一种带凹坑的波导低通谐波抑制器的制作方法

本实用新型涉及一种微波器件,具体地说，是涉及一类紧凑型高功率谐波抑制滤波器。

背景技术：

由于电磁兼容国际国内标准实施的日益强化，通信和军事电子系统的谐波抑制日益成为一个关键技术问题。华夫模(Waffle Iron)波导低通滤波器具有低插损、高功率容量和宽阻带特性，是大功率通信系统和中远程雷达中谐波抑制的主要选择。传统的华夫模波导低通滤波器由上下对称的沿横向和纵向周期排列的金属柱阵列构成。为了加深其谐波抑制深度和展宽其阻带宽度，需要减小上下对应的金属柱之间的间隙，从而导致滤波器的功率容量的急剧下降。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种紧凑型一种带凹坑的波导低通谐波抑制器，在加深其阻带抑制深度、展宽其阻带带宽的同时，提高谐波抑制滤波器的功率容量。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：

一种带凹坑的波导低通谐波抑制器，包括谐振腔，输入输出波导和横向2排或以上，纵向2列或以上的只在底部与所述谐振腔连接的金属柱A；在所述谐振腔的顶部与所述金属柱A对应设置有一个金属凹坑，所述金属柱A为矩形体，与所述金属柱A对应有两根矩形金属柱B，所述金属柱A嵌入所述与之对应的两根所述矩形金属柱B之间。

带凹坑的波导低通谐波抑制器还包括与金属柱A相对应的只在顶部与所述谐振腔连接的金属柱B；金属柱B的横截面与所述金属柱 A的横截面不同。为了进一步增大金属柱A与谐振腔的上表面之间的电容，在所述谐振腔的顶部与金属柱A对应设置有一个金属凹坑；金属柱A嵌入与之对应设置的所述金属凹坑内。这种设计可以在不减小对应的金属柱A和金属柱B之间的间隙，因而不显著降低器件的功率容量的条件下，有效地增大对应的金属柱A和金属柱B之间的电容，从而加深滤波器的阻带抑制深度并展开滤波器的阻带带宽。

为了更好的实现发明目的，本实用新型还具有以下更优的技术方案：

在一些实施方式中，所述金属柱A为圆柱体，所述金属柱B为金属筒；所述金属柱A嵌入所述金属柱B内部。

在一些实施方式中，所述金属柱A为矩形体与所述金属柱A对应有两根矩形金属柱B；所述金属柱A嵌入与之对应的两根所述矩形金属柱B之间。

本实用新型利用上下不同的金属柱和金属凹坑结构，在不减小上下导体之间的间隙的前提下，有效地增大上下导体之间的电容，从而达到加深谐波抑制滤波器的抑制深度，展宽其阻带带宽的目的。本实用新型具有：结构紧凑、重量轻、节省材料、结构简单等优点。

附图说明

图1为本实用新型及其实施实例1的示意图。

图2为图1A--A的截面图。

图3为本实用新型实施实例2的示意图。

图中的标号为：1、谐振腔；2、金属柱A；3、金属柱B；4、金属凹坑；5、输入输出波导。

具体实施方式

下面结合实施例对本实用新型作进一步地详细说明。

实施实例1

如图1、图2所示，一种带凹坑的波导低通谐波抑制器，包括谐振腔1，输入输出波导5和横向8排，纵向8列的只在底部与所述谐振腔1连接的金属柱A2。带凹坑的波导低通谐波抑制器还包括与金属柱A2相对应的且只在顶部与所述谐振腔1连接的金属柱B3；金属柱B3的横截面与金属柱A2的横截面不同。

金属柱A2为矩形体与金属柱A2对应有两根矩形金属柱B3；所述金属柱A2嵌入所述与之对应的两根所述矩形金属柱B3之间。在谐振腔1的顶部与所述金属柱A2对应设置有一个金属凹坑4；金属柱 A2嵌入与之对应设置的所述金属凹坑4内。

实施实例2

如图2所示，本实施实例与实施实例1的区别仅在于，所述金属柱A和金属凹坑都为圆柱体。没有在谐振腔顶部设置任何金属柱B。

本实用新型可以构成各种高功率的波导谐波抑制滤波器，在各种高功率的各种通信和军事电子系统中用于功率放大器的谐波抑制。

以上所述的仅是本实用新型的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。