技术特征：
技术总结
本发明公开了一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：在衬底基板上形成栅极、栅极绝缘层、有源层、金属层和光刻胶层；基于单缝隙掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，并图形化所述金属层和所述有源层；去除沟道区域的光刻胶，以在所述沟道区域内露出所述金属层；通过干蚀刻图形化所述金属层和所述有源层，形成阵列基板。本发明还公开了一种阵列基板的制备装置以及显示面板。本发明通过实现在防止形成的薄膜晶体管沟道宽度过大的同时，亦能防止沟道区域内的硅层剩余厚度偏大，从而提高了薄膜晶体管阵列基板的稳定性。
技术研发人员：卓恩宗;张合静;杨凤云
受保护的技术使用者：惠科股份有限公司
技术研发日：2018.12.25
技术公布日：2019.05.21