本实用新型涉及射频通信技术领域，具体涉及一种高功率低互调防水四功分器。
背景技术：
随着通信行业的不断发展，800－2500MHz产品已经不能满足市场要求，室内分布系统对无源系列设备的要求越来越高，三家运营商的多系统之间的合成，以及每家运营商的2G、3G、4G多制式间的同步接入覆盖，都使得在室分系统中，不断提高对传载通道的功率容量、互调特性等电性能的要求。传统低互调四功分器主要以金属导杆与腔体构成，插入损耗大，波动偏差大，互调差，一致性无法保证，对环境的适应性较差。
技术实现要素：
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种高功率低互调防水四功分器，解决现有功分器容量低和互调性能差的问题。
本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：一种高功率低互调防水四功分器，包括腔体和贯穿设置在腔体内的功分杆，所述腔体的两端端头均连接有接头，所述腔体一端端头的上下两侧也分别连接有接头，所述功分杆通过连接探针与每个接头相连，每个所述接头内均设有内导体，所述内导体设置在连接探针上，每个所述接头与腔体通过螺纹活动连接，每个所述接头与腔体的连接处均设有防水密封圈。
在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进。
进一步，所述接头包括从内到外依次设置的黄铜层和镀三元合金层。
进一步，所述内导体的材质为铍青铜。
进一步，所述功分杆包括从内到外依次设置的黄铜层、镀铜层和镀银层，所述镀铜层的厚度为5μm，所述镀银层的厚度为3μm。
进一步，所述腔体包括从内到外依次设置的铝合金层、镀铜层和镀银层，所述镀铜层的厚度为5μm，所述镀银层的厚度为3μm。
进一步，每个所述接头的法兰处设置有凹槽，所述防水密封圈设置于凹槽处。
本实用新型的有益效果是：在本实用新型中，采用1/4λ介质原理实现的低互调四功分器，可以有效的缩小产品的体积，拓宽工作频段，降低低互调四功分器的插入损耗，获得较小的插入损耗与平坦的带内波动，实现产品的低互调性能，本实用新型可实现三阶互调≤－160dBc＠2＊43dBm，且本实用新型的特征阻抗为50Ω，提升了性能指标，通过防水密封圈可实现防水功能，具有功率高，结构简单、性能稳定，防水效果好的优点。
附图说明
图1为本实用新型结构原理图。
附图中，各标号所代表的部件列表如下：
1、腔体，2、接头，3、内导体，4、连接探针，5、功分杆，6、防水密封圈。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。
如图1所示，一种高功率低互调防水四功分器，包括腔体1和贯穿设置在腔体1内的功分杆5，腔体1的两端端头均连接有接头2，腔体1一端端头的上下两侧也分别连接有接头2，功分杆5通过连接探针4与每个接头2相连，每个接头2内均设有内导体3，内导体3设置在连接探针4上，每个接头2与腔体1通过螺纹活动连接，每个接头2与腔体1的连接处均设有防水密封圈6。
在本实用新型实施例中，接头2包括从内到外依次设置的黄铜层和镀三元合金层。
在本实用新型实施例中，内导体3的材质为铍青铜。
在本实用新型实施例中，功分杆5包括从内到外依次设置的黄铜层、镀铜层和镀银层，镀铜层的厚度为5μm，所述镀银层的厚度为3μm。
在本实用新型实施例中，腔体1从包括内到外依次设置的铝合金层、镀铜层和镀银层，所述镀铜层的厚度为5μm，所述镀银层的厚度为3μm。
在本实用新型实施例中，每个接头2的法兰处设置有凹槽，防水密封圈6设置于凹槽处。
在本实用新型实施例中，采用1/4λ介质原理实现的低互调四功分器，可以有效的缩小产品的体积，拓宽工作频段，降低低互调四功分器的插入损耗，获得较小的插入损耗与平坦的带内波动，实现产品的低互调性能，本实用新型可实现三阶互调≤－160dBc＠2＊43dBm，且本实用新型的特征阻抗为50Ω，提升了性能指标。
本实用新型的电性能技术指标为如表一所示：
表一
在本实用新型实施例中，控制三阶互调是一个很重要的问题。产生三阶互调的主要因素：
1)腔体接触信号泄露；
2)腔体内污染；
3)腔体的光洁度；
4)材料成分(是否含有铁钴镍等磁性成分)。
在研制过程中，根据三阶互调的主要产生因素，针对重要因素采取了相应的解决方式，降低三阶互调的影响。解决方式如下：
1)在结构方面，将产品接触面积减小，同时保证接触部分的光洁度以及平整度的要求。确保充分接触，在信号传输时降低非线性信号产生的可能。
2)腔体污染处理，在装配前对腔体进行超声波清洗机烘干，降低腔体的污染，降低三阶互调信号的产生。
3)在产品机加时对腔体和导杆的加工采用CNC精密机加，满足产品表面的光洁度的要求。
4)材质：接头导体采用采用黄铜，镀三元合金；内导体采用铍青铜；功分杆采用黄铜，表面先镀铜后镀银(镀层厚度：Cu5μm/Ag3μm)；腔体采用铝合金材质，内表面先镀铜后镀银(镀层厚度：Cu5μm/Ag3μm)。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。