一种晶圆位置侦测系统的制作方法

本实用新型涉及半导体领域，特别涉及一种晶圆位置侦测系统。

背景技术：

现有技术中，半导体设备传送路径的侦测系统只能侦测到进腔体之前的位置偏移并矫正，对于腔体内的位置无法侦测，存在关键区域的侦测盲区，因此存在较大的风险。

当晶圆在侦测盲区内位置发生偏移，并放置到静电吸盘上，如果位置偏移过大，晶圆搭在边缘环上，会触发背氦系统报警；但是如果在位置偏移不是很大的情况下，晶圆在放置到所述静电吸盘表面的过程中，会造成晶圆产生区域缺陷，在产品缺陷扫描之前，由于没有相关报警讯息和参数变化信息，腔体还会继续跑货，造成大量产品良率降低甚至报废。

因此，急需提供一种晶圆位置侦测系统，以解决现有技术中被侦测晶圆位置发生偏移，造成大量产品良率偏低甚至报废的问题。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种晶圆位置侦测系统，以解决现有技术中被侦测晶圆位置发生偏移，造成大量产品良率偏低甚至报废的问题。

为了解决现有技术中存在的问题，本实用新型提供了一种晶圆位置侦测系统，包括：静电吸盘、边缘环以及探测装置；所述边缘环设置于所述静电吸盘上以限定出一承载空间，所述探测装置设置于所述边缘环外侧，探测待加工晶圆是否恰好传递至所述承载空间中。

可选的，在所述晶圆位置侦测系统中，所述探测装置的探测方向与所述承载空间的最边缘相切。

可选的，在所述晶圆位置侦测系统中，所述晶圆位置侦测系统包括腔体，所述探测装置设置在所述腔体的内壁上。

可选的，在所述晶圆位置侦测系统中，所述探测装置的数量为多个，并均匀分布。

可选的，在所述晶圆位置侦测系统中，所述探测装置的位置高于所述边缘环的上表面。

可选的，在所述晶圆位置侦测系统中，所述探测装置包括蓝宝石材质红外探测装置。

可选的，在所述晶圆位置侦测系统中，所述静电吸盘包括底座和支撑部，所述支撑部设置在所述底座上，所述边缘环套设在所述支撑部并与所述底座相接触，所述边缘环的高度大于所述支撑部的高度。

可选的，在所述晶圆位置侦测系统中，所述边缘环内侧呈一环形台阶状，包括一侧面和一台阶面，所述侧面与所述台阶面远离所述支撑部的一侧相交并远离所述底座，所述台阶面低于或齐平于所述支撑部的顶面。

可选的，在所述晶圆位置侦测系统中，所述探测装置上设置有报警装置。

可选的，在所述晶圆位置侦测系统中，所述腔体包括半导体反应腔体。

在本实用新型所提供的晶圆位置侦测系统中，所述晶圆位置侦测系统包括：静电吸盘、边缘环以及探测装置；所述边缘环设置于所述静电吸盘上以限定出一承载空间，所述探测装置设置于所述边缘环外侧，探测待加工晶圆是否恰好传递至所述承载空间中。

在半导体工艺中，晶圆需要被放置到静电吸盘上进行作业，晶圆放置到所述静电吸盘上时位置容易发生偏移，造成晶圆产生区域缺陷。本实用新型中通过采用所述探测装置探测所述晶圆在所述静电吸盘上的位置，能及时探测晶圆的位置是否偏移，若出现位置偏移，所述探测装置会及时报警并停止作业，避免后续晶圆继续偏移，继续受损；若所述晶圆的位置没有出偏移，则继续正常作业，既不影响工艺的正常进行，又能及时发现问题，阻止更多晶圆受损。进一步的，本实用新型提高了产品的良率，降低了由于晶圆受损带来的经济损失。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的晶圆位置侦测系统俯视图；

图2为本实用新型实施例提供的晶圆位置侦测系统侧视图；

其中，1-晶圆；2-静电吸盘；21-底座；22-支撑部；3-探测装置；4-边缘环；5-腔体。

具体实施方式

下面将结合示意图对本实用新型的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

请参考图1和图2，图1为本实用新型实施例提供的晶圆位置侦测系统俯视图；图2为本实用新型实施例提供的晶圆位置侦测系统侧视图。

如图1、2所示，本实用新型提供了一种晶圆位置侦测系统，包括：静电吸盘2、边缘环4以及探测装置3；所述边缘环4设置于所述静电吸盘2上以限定出一承载空间，所述探测装置3设置于所述边缘环4外侧，探测待加工晶圆1是否恰好传递至所述承载空间中。

进一步的，所述探测装置3的探测方向与所述承载空间的最边缘相切。因此所述探测装置3发射出的探测光束会经过所述静电吸盘2的内边缘及晶圆1的外边缘，以此提高探测精准度度。

通常的，所述晶圆1放置于所述静电吸盘2上，所述边缘环4内，所述边缘环4用于稳固已经放置在所述静电吸盘2上所述晶圆1的位置。通常的，所述晶圆1的直径约为300毫米，所述静电吸盘2的直径略微小于300毫米，约为298～299毫米，而所述边缘环4用于提供所述静电吸盘2上欠缺的几毫米。

目前，当晶圆1在侦测盲区内位置发生偏移，并放置到静电吸盘2上，如果位置偏移过大，使晶圆1搭在边缘环4上，会触发背氦系统报警；但是如果放置到静电吸盘2上而位置偏移不是很大的情况下，晶圆1在放置到所述静电吸盘2表面的过程中，会摩擦到边缘环4的一侧，产生颗粒，但是由于背氦系统显示正常，将无法侦测到所述晶圆1位置偏移，机台也会继续正常作业，将会造成所述晶圆1的该区域产生缺陷，在产品缺陷扫描之前，由于没有相关报警讯息和参数变化信息，机台还会继续跑货，造成大量产品良率偏低甚至报废。

本实用新型中通过采用所述探测装置3探测所述晶圆1在所述静电吸盘2上的位置，能及时探测晶圆1的位置是否偏移，若出现位置偏移，所述探测装置3会及时报警并停止作业，避免后续晶圆1继续偏移，继续受损；若所述晶圆1的位置没有出现偏移，则继续正常作业，既不影响工艺的正常进行，又能及时发现问题，阻止更多晶圆1受损。进一步的，本实用新型提高了产品的良率，降低了由于晶圆1受损带来的经济损失。

在本实用新型所提供的晶圆位置侦测系统中，所述晶圆位置侦测系统包括腔体5，所述探测装置3设置在所述腔体5的内壁上。所述晶圆1被传递至腔体5内，所述腔体5成为侦测盲区，因此本实施例中需要在所述腔体5内设置探测装置3，以探测所述腔体5内所述晶圆1的位置。通常的，所述静电吸盘2和边缘环4设置于所述腔体5内。

较佳的，所述探测装置3的数量为多个，并均匀分布所述腔体5的内壁上。以便多方位探测所述晶圆1的位置。进一步的，所述探测装置3的位置高于所述边缘环4的上表面。避免探测光束被所述边缘环4挡住，探测不到所述晶圆1，使得探测装置3失去意义。优选的，所述探测装置3的探测光束与所述边缘环4上表面在同一高度，使所述探测装置3可以探测所述晶圆1落入所述静电吸盘2上的最后运动轨迹，使得探测结果更加准确。

较佳的，所述探测装置3包括蓝宝石材质红外探测装置3。在半导体工艺中，腔体5内若采用一般材质制作所述探测装置3，可能会导致所述探测装置3容易损坏，降低所述探测装置3寿命。本实用新型中优选采用红外探测装置3，所述红外探测装置3包括红外线发射器、接收器以及信号处理器，信号处理器的信号输出端经红外线发射电路与红外线发射器连接；信号输入端经红外线接收电路与红外线接收器连接，其反馈信号输出端与外围控制电路连接。所述红外探测装置3可以采用微型单片机作为信号处理器产生编码信号，驱动红外线发射器发出带有编码信号的红外线信号，并实时检测经过放大电路处理后的反射信号，其编码信号能够保证多个相同型号的传感器同时同地工作而不相互干扰。而且工作频率一致、可靠性高、功耗小。

在本实用新型所提供的晶圆位置侦测系统中，所述静电吸盘2包括底座21和支撑部22，所述支撑部22设置在所述底座21上，所述边缘环4套设在所述支撑部22并与所述底座21相接触，所述边缘环4的高度大于所述支撑部22的高度。进一步的，所述边缘环4内侧呈一环形台阶状，包括一侧面和一台阶面，所述侧面与所述台阶面远离所述支撑部22的一侧相交并远离所述底座21，所述台阶面低于或齐平于所述支撑部22的顶面。

进一步的，所述探测装置3上设置有报警装置。通常的，所述晶圆1通过顶针上升或下降，将所述晶圆1放置于所述静电吸盘2上；在所述晶圆1移动的过程中，所述探测装置3探测所述晶圆1的移动路径；所述探测装置3根据探测信号，并及时判断所述晶圆1的位置是否偏移，若出现位置偏移，所述探测装置3会及时报警并停止作业，避免后续晶圆1继续偏移，继续受损；若所述晶圆1的位置没有出偏移，则继续正常作业，既不影响工艺的正常进行，又能及时发现问题，阻止更多晶圆1受损。进一步的，本实用新型提高了产品的良率，降低了由于晶圆1受损带来的经济损失。

在本实用新型所提供的晶圆位置侦测系统中，所述腔体5包括半导体反应腔体5。在半导体工艺中，在所述反应腔体5内对产品进行加工和改进。

综上，在本实用新型所提供的晶圆位置侦测系统中，所述晶圆位置侦测系统包括：静电吸盘、边缘环以及探测装置；所述边缘环设置于所述静电吸盘上以限定出一承载空间，所述探测装置设置于所述边缘环外侧，探测待加工晶圆是否恰好传递至所述承载空间中。

在半导体工艺中，晶圆需要被放置到静电吸盘上进行作业，晶圆放置到所述静电吸盘上时位置容易发生偏移，造成晶圆产生区域缺陷。本实用新型中通过采用所述探测装置探测所述晶圆在所述静电吸盘上的位置，能及时探测晶圆的位置是否偏移，若出现位置偏移，所述探测装置会及时报警并停止作业，避免后续晶圆继续偏移，继续受损；若所述晶圆的位置没有出偏移，则继续正常作业，既不影响工艺的正常进行，又能及时发现问题，阻止更多晶圆受损。进一步的，本实用新型提高了产品的良率，降低了由于晶圆受损带来的经济损失。

上述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不对本实用新型起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本实用新型的技术方案的范围内，对本实用新型揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本实用新型的技术方案的内容，仍属于本实用新型的保护范围之内。