一种可控硅的制作方法

本实用新型涉及电子器件领域，特别是一种可控硅。

背景技术：

可控硅是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。现有技术中心，可控硅工作时的功率比较大，常常带来一定的安全隐患，且可控硅的引脚光滑，焊接时容易造成虚焊，从而影响器件的正常工作。

技术实现要素：

为解决上述技术问题，本实用新型的目的是提供一种防漏电、容易焊接的可控硅。

本实用新型采用的技术方案是：

一种可控硅，包括可控硅本体，所述可控硅本体内部设置有漏电保护器，可控硅本体底部设置有引脚，该引脚上设置有至少一个圆台型凸齿。

所述可控硅本体内部的顶端设置有减震装置，所述减震装置包括上盖板、下盖板以及减震弹簧，所述减震弹簧的一端与上盖板连接、另一端与下盖板连接。

所述上盖板、下盖板之间还设置有保护盖，该保护盖设置在减震弹簧的两侧以将减震弹簧进行围合保护。

所述可控硅本体上开设有散热孔，该散热孔内设置有防水透气膜。

本实用新型的有益效果：

在本实用新型中，漏电保护器对可控硅本体起到了漏电保护的作用，保证了可控硅工作的稳定性，同时在引脚上设置有圆台型凸齿，焊接时增加了引脚焊锡之间的接触面积，能有效避免虚焊，结构稳固，不易松散，性能稳定。

附图说明

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做进一步的说明。

图1是本实用新型的结构示意图。

图2是本实用新型减震装置的结构示意图。

具体实施方式

如图1和图2所示，一种可控硅，包括可控硅本体1，所述可控硅本体1内部设置有漏电保护器2，可控硅本体1底部设置有引脚3，该引脚3上设置有至少一个圆台型凸齿，其中，可控硅本体1包括塑料外壳4、集成有满足可控硅正常工作的元器件的电路板5，该塑料外壳4是采用阻燃高强度的PBT材质的塑料外壳，该电路板5均与引脚3、漏电保护器2电性连接，漏电保护器2对可控硅本体1起到了漏电保护的作用，保证了可控硅工作的稳定性，同时在引脚3上设置有圆台型凸齿6，焊接时增加了引脚3焊锡之间的接触面积，能有效避免虚焊，结构稳固，不易松散，性能稳定。

所述可控硅本体1内部的顶端设置有减震装置7，所述减震装置7包括上盖板71、下盖板72以及减震弹簧73，所述减震弹簧73的一端与上盖板71连接、另一端与下盖板72连接。该减震装置7有利于在可控硅受到挤压或者其他物理撞击时吸收缓冲力，进一步保护了可控硅的内部元器件，提高其稳定性。

所述上盖板71、下盖板72之间还设置有保护盖74，该保护盖74设置在减震弹簧73的两侧以将减震弹簧73进行围合保护，并且也有利于防止弹簧出现脱落后掉进可控硅内部造成安全隐患。

所述可控硅本体1上开设有散热孔8，该散热孔8内设置有防水透气膜9，这样设计既将可控硅工作时产生的热量排出，也防止了水分进入可控硅本体1内部。

以上所述仅为本实用新型的优先实施方式，本实用新型并不限定于上述实施方式，只要以基本相同手段实现本实用新型目的的技术方案都属于本实用新型的保护范围之内。