移相器馈电网络腔体结构的制作方法

文档序号:15899832发布日期:2018-11-09 21:35阅读:来源:国知局

技术特征:

1.移相器馈电网络腔体结构,其特征在于:包括电镀镶件和整体表面未电镀的腔体,所述的腔体和电镀镶件为分别一体成型的独立结构,在电镀镶件的表面设有用于锡焊连接的电镀层,腔体的其中一个外侧面与电镀镶件的底端面均为平面结构,且电镀镶件的底端面与腔体的该侧面通过激光焊接进行连接,电镀镶件的顶端面开设有用于与同轴电缆的外导体屏蔽层通过焊接进行连接的走线槽。

2.根据权利要求1所述的移相器馈电网络腔体结构,其特征在于:腔体内至少设有两个相互独立的射频传输腔。

3.根据权利要求1所述的移相器馈电网络腔体结构,其特征在于:走线槽贯通电镀镶件的相对设置的两端,且走线槽的两侧为固定同轴电缆的卡台,走线槽的槽底设有与对应的射频传输腔连通且供同轴电缆的内导体进入射频传输腔内部的安装孔。

4.根据权利要求1所述的移相器馈电网络腔体结构,其特征在于:电镀镶件设在腔体至少一个外侧面上,以与所述腔体共同固定同轴电缆。

5.根据权利要求1所述的移相器馈电网络腔体结构,其特征在于:每个电镀镶件上至少设有相对设置的两个走线槽,且相邻走线槽之间具有间隔。

6.根据权利要求1所述的移相器馈电网络腔体结构,其特征在于:腔体上对应每个电镀镶件的部位设有一个焊接孔。

7.根据权利要求1所述的移相器馈电网络腔体结构,其特征在于:走线槽的槽底为弧形结构。

8.根据权利要求7所述的移相器馈电网络腔体结构,其特征在于:走线槽的槽底为半圆弧形结构,且该半圆弧形结构的直径不小于同轴电缆的外导体屏蔽层的直径。

9.根据权利要求1所述的移相器馈电网络腔体结构,其特征在于:电镀镶件呈方体结构。

10.根据权利要求1所述的移相器馈电网络腔体结构,其特征在于:电镀镶件的底端面未超出与其连接的腔体的外侧面的范围。

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