一种抑制远端的波导双工器的制作方法

本实用新型涉及一种波导双工器，尤其是涉及一种抑制远端的波导双工器。

背景技术：

我国移动通信网络4G系统已经非常成熟，即将迈入5G时代。通信系统由4G向5G过度，原有设备的更新替换工作还在如火如荼地进行中，在完善和提高现有系统装备的过程中，运营商对产品性能、质量和远端抑制要求越来越高。现有技术目前采用抑制远端的方法就是在双工器端口加高低阻抗级联低通，此方法结构相对复杂，加工精度要求很高，另外固定困难，低通与端口抽头需采用焊接的方式，一致性很差批量加工成本比较大。

技术实现要素：

本实用新型的目的就在于设计一种利用改变单腔腔深，使每个单腔腔深不同，使远端谐波产生的位置不集中，从而达到抑制远端的效果。主要解决高频双工器抑制远端频率的问题.

为了实现上述发明目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种抑制远端的波导双工器，包括T形头、第一滤波器和第二滤波器，所述第一滤波器和第二滤波器包括若干依次相连的单腔，所述相邻单腔的深度均不相同。

作为优选方案，所述依次相连的单腔深度包括三种不同数值。

作为优选方案，从T形头向第一滤波器方向，所述单腔的深度是7mm、11mm和15mm，并依次交替；从T形头向第二滤波器方向，单腔的深度是7mm、11mm和15mm，并依次交替。

本实用新型的有益效果在于，改变单腔的深度防止远端高次谐波叠加，使其高次谐波相互交错，降低干扰。

附图说明

图1是现有技术中高低阻抗级联双工器结构示意图。

图2是本实用新型主视图。

图3是本实用新型后视图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型作进一步详细地说明。

如图所示，一种抑制远端的波导双工器1，包括第一同轴波导变换11、T形头12、第一滤波器13、第二滤波器14、第二同轴波导变换15和第三同轴波导变换16，所述第一滤波器和第二滤波器包括若干依次相连的单腔，所述相邻单腔的深度均不相同。本实施例中，设定三种不同的单腔深度，分别为7mm、11mm和15mm。即，从T形头12向第一滤波器13方向，单腔的深度是7mm、11mm和15mm，并依次交替；从T形头12向第二滤波器14方向单腔的深度是7mm、11mm和15mm，并依次交替。

改变单腔的深度防止远端高次谐波叠加，使其高次谐波相互交错，降低干扰。本实用新型优势在于：①去掉低通，缩减成本；②加工比较简单，大大缩减了加工难度与加工时间。③装配简单，一致性强，常规低通双工器由于低通高阻抗线比较细装配时侯很容易折断，造成报废。④常规低通双工器低通与抽头之间靠焊接链接，本新型直接靠波导传输线耦合增加稳定性。