技术特征：
技术总结
一种绝缘栅双极性晶体管器件及其制备方法，本发明涉及于功率半导体器件，为解决在不影响IGBT其他性能指标的基础上减小IGBT制造过程中因沟槽应力导致的晶圆翘曲问题，本发明提供一种如下的技术方案：对器件沟槽排布的密度和区域进行优化设计。本发明可以减小IGBT制造时因沟槽应力导致的晶圆翘曲问题，提升IGBT芯片的产品良率，并增强IGBT的抗闩锁能力，使得IGBT更加坚固耐用。
技术研发人员：单建安;冯浩;袁嵩
受保护的技术使用者：中山汉臣电子科技有限公司
技术研发日：2018.12.29
技术公布日：2019.05.03