功分器和制造功分器的方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及电子电路中的功分器，具体地，涉及宽带多层功分器和制造宽带多层 功分器的方法。
【背景技术】
[0002] 功分器已经非常广泛地应用于天线馈电、平衡放大器、溜频器和移相器中。在参考 文献山（R.J.Wilkinson，"AnN-wayhybridpowerdivider，"IEEETrans.Microw. TheoryTech.，vol.MTT-8，no. 1，pp. 116-118，Jan. 1960)中提出的WUkinson功分器已 经完全将输出端口与足够高的隔离相匹配。此外，它在其每一个输出端口处提供了等相特 性。然而，具有四分么一波长分支的传统Wilkinson功分器具有小于20%的窄的部分带 宽（fractionalbandwid化），这限制了其宽带应用。已经提出了使用集总元件（参见参 考文献[2]T.Kawai、比Mizuno、I.Ohta和A.Enokihara，"Lumped-elementquadrature Wilkinsonpowerdivider，"Proc.IEEEAsia-PacificMicrow.Conf.，pp.1012-1015， Dec. 2009 ; [3]M.M.Eisbury、P.D.Dresselhaus、S.P.Benz和Z.Popovic，"Integrated broadbandlumped-elementsymmetrical-hybridN-waypowerdividers，"IEEEMTT-S Int.MicrowSymp.Dig?，卵? 997-1000, 2009 ;和[4]S. -H.化〇、C.比Park、1. -Y.Qiung和 J.Jeong， "Widebandimpedance-transformingthree-portpowerdividerusing lumpedelements，"Microw.Opt.Tech.lett.，vol. 51，no. 11，pp. 2570-2573, 2009)、开路 短线（参见参考文献巧]S.W.Wong和Laiu，"叫tra-widebandpowerdividerwithgood in-bandsplittingandisolationperformances，"IEEEMicrow.WirelessCompon. Lett.，vol. 18,no. 8,pp. 518-520,Aug. 2008 和[6]0.Ahmed和A.R.Sebak，"Amodified Wilkinsonpowerdivider/combinerforultrawidebandcommunications，"Proc.IEEE Antennasand化opagationInt.ISymp. ,2009，pp. 1-4)、和觸合线（参见参考文献 口] A.M.Abbosh，"AcompactUWBthree-waypowerdivider，"IEEEMicrow.Wireless Compon.Lett.，vol. 17，no. 8，pp. 598-600，Aug. 2007 和巧]A.M.Abbosh，"Ultrawideband inphasepowerdividerformultilayertechnology，"lETMicrow.AntennasPropag.， vol.3，iss.l，pp.l48-153,2009)的方法来提高带宽。参考文献巧](S.B.Cohn,"Aclass ofbroadbandthreeportTEM-modehybrid，"IEEETrans.Microw.TheoryTech.，vol. MTT-16,no. 2,pp. 110-116,Feb, 1968)中提出的级联多级Wilkinson功分器已经相当大 地增加了带宽和输出端口么间的隔离，但是它由于其平面多级结构而占用非常大的电路尺 寸，如图1中所示。
[0003] 因此，期望宽带的且小型化的功分器。
【发明内容】
[0004] 因此，本发明的主要目的是提供宽带的且小型化的功分器，臥实现大小减小。
[0005] 在本发明的一个方面，提供了一种功分器。所述功分器包括；多个传输级和多个接 地层，所述多个传输级和所述多个接地层交替布置在多个介电层中的相应介电层上，第一 传输级被布置在第一介电层上，并且最后一个传输级被布置在最后一个介电层下；其中，所 述多个传输级被垂直排列，每一个传输级包括由传输线形成的环；所述第一传输级具有通 过电阻器连接的第一开口，并且剩余传输级中的每一个传输级具有通过电阻器连接的第一 开口和不具有电阻器的第二开口；相邻传输级中的一个传输级的第一开口的两端通过过孔 过渡（viatransition)沿从上至下的方向连接到所述相邻传输级中的另一个传输级的第 二开口的两端；W及每一个接地层具有所述过孔过渡通过的缺陷结构（clearance)。
[0006] 所述功分器还包括；一个输入端口和两个输出端口，所述一个输入端口和所述两 个输出端口，由微带线制成并且被布置在所述第一介电层上。
[0007] 在本发明的另一方面，提供了一种制造功分器的方法。所述方法包括；将多个传输 级分别放置在多个介电层上，每一个传输级包括由传输线形成的环，其中，所述传输级中的 一个传输级仅具有通过电阻器连接的第一开口，并且剩余传输级中的每一个传输级具有通 过电阻器连接的第一开口和不具有电阻器的第二开口；在所述传输级的第一开口的两端形 成过孔过渡；将具有缺陷结构的多个接地层分别放置在另外多个介电层上；交替地垂直堆 叠其上放置了所述传输级的所述多个介电层和其上放置了具有缺陷结构的接地层的所述 另外多个介电层，使得仅具有第一开口的所述传输级被布置在第一介电层上并且剩余传输 级之一被另外布置在最后一个介电层下；并且相邻传输级中的一个传输级的第一开口的两 端通过穿过所述接地层上的缺陷结构的过孔过渡沿从上至下的方向连接到所述相邻传输 级中的另一个传输级的第二开口的两端；W及对所有堆叠的介电层进行层压和共烧，W形 成多层结构。
[000引所述方法还包括：形成由微带线制成的一个输入端口和两个输出端口，并且将所 述一个输入端口和所述两个输出端口布置在所述第一介电层上。
[0009] 优选地，每一个环的第一开口和第二开口被布置在所述环的相对侧。
[0010] 优选地，所述第一介电层上的所述第一传输级和所述最后一个介电层下的传输级 是由微带线制成的，并且剩余传输级是由带状线制成的。
[0011] 优选地，通过所述最后一个介电层下的两个微带线和贯穿其中在所有多个接地层 上具有缺陷结构的所有多个介电层的两个过孔过渡，所述最后一个介电层下的所述最后一 个传输级的第一开口的两端分别与所述两个输出端口连接。
[0012] 优选地，所述电阻器被埋设在所述介电层中。
[0013] 优选地，所述电阻器是Ni&薄膜电阻器。
[0014] 优选地，所有过孔过渡具有相同的半径。
[0015] 优选地，所有缺陷结构具有相同的半径。
[0016] 优选地，所述传输级、所述过孔过渡、W及所述接地层是由金属制成的。
[0017] 优选地，所述传输级、所述过孔过渡、W及所述接地层是由金制成的。
[0018] 根据本发明，可W提供宽带的且小型化的多层功分器结构。与传统的平面实现相 比，使用所提供的多层结构的主要优点在于尺寸减小并且带宽增加。此外，根据本发明，与 现有的传统功分器结构相比，所提出的多层功分器更容易制造，并且具有高产出率。
【附图说明】
[0019] 根据结合附图对优选实施例的描述，本发明的目的、优点和特性将更显而易见，在 附图中：
[0020] 图1示意性地示出了传统平面多级功分器的结构示意图；
[0021] 图2示意性地示出了根据本发明实施例的示例性多层功分器的结构示意图；
[0022] 图3示意性地示出了根据本发明实施例的示例性多层功分器的透视图拟及
[0023] 图4示出了根据本发明实施例的制造示例性多层功分器的方法的示意性流程图。
[0024] 应当注意的是，附