技术特征：
技术总结
本发明公开了一种RC‑IGBT器件。所述RC‑IGBT器件的介质层与栅极层之间设有第一栅极氧化层；栅极层与所述P阱区之间设有第二栅极氧化层；P阱区的两侧设有P型重掺杂区；P阱区的底部设有载流子存储层；载流子存储层设于所述漂移区内；漂移区的底部，由下往上依次设有集电极、集电区以及截止区；第一截止区设于第一集电区的上部，第二截止区设于第二集电区的上部，由第一集电区的竖直端隔离第一截止区以及第二截止区；第一集电区与第二集电区相接触。采用本发明所提供的RC‑IGBT器件能够有效抑制负阻现象的发生。
技术研发人员：张海泉;张碧莹;黄丹丹;崔晓;李建国;朱大磊;赵高;滕达
受保护的技术使用者：郑州师范学院
技术研发日：2018.12.25
技术公布日：2019.05.03