带有多个维度支点的电容器金属支架和电容器的制作方法

本实用新型涉及电容器技术领域，具体涉及带有多个维度支点的电容器金属支架和电容器。

背景技术：

陶瓷介质是MLCC主要组成部分，电压作用下，电致伸缩不可避免。如电致伸缩强烈表现为压电效应，则产生机械应力，发生形变。

目前针对MLCC的压电效应现象，采用金属支架把MLCC芯片架空，使MLCC与PCB板隔空，把逆压电效应产生形变通过金属支架弹性缓冲，减少对PCB板的作用，有效的降低噪声。

但传统金属支架多叠层并联芯片与金属极板的连接支撑，仅凭高温焊锡作为支撑连接是不够的。PCB板焊接过程中及急剧变化的高温热浪冲击均会出现芯片滑移现象。

技术实现要素：

针对上述问题中存在的不足之处，本实用新型提供带有多个维度支点的电容器金属支架和电容器。

本实用新型公开了一种带有多个维度支点的电容器金属支架，包括：用于支撑电容器芯片的左金属支架和右金属支架，所述左金属支架与右金属支架的结构一致；

所述左金属支架的下部设有所述电容器芯片的引脚，所述左金属支架的中下部设有多个用于承载所述电容器芯片的支撑弯角，所述左金属支架的中上部设有多个用于所述电容器芯片散热的透热孔，所述左金属支架的上部设有用于定位所述电容器芯片上端面的上定位板，所述左金属支架的两侧边设有用于定位所述电容器芯片前后端面的定位弯角。

作为本实用新型的进一步改进，所述左金属支架或右金属支架的引脚数量与所述电容器芯片的芯片数量一致。

作为本实用新型的进一步改进，所述左金属支架或右金属支架的引脚、支撑弯角、上定位板和定位弯角为一体式结构。

本实用新型还提供一种电容器，包括：电容器芯片和电容器金属支架；

所述电容器芯片置于所述左金属支架与右金属支架之间，所述电容器芯片的上端面通过所述上定位板定位，所述电容器芯片的下端面通过所述支撑弯角支撑，所述电容器芯片的前后端面通过所述定位弯角定位。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：

本实用新型通过金属支架的支撑弯角、上定位板和定位弯角实现对电容器芯片的多维度定位，降低对组装工装精度要求；

本实用新型通过多次组装多维度金属支架，完全杜绝焊接过程中歪片、引脚共面性、芯片滑移的问题，相应提高物理架构可靠性；

本实用新型的金属支架结构可靠性强，操作简单，使用方便。

附图说明

图1为本实用新型一种实施例公开的带有多个维度支点的电容器金属支架中左金属支架或右金属支架结构图；

图2为图1中左金属支架或右金属支架切割后的板状结构图；

图3为图1中左金属支架或右金属支架折弯形成的折弯模具图；

图4为本实用新型一种实施例公开的电容器结构图。

图中：

10、左金属支架；11、引脚；12、支撑弯角；13、透热孔；14、上定位板；15、定位弯角；20、右金属支架；30、电容器芯片；40、折弯模具；41、引脚折弯位；42、支撑弯角折弯位；43、上定位板折弯位；44、定位弯角折弯位。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本实用新型的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

下面结合附图对本实用新型做进一步的详细描述：

本实用新型主要用于解决支架产品组装及焊接后出现共面性不一致、歪片、PCB板焊接过程中芯片滑移(存在可靠性问题)等一系列问题。为此，本实用新型通过加固金属支架与芯片4个维度支撑定位，改变单点支撑连接，使支架与芯片呈多维度支撑连接，不在依托传统焊锡单点支撑连接。

如图1、4所示，本实用新型提供一种带有多个维度支点的电容器金属支架，金属支架为支架电容器的金属极板，其包括：用于支撑电容器芯片(陶瓷芯组件)30左侧和右侧的左金属支架10和右金属支架20，左金属支架10与右金属支架20的结构一致，现以左金属支架10为例，对左金属支架10的结构进行详细阐述。

本实用新型的左金属支架10包括引脚11、支撑弯角12、上定位板14和定位弯角15，引脚11、支撑弯角12、上定位板14和定位弯角15为一体式结构。本实用新型的左金属支架10的下部设有电容器芯片30的引脚11，引脚11用于焊接在PCB板上，左金属支架10或右金属支架20的引脚11数量与电容器芯片30的芯片数量一致；例如：当电容器芯片30的陶瓷芯片数量为5个时，左金属支架10和右金属支架20的引脚11均为5个。

本实用新型左金属支架10的中下部设有多个用于承载电容器芯片30的支撑弯角12，支撑弯角12用于支撑电容器芯片30中所有芯片并实现对电容器芯片30下端面的定位；例如，当电容器芯片30的芯片数量为5个时，支撑弯角12可设置成如图1所示的4个支撑弯角12，每个支撑弯角12支撑在相邻芯片的连接处；或者，可设置成5个支撑弯角12，每个支撑弯角12支撑一个芯片。

本实用新型根据叠层电容器芯片30的重量比，通过激光精准切割不同比例的支撑弯角12，使支撑弯角12达到承重均匀。

例如：极板两侧跨度6mm，设计最大荷载5g/mm²的支撑弯角，叠层芯片重量3g，支撑弯角支数为10，支撑弯角总面积为0.64/mm²，则按公式计算：

反力＝3g/2＝1.5g，小于(5*6/2＝15g)

挠度＝3*6³/48EI＝13.5/EI，小于(10*5*6³/48EI＝225/EI)

最大静压强＝3/0.64＝4.68g/mm²，小于5g/mm²

可放心安装。

本实用新型左金属支架10的中上部设有多个用于电容器芯片30散热的透热孔13；设计时，通过叠层电容器芯片的排列顺序，切割出对等透热孔13，使组装高温焊接中焊锡能够熔融均匀，同时也有助于电容器芯片自然散热功能。例如，当电容器芯片30的芯片数量为5个时，透热孔13开设在成如图1所示的位置；当上定位板折弯后，部分透热孔13设置在上定位板14上。

本实用新型左金属支架10的上部设有用于定位电容器芯片30上端面的上定位板14，上定位板14与电容器芯片30的上端面之间留有间隙，该间隙用于适应逆压电效应产生的变形。本实用新型左金属支架10的两侧边设有用于定位电容器芯片30前后端面的定位弯角31，每一侧边上定位弯角31的数量为2个，其分别设置在侧边的上下位置；本实用新型可根据叠层芯片尺寸，调节两侧的定位弯角15，使叠层芯片均等排列。

本实用新型的一种带有多个维度支点的电容器金属支架在生产时，先根据电容器芯片的尺寸、数量等参数要求，通过激光切割出图2所示的板材结构；并根据图2所示的板材对应设计图3所示的折弯模具40；然后将图2所示的板材定位在图3所示的折弯模具40上，板材上对应的引脚、支撑弯角、上定位板和定位弯角通过折弯模具40上对应的引脚折弯位41、支撑弯角折弯位42、上定位板折弯位43和定位弯角折弯位44弯折成图1所示的左金属支架10结构。

如图4所示，本实用新型还提供一种金属支架电容器，包括左金属支架10、右金属支架20和电容器芯片30；其中：

电容器芯片30置于左金属支架10与右金属支架20之间，通过左金属支架10与右金属支架20实现对电容器芯片30左右端面的定位；电容器芯片30的上端面通过上定位板14定位，电容器芯片30的下端面通过支撑弯角12支撑，电容器芯片30的前后端面通过定位弯角15定位。

本实用新型的电容器在生产时，先将左金属支架10与电容器芯片30左端面对应的面上涂上锡膏，然后将电容器芯片30依次层叠排列并定位在左金属支架10；然后将右金属支架20与电容器芯片30右端面对应的面上涂上锡膏，将右金属支架20套在电容器芯片30的右端；定位完成后，通过卡簧固定左金属支架10、右金属支架20和电容器芯片30，将左金属支架10、右金属支架20与电容器芯片30进行高温锡焊连接；最后将引脚连接在PCB板上。

本实用新型通过金属支架的支撑弯角、上定位板和定位弯角实现对电容器芯片的多维度定位，降低对组装工装精度要求；本实用新型通过多次组装多维度金属支架，完全杜绝焊接过程中歪片、引脚共面性、芯片滑移的问题，相应提高物理架构可靠性；本实用新型的金属支架结构可靠性强，操作简单，使用方便。

以上仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。