技术特征：
技术总结
本申请提出一种半导体器件制造方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括N个半导体结构，所述半导体结构包括半导体层和位于所述半导体层上的源极和漏极；在第一半导体结构上的源极和漏极之间形成第一栅极；在晶圆上形成第一介质层，并在第二半导体结构的源极和漏极之间的第一介质层上形成第二栅极；在晶圆上形成第二介质层，并在第三半导体结构的源极和漏极之间的第二介质层上形成第三栅极；依此类推，在所述晶圆上形成第N介质层，并在第N+1半导体结构的源极和漏极之间的第N介质层上形成第N+1栅极，其中，所述N为大于1的正整数。本申请所提出的半导体器件及其制造方法，通过在器件中形成不同厚度的介质层从而提高其线性度。
技术研发人员：范谦;倪贤锋;何伟
受保护的技术使用者：苏州汉骅半导体有限公司
技术研发日：2018.12.30
技术公布日：2019.05.07