1.一种绝缘栅极晶体管，其特征在于，包括：
漂移区；
P阱区，所述P阱区设置在所述漂移区的一侧；
发射极，所述发射极设置在所述P阱区远离所述漂移区的一侧；
沟槽，所述沟槽开设在所述发射极、所述P阱区和所述漂移区内，且贯穿所述发射极和所述P阱区；
栅极氧化层，所述栅极氧化层设置在所述沟槽中，且覆盖所述沟槽的表面；
栅极，所述栅极填充在所述栅极氧化层远离所述漂移区的一侧；
二极管结构，所述二极管结构设置在所述发射极和所述栅极之间，且所述二极管结构的阳极、阴极分别与所述发射极、所述栅极电连接。
2.根据权利要求1所述的绝缘栅极晶体管，其特征在于，所述阳极环绕所述阴极设置。
3.根据权利要求1所述的绝缘栅极晶体管，其特征在于，所述二极管结构与所述发射极和所述栅极之间设置有第一绝缘层。
4.根据权利要求3所述的绝缘栅极晶体管，其特征在于，所述第一绝缘层的材料与所述栅极氧化层的材料相同。
5.根据权利要求3所述的绝缘栅极晶体管，其特征在于，所述二极管结构远离所述漂移区的表面上设置有第二绝缘层，且所述第二绝缘层具有第一过孔和第二过孔，并且，所述发射极通过穿过所述第一过孔的第一导线与所述阳极电连接，所述栅极通过穿过所述第二过孔的第二导线与所述阴极电连接。
6.根据权利要求5所述的绝缘栅极晶体管，其特征在于，进一步包括栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述栅极远离所述漂移区的表面，且所述栅极绝缘层在所述漂移区上的正投影覆盖所述栅极在所述漂移区上的正投影，而且，所述第二导线通过所述栅极绝缘层上的第三过孔与所述栅极电连接。
7.根据权利要求6所述的绝缘栅极晶体管，其特征在于，所述第二绝缘层与所述栅极绝缘层的材料相同。
8.根据权利要求1所述的绝缘栅极晶体管，其特征在于，所述阳极与所述P阱区的材料相同。
9.根据权利要求1所述的绝缘栅极晶体管，其特征在于，所述阴极与所述发射极的材料相同。
10.根据权利要求1所述的绝缘栅极晶体管，其特征在于，所述栅极氧化层的厚度不超过200nm，所述二极管结构的击穿电压为20～30V。
11.根据权利要求1所述的绝缘栅极晶体管，其特征在于，进一步包括集电极，所述集电极设置在所述漂移区远离所述沟槽的一侧。
12.一种智能功率模块，其特征在于，包括：
电路基板，所述电路基板的上表面设置有电路布线，且所述电路布线包括焊接器件区；
至少一个权利要求1～11任一项所述的绝缘栅极晶体管，所述至少一个绝缘栅极晶体管的底侧面焊接于所述焊接器件区，顶侧面通过金属连接桥接至所述电路布线。
13.一种空调器，其特征在于，包括权利要求12所述的智能功率模块。