100表面设置有多个排水孔和用于与多个检测孔210配合的多个通孔140，所述通孔140设置所述接触盘200的下方。

本实施例中，在基础盘上设置有检测孔210，检测孔210用来检测承载面230上是否放置有晶圆，由于检测孔210贯穿接触盘200，并与接触盘200上的通孔140连通，通孔140与流体通路连接，流体通路连接正压源时，有晶圆片置于接触盘200上时，晶圆片本身的自重会导致相应的正压源产生压力变化，通过对比压力变化值与无晶圆片时的压力值可以判断，晶圆片是否完好的放置于接触盘200上。当流体通路连接负压源时，有晶圆片置于接触盘200上时，晶圆片本身会将晶圆在位检测孔210机械性的封堵，此时相应的负压源会产生压力变化。对比压力变化与无晶圆时的压力值，可以判断晶圆片是否完好的放置于接触盘200上，排水孔的设置能够使加快基盘100表面上液体的流速。

在上述实施例的基础上，进一步地，所述基盘100上设置有多组流体喷射机构400；

多组流体喷射机构400均匀分布在所述基盘100的中心和多个所述接触盘200之间。

本实施例中，流体喷射机构400的设置能够对保持环内部的固定装卸载表面进行清洗，同时为载片台表面提供一个湿润的环境，以避免载片台表面有工艺液体的结晶物析出。进而方便晶圆片的装卸载。既保证了载片台表面的清洁，同时有效的降低了晶圆在装卸过程可能产生的交叉污染。同时避免加工过程中可能形成的较大颗粒物，如抛光废弃物或工艺液体结晶物，在后续工艺过程中对晶圆片表面产生微观或宏观的表面刮伤。

在上述实施例的基础上，进一步地，每组所述流体喷射机构400包括第一喷嘴410、第二喷嘴420和第三喷嘴430；

所述基盘100表面上设置有第一连接口110、第二连接口120和第三连接口130，所述第一连接口110、第二连接口120和所述第三连接口130分别用于和所述第一喷嘴410、第二喷嘴420和第三喷嘴430连接。

进一步地，所述第二喷嘴420的喷射范围为第一喷嘴410和第三喷嘴430喷射范围的2倍。

本实施例中，第一连接口110、第二连接口120和第三连接口130分别连接相同的流体供应的管路，以保障连接在第一连接口110、第二连接口120和第三连接口130上的第一喷嘴410、第二喷嘴420和第三喷嘴430喷射出的流体的高度相同，且第二喷嘴420的喷射范围为第一喷嘴410和第三喷嘴430喷射范围的2倍，第一喷嘴410和第三喷嘴430的喷射范围相同，以保障保持环内部固定装卸表面能够被清洗干净。

在上述实施例的基础上，进一步地，沿所述基盘100的边沿向所述基盘100的中心的方向，所述基盘100上表面逐渐升高。

其中，基盘100表面包括有最低表面、次低表面和最高表面，第一连接口110、第二连接口120和第三连接口130分别设置在最低表面、次低表面和最高表面上，最低表面、次低表面和最高表面沿基盘100的边沿向基盘100的中心依次设置，用于提高基盘表面液体排出的速度。

本实施例中，基盘100的设置方式，能够有利与基盘100表面上的液体快速的排出，防止基盘100上表面有抛光液的结晶产生。

在上述实施例的基础上，进一步地，所述挠曲调节盘300包括安装座310和定位凸起320；

所述定位凸起320设置在所述安装座310的中心，所述定位凸起320远离所述安装座310的一端设置有柔性抵接面321，且所述柔性抵接面321与所述定位凸起320的侧面之间设置有过渡面220。

本实施例中，安装座310设置在基盘100的中心，且定位凸起320设置在安装座310上，在定位凸起320上设置有柔性抵接面321，柔性抵接面321的设置能够使定位凸起320与晶圆接触时，降低晶圆受损的机率。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。