STI的填充方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种STI填充方法，是在晶圆上进行STI的填充，在填充的过程中，通过减少氮化物的刻蚀时间，增加填充过程中刻蚀的次数，使氮化物和氧化物的侧面在同一层面上，不形成台阶，避免后续填充过程中台阶处形成空洞，以及减少STI的填充次数，降低对STI侧壁的损伤，同时保证STI具备较大的开口，来提高对STI的填充能力。

技术研发人员：赵冬兰;王明
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
技术研发日：2018.12.29
技术公布日：2019.05.03