一种可阵列式激光器的制作方法

文档序号:15598193发布日期:2018-10-02 19:50阅读:951来源:国知局
技术简介:
本专利针对传统激光器工艺复杂、光效低、输出功率受限及光束质量差的问题,提出一种可阵列式激光器。通过透镜与框体一体成型设计,采用银胶固化连接和绝缘层隔离正负极,优化光路结构并减少纳米颗粒加工环节,显著提升光利用率和输出能量,实现高光束质量与低成本制造。
关键词:可阵列激光器,高光效透镜

本实用新型涉及激光技术领域,尤其是一种可阵列式激光器。



背景技术:

现有激光器传统工艺都是,器件封装完成后,再装激光器透镜,工艺过程多,且光效低,透镜经过纳米颗粒加工而成。

当前,传统地制造的光电换能器通常包括发光器件(例如构造成激光 器阵列的垂直腔表面发射激光器(VCSEL))以及光检测器件(例如构造成光电二极管(PD)阵列的光电二极管)。

在半导体激光器领域,根据发光方向与激光芯片所在外延片平面的关系,激光器 可划分为垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser,简称VCSEL) 与边发射半导体激光器(Edge Emitting Laser Diode)两类。其中,垂直腔面发射激光器的 发光方向垂直于外延片方向,从反应区的顶面射出,而边发射半导体激光器的发光方向平 行于外延片方向,从反应区的边缘射出。与边发射半导体激光器相比,VCSEL发射的光线更容易汇聚,并且在远场目标物上能量分布均匀,从而实现高功率的发射。

同时,现有的激光器的不足之处在于:一是激光器内采用了半导体可饱和吸收镜(SESAM)和小芯径单模光纤作为锁模元件和模式过滤器,由于半导体可饱和吸收镜(SESAM)和小芯径单模光纤具有低的能量损伤阈值以及半导体可饱和吸收镜(SESAM)低的热导率限制了激光器的输出功率和能量进一步提高;二是采用平面高反镜阵列作为光路延时器降低重复频率,使激光器内输出光的光束质量变差,从而影响了其稳定性和应用范围。



技术实现要素:

本实用新型的目的在于,提供一种输出能量高、光束质量好、工序简单和成本较低的可阵列式激光器。

本实用新型的目的是采用以下技术方案来实现的:

一种可阵列式激光器,包括:

管芯,所述管芯分为正极和负极,所述管芯周围灌注有硅胶,所述管芯上部开设有出光窗口;

框体,所述硅胶被所述框体包裹,所述出光窗口连通所述框体,所述框体与透镜一体成型,所述透镜位于所述管芯上方,所述透镜与所述管芯之间通过银胶固化连接,所述框体下表面的两侧分别设有不规则形状的侧边金属框,其中一所述侧边金属框底端为正极,另一所述侧边金属框底端为负极,所述管芯连接到激光器对外输出的侧边金属框的正极上,所述激光器对外输出的侧边金属框的负极连接有焊盘,所述管芯与所述焊盘通过金丝连接;

绝缘层,所述绝缘层位于所述管芯和右侧所述侧边金属框之间,所述绝缘层用于分割两侧边金属框,使侧边金属框的正极和负极隔离。

在本具体实施例中,所述透镜包括第一透镜、双色镜、第一平面高反镜及第二平面高反镜,光通过所述第一透镜准直输出后,再由所述双色镜、第一平面高反镜和第二平面高反镜依次反射后,水平入射到激光器内,所述双色镜、所述第一平面高反镜的入射光与反射光之间的夹角均为90°,所述第二平面高反镜的入射光与反射光之间的夹角介于0°-90°之间。

在本具体实施例中,所述焊盘包含正极和负极,所述金丝接连于所述焊盘的负极和所述管芯的负极。

在本具体实施例中,所述管芯包括从上到下依次设置的芯片层、金银合成膏层以及硅热沉层。

在本具体实施例中,所述芯片层、金银合成膏层横截面的长度相同,所述所述芯片层、金银合成膏层横截面的长度小于所述硅热沉层横截面的长度。

在本具体实施例中,所述激光器呈矩阵排列。

在本具体实施例中,所述激光器为垂直腔面发射激光器(vcsel)。

本实用新型的有益效果为:1、通过透镜与框体一体成型,将可阵列式激光器管芯正极直接贴靠在透镜上,透镜不是经过纳米颗粒加工而成,大大提高了光的利用率,提高了光效,且减少了工序,优化了工艺,降低了成本,此产品既可单个使用,又可阵列应用;

2、利用透镜的结构提高输出能量,克服了现有技术的缺点,使得本实用新型具有高输出光束质量的优点。

上述说明仅是本实用新型技术方案的概述,为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本实用新型的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举较佳实施例,并配合附图,详细说明如下。

附图说明

图1是本实用新型激光器的结构示意图;

图2是本实用新型管芯的结构示意图;

图3是本实用新型透镜的结构示意图;

图4是本实用新型的阵列示意图。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型,下面将参照相关附图1-4对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳实施方式。但是,本实用新型可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施方式。相反地,提供这些实施方式的目的是使对本实用新型的公开内容理解的更加透彻全面。

除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的,不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

请参阅附图1-4,一种可阵列式激光器,所述激光器为垂直腔面发射激光器(vcsel),具有体积小、圆形输出光斑、单纵模输出、阈值电流小、价格低廉、易集成为大面积阵列等优点,广泛应用与光通信、光互连、光存储等领域。包括:

管芯1,管芯1分为正极和负极,管芯1周围灌注有硅胶2,管芯1上部开设有出光窗口21,具体地,管芯1包括从上到下依次设置的芯片层11、金银合成膏层12以及硅热沉层13。

在本具体实施例中,所述芯片层11、金银合成膏层12横截面的长度相同,芯片层11、金银合成膏层12横截面的长度小于硅热沉层13横截面的长度。当然,也不限于本实用新型中的长度。

进一步地,可阵列式激光器包括框体3,硅胶被框体3包裹,所述出光窗口21连通框体3。具体地,管芯1的激光束通过出光窗口21将光通过与框体一体成型的透镜发射出去。通过透镜3与框体3一体成型,将可阵列式激光器管芯1正极直接贴靠在透镜3上,透镜3不是经过纳米颗粒加工而成,大大提高了光的利用率,提高了光效,且减少了工序,优化了工艺,降低了成本,此产品既可单个使用,又可阵列应用。

进一步地,所述透镜3位于管芯1上方,透镜3与管芯1之间通过银胶32固化连接,管芯1粘结温度为200±5℃。框体3下表面的两侧分别设有不规则形状的侧边金属框31,其中一侧边金属框31底端为正极,另一侧边金属框31底端为负极,管芯1连接到激光器对外输出的侧边金属框31的正极上,激光器对外输出的侧边金属框31的负极连接有焊盘,管芯1与焊盘4通过金丝5连接;焊盘4包含正极和负极,金5丝接连于焊盘4的负极和管芯1的负极。

进一步地,可阵列式激光器包括绝缘层6,所述绝缘层6用于分割两侧边金属框31,使侧边金属框31的正极和负极隔离。

在本具体实施例中,所述透镜3包括第一透镜31、双色镜32、第一平面高反镜33及第二平面高反镜34,光通过所述第一透镜31准直输出后,再由双色镜32、第一平面高反镜33和第二平面高反镜34依次反射后,水平入射到激光器内,双色镜32、第一平面高反镜33的入射光与反射光之间的夹角均为90°,第二平面高反镜34的入射光与反射光之间的夹角介于0°-90°之间。

本实用新型通过合理设置第一透镜31、双色镜32、第一平面高反镜33及第二平面高反镜34之间的距离L、以及第一透镜31、双色镜32、第一平面高反镜33及第二平面高反镜34的曲率半径使得激光器的q值为1(q=1),使输入激光器的光斑直径与输出激光器的光斑直径相等;所述第一透镜31、双色镜32、第一平面高反镜33及第二平面高反镜34的距离L以及第一透镜31、双色镜32、第一平面高反镜33及第二平面高反镜34的曲率半径R符合以下公式条件:

其中, R代表所述曲率半径,L代表第一透镜31、双色镜32、第一平面高反镜33及第二平面高反镜34之间的距离,n代表光线在激光器内的往返次数(即光斑的个数),m代表光绕光轴旋转角度,n、m均为整数。

如此一来,利用透镜3的结构提高输出能量,克服了现有技术的缺点,使得本实用新型具有高输出光束质量的优点。

在本具体实施例中,所述激光器呈矩阵排列,当然也可根据需求单个出现。

在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“内”、“上部”、“中部”、“侧面”、“上”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的单元或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

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