发光二极管的半导体芯片及其量子阱层的制作方法

本实用新型涉及发光二极管，特别涉及一发光二极管的半导体芯片及其量子阱层。

背景技术：

近年来，随着LED(Light Emitting Diode)被大规模的推广和应用，LED相关技术也得到了突飞猛进式的发展。而III-V族氮化物作为直接带隙半导体，其具有禁带宽度大、击穿电场高、电子饱和迁移率高等优异的物理特征，在LED领域的应用受到了广泛的关注。尤其是以AlInGaN基为主要原料半导体芯片由于其卓越的器件性能和广泛的应用前景而受到越来越多的关注，由于半导体芯片的几乎全部光源均来自于半导体芯片的多量子阱层，因此，量子阱层的结构、阱垒之间的晶体质量、阱垒之间的突变设计尤其为半导体芯片的设计人员所重视，即，量子阱层的设计是整个半导体芯片的设计关键。因为半导体芯片的量子阱层的阱垒之间的不同的材料组成和生长条件的差异，必然会导致阱垒晶体之间的差异，进而影响整个器件的发光效率和光学性能。然而，在实际生产过程中，半导体芯片的量子阱层的阱垒采用同样的压力生长，例如蓝绿光的半导体芯片，量子阱层的量子阱是主要的发光层，其材料一般为InGaN，若量子阱层的量子阱的生长压力过低，则In元素的并入效率会增加，但同时波长一致性、均匀性均遭到破坏，表现为半宽增大、边带发光等，影响发光稳定性，若量子阱层的量子阱的生长压力太高，则影响原子迁移速率，使得量子阱趋向于三维生长，进而引起量子阱的表面粗糙化而影响晶体质量，因此，在现有的生长工艺中，量子阱层的量子阱的生长采用稳压生长，但是因为量子阱层的量子阱和量子垒的材料组成不同，导致相同压力下生长的量子阱和量子垒的阱垒界面的晶体质量较差。

技术实现要素：

本实用新型的一个目的在于提供一发光二极管的半导体芯片及其量子阱层，其中所述量子阱层的量子阱和量子垒的阱垒界面的晶体质量能够得到大幅度的改善，以提升所述半导体芯片的光效。

本实用新型的一个目的在于提供一发光二极管的半导体芯片及其量子阱层，其中所述量子阱层的所述量子阱和所述量子垒的生长压力不同，以改善所述量子阱层的所述量子阱和所述量子垒的阱垒界面的晶体质量。

本实用新型的一个目的在于提供一发光二极管的半导体芯片及其量子阱层，其中所述量子阱层的所述量子垒的生长压力低于所述量子阱的生长压力，以改善所述量子阱和所述量子垒的阱垒界面的晶体质量。

本实用新型的一个目的在于提供一发光二极管的半导体芯片及其量子阱层，其中所述量子阱层的所述量子垒的生长压力低于所述量子阱的生长压力，通过这样的方式，所述量子垒的原子迁移能够被增强，以促进所述量子垒的表面二维生长，从而有利于提升所述量子垒和所述量子阱的阱垒界面的晶体质量。

本实用新型的一个目的在于提供一发光二极管的半导体芯片及其量子阱层，其中所述量子阱层的所述量子垒的生长压力低于所述量子阱的生长压力，以促进III族元素的并入，例如，通过使所述量子垒的生长压力低于所述量子阱的生长压力的方式能够促进In元素并入所述量子垒，这样在生长蓝绿光的所述半导体芯片时，能够提供更多的发光量子点，以提升所述半导体芯片的光效。

本实用新型的一个目的在于提供一发光二极管的半导体芯片及其量子阱层，其中所述半导体芯片提供一电流扩展层，其中所述电流扩展层能够使电流在所述半导体芯片均匀地扩展，从而提高所述半导体芯片的光效。

本实用新型的一个目的在于提供一发光二极管的半导体芯片及其量子阱层，其中所述电流扩展层能够削弱所述半导体芯片的纵向电流扩展能力和提高所述半导体芯片的横向电流扩展能力，从而使得电流在所述半导体芯片均匀地扩展。

本实用新型的一个目的在于提供一发光二极管的半导体芯片及其量子阱层，其中在所述半导体芯片的高度方向，所述电流扩展层的电阻状态呈现出“低阻-高阻-低阻-高阻……”的电阻状态，以削弱所述半导体芯片的纵向电流扩展能力和提高所述半导体芯片的横向电流扩展能力。

依本实用新型的一个方面，本实用新型提供一发光二极管的半导体芯片，其包括：

一衬底；

一N型氮化镓层，其中所述N型氮化镓层层叠于所述衬底；

一量子阱层，其中所述量子阱层层叠于所述N型氮化镓层，其中所述量子阱层包括依次层叠的至少一量子垒和至少一量子阱，所述量子垒和所述量子阱的生长压力不同；

一P型氮化镓层，其中所述P型氮化镓层层叠于所述量子阱层；

一N型电极，其中所述N型电极被电连接于所述N型氮化镓层；以及

一P型电极，其中所述P型电极被电连接于所述P型氮化镓层。

根据本实用新型的一个实施例，所述量子阱层的所述量子垒的生长压力低于所述量子阱的生长压力。

根据本实用新型的一个实施例，所述量子阱层的所述量子垒的层数参数和所述量子阱的层数参数均为N，其中参数N的取值范围为：3≤N≤20。

根据本实用新型的一个实施例，所述量子阱层的所述量子垒是Alx1Iny1Ga1-x1-y1N(0<X1<1,0<Y1<1)掺杂量子垒，掺杂浓度为1-5x10¹⁸cm^-3，其中所述量子阱层的所述量子阱是Alx2Iny2Ga1-x2-y2N(0<X2<1,0<Y2<1)未掺杂量子阱。

根据本实用新型的一个实施例，所述量子阱的所述量子垒的厚度尺寸范围为5nm-15nm，所述量子阱的厚度尺寸范围为2nm-5nm。

根据本实用新型的一个实施例，所述半导体芯片进一步包括一缓冲层，其中所述缓冲层层叠于所述衬底，所述N型氮化镓层层叠于所述缓冲层。

根据本实用新型的一个实施例，所述缓冲层为GaN缓冲层或者AlN缓冲层。

根据本实用新型的一个实施例，所述半导体芯片进一步包括一电流扩展层，其中所述电流扩展层层叠于所述N型氮化镓层，所述量子阱层层叠于所述电流扩展层。

根据本实用新型的一个实施例，所述电流扩展层是N型电流扩展层；或者所述电流扩展层是AlGaN型电流扩展层；或者所述电流扩展层是InGaN电流扩展层。

根据本实用新型的一个实施例，所述半导体芯片进一步包括一保护层，其中所述保护层层叠于所述量子阱层，所述P型氮化镓层层叠于所述保护层。

根据本实用新型的一个实施例，所述半导体芯片进一步包括一电子阻挡层，其中所述电子阻挡层层叠于所述保护层，所述P型氮化镓层层叠于所述电子阻挡层。

根据本实用新型的一个实施例，所述N型电极层叠于所述电流扩展层，所述P型电极层叠于所述P型氮化镓层。

依本实用新型的另一个方面，本实用新型进一步提供一量子阱层，其应用于一半导体芯片，其中所述量子阱层包括依次层叠的至少一量子垒和至少一量子阱，所述量子垒和所述量子阱的生长压力不同。

根据本实用新型的一个实施例，所述量子阱层的所述量子垒的生长压力低于所述量子阱的生长压力。

根据本实用新型的一个实施例，所述量子阱层的所述量子垒的层数参数和所述量子阱的层数参数均为N，其中参数N的取值范围为：3≤N≤20。

根据本实用新型的一个实施例，所述量子阱层的所述量子垒是Alx1Iny1Ga1-x1-y1N(0<X1<1,0<Y1<1)掺杂量子垒，掺杂浓度为1-5x10¹⁸cm^-3，其中所述量子阱层的所述量子阱是Alx2Iny2Ga1-x2-y2N(0<X2<1,0<Y2<1)未掺杂量子阱。

根据本实用新型的一个实施例，所述量子阱的所述量子垒的厚度尺寸范围为5nm-15nm，所述量子阱的厚度尺寸范围为2nm-5nm。

依本实用新型的另一个方面，本实用新型进一步提供一发光二极管的半导体芯片的制造方法，其中所述制造方法包括如下步骤：

(a)层叠一N型氮化镓层于一衬底；

(b)自所述N型氮化镓层循环生长一量子垒和一量子阱，以藉由多个所述量子垒和多个所述量子阱形成层叠于所述N型氮化镓层的一量子阱层，其中所述量子垒的生长压力和所述量子阱的生长压力不同；

(c)层叠一P型氮化镓层于所述量子阱层；以及

(d)电连接一N型电极于所述N型氮化镓层和电连接一P型电极于所述P型氮化镓层，以制得所述半导体芯片。

根据本实用新型的一个实施例，生长所述量子垒和所述量子阱的循环周期为3个周期至20个周期。

根据本实用新型的一个实施例，所述量子垒的生长压力低于所述量子阱的生长压力。

根据本实用新型的一个实施例，所述量子垒的生长压力低于所述量子阱的生长压力。

根据本实用新型的一个实施例，在所述步骤(b)中，进一步包括步骤：

(b.1)保持层叠有所述N型氮化镓层的所述衬底于一金属有机化合物气相外延沉积设备；

(b.2)通入In源、Ga源、氮源和硅烷于所述金属有机化合物气相外延沉积设备生长掺杂的Alx1Iny1Ga1-x1-y1N(0<X1<1,0<Y1<1)量子垒，以形成层叠于所述N型氮化镓层的所述量子垒；

(b.3)降低所述金属有机化合物气相外延沉积设备的压力，通入In源、Ga源和氮源于所述金属有机化合物气相外延沉积设备生长未掺杂的Alx2Iny2Ga1-x2-y2N(0<X2<1,0<Y2<1)量子阱，以形成层叠于所述量子垒的所述量子阱；以及

(b.4)循环所述步骤(b.2)和所述步骤(b.3)，以层叠所述量子阱层于所述N型氮化镓层。

根据本实用新型的一个实施例，所述量子阱层的所述量子垒的掺杂浓度为1-5x10¹⁸cm^-3。

根据本实用新型的一个实施例，所述量子阱层的所述量子垒的厚度尺寸范围为5nm-15nm，所述量子阱的厚度尺寸范围为2nm-5nm。

根据本实用新型的一个实施例，在所述步骤(a)之前，所述制造方法进一步包括步骤：自所述衬底生长一缓冲层，从而在所述步骤(a)中，所述N型氮化镓层生长于所述缓冲层。

根据本实用新型的一个实施例，在所述步骤(b)之前，所述制造方法进一步包括步骤：自所述N型氮化镓层生长一电流扩展层，从而在所述步骤(b)中，所述量子阱层生长于所述电流扩展层。

根据本实用新型的一个实施例，在所述步骤(c)之前，进一步包括步骤：自所述量子阱层生长一保护层和自所述保护层生长一电子阻挡层，从而在所述步骤(c)中，所述P型氮化镓层生长于所述电子阻挡层。

附图说明

图1是依本实用新型的一较佳实施例的一半导体芯片的制造步骤之一的剖视示意图。

图2是依本实用新型的上述较佳实施例的所述半导体芯片的制造步骤之二的剖视示意图。

图3是依本实用新型的上述较佳实施例的所述半导体芯片的制造步骤之三的剖视示意图。

图4是依本实用新型的上述较佳实施例的所述半导体芯片的制造步骤之四的剖视示意图。

图5是依本实用新型的上述较佳实施例的所述半导体芯片的制造步骤之五的剖视示意图。

图6是依本实用新型的上述较佳实施例的所述半导体芯片的制造步骤之六的剖视示意图。

图7是依本实用新型的上述较佳实施例的所述半导体芯片的制造步骤之七的剖视示意图。

图8是依本实用新型的上述较佳实施例的所述半导体芯片的制造步骤之八的剖视示意图。

图9是依本实用新型的上述较佳实施例的所述半导体芯片的制造步骤之九的剖视示意图，其示意了所述半导体芯片的剖视状态。

具体实施方式

以下描述用于揭露本实用新型以使本领域技术人员能够实现本实用新型。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本实用新型的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本实用新型的精神和范围的其他技术方案。

本领域技术人员应理解的是，在本实用新型的揭露中，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系是基于附图所示的方位或位置关系，其仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此上述术语不能理解为对本实用新型的限制。

可以理解的是，术语“一”应理解为“至少一”或“一个或多个”，即在一个实施例中，一个元件的数量可以为一个，而在另外的实施例中，该元件的数量可以为多个，术语“一”不能理解为对数量的限制。

参考本实用新型的说明书附图之附图1至图9，依本实用新型的一较佳实施例的一发光二极管的半导体芯片在接下来的描述中被揭露和被阐述，其中所述半导体芯片包括一衬底10、一N型氮化镓层20、一量子阱层30、一P型氮化镓层40、一N型电极50以及一P型电极60，其中所述N型氮化镓层20层叠于所述衬底10，所述量子阱层30层叠于所述N型氮化镓层20，所述P型氮化镓层40层叠于所述量子阱层30，所述N型电极50被电连接于所述N型氮化镓层20，所述P型电极60被电连接于所述P型氮化镓层40。当所述半导体芯片的所述N型电极50和所述P型电极60分别被加入电源时，自所述N型电极50被注入所述半导体芯片的电流能够经所述N型氮化镓层20进入所述量子阱层30和自所述P型电极60被注入所述半导体芯片的电流能过经所述P型氮化镓层40进入所述量子阱层30而在所述量子阱层30复合以产生光线。

具体地说，所述量子阱层30包括依次层叠的至少一量子阱和至少一量子垒，其中所述量子阱层30的所述量子阱和所述量子垒的阱垒界面的晶体质量能够得到大幅度的改善，以提升所述半导体芯片的光效。更具体地说，所述量子阱层30的所述量子阱和所述量子垒的数量均是N个，即，在制造所述半导体芯片的过程中，生长N个周期的所述量子阱和所述量子垒以形成所述量子阱层30，从而使得所述量子阱层30的第一个所述量子垒层叠于所述N型氮化镓层20，所述量子阱层30的第一个所述量子阱层叠于第一个所述量子垒，所述量子阱层30的第二个所述量子垒层叠于第一个所述量子阱，所述量子阱层30的第二个所述量子阱层叠于第二个所述量子垒……所述量子阱层30的第N个所述量子垒层叠于第N-1个所述量子阱，所述量子阱层30的第N个所述量子阱层叠于第N个所述量子垒，其中相邻的所述量子阱和所述量子垒的阱垒界面的晶体质量能够被大幅度地改善，以此来提升所述半导体芯片的光效。例如，所述量子阱层30的所述量子阱和所述量子垒的阱垒界面的晶体质量的一致性能够被提升，从而改善所述量子阱和所述量子垒的阱垒界面的晶体质量。

在附图1至图9示出的所述半导体芯片的这个较佳示例中，参数N的取值范围为：3≤N≤20，即，所述半导体芯片的所述量子阱层30包括3个周期至20个周期(包括3个周期和20个周期)的所述量子垒和所述量子阱。换言之，所述半导体芯片的所述量子阱层30的所述量子垒的层数和所述量子阱的层数均为3层至20层(包括3层和20层)。

在本实用新型的所述半导体芯片的这个较佳示例中，所述量子阱层30的所述量子垒和所述量子阱的生长压力不同，其根据所述量子垒和所述量子阱的材料来选择适合的压力，通过这样的方式，所述量子阱层30的所述量子垒和所述量子阱的阱垒界面的晶体质量能够被大幅度地改善，以提升所述半导体芯片的光效。

具体地说，在本实用新型的所述半导体芯片的一个较佳示例中，所述量子阱层30的所述量子垒的生长压力低于所述量子阱的生长压力，以改善所述量子垒和所述量子阱的阱垒界面的晶体质量。在生长所述量子阱层30的过程中，在压力较低的生长环境中生长所述量子阱层30的所述量子垒时，所述量子垒的原子迁移能够被增强，以促进所述量子垒的表面二维生长，从而有利于提升所述量子垒和所述量子阱的阱垒界面的晶体质量。

优选地，所述半导体芯片的所述N型氮化镓层20是硅(Si)掺杂氮化镓层，其中所述N型氮化镓层20的硅掺杂浓度为1-10x10¹⁸cm^-3。更优选地，所述半导体芯片的所述N型氮化镓层20的厚度尺寸范围为3μm-6μm(包括3μm和6μm)。

优选地，所述半导体芯片的所述P型氮化镓层40是掺杂氮化镓层，其中所述P型氮化镓层40的掺杂浓度为5-10x10¹⁸cm^-3。更优选地，所述半导体芯片的所述P型氮化镓层40的厚度尺寸范围为100nm-200nm(包括100nm和200nm)。

另外，所述N型电极50的材料为Ti(钛)或Al(铝)。相应地，所述P型电极60的材料为Ni(镍)或Au(金)。

继续参考附图1至图9，所述半导体芯片进一步包括一缓冲层70，其中所述缓冲层70层叠于所述衬底10，所述N型氮化镓层20层叠于所述缓冲层70，从而所述N型氮化镓层20以所述N型氮化镓层20层叠于所述缓冲层70和所述缓冲层70层叠于所述衬底10的方式层叠于所述衬底10。在所述半导体芯片中，所述缓冲层70能够以被保持在所述N型氮化镓层20和所述衬底10之间的方式避免晶格失配的问题，从而有利于保证所述半导体芯片的稳定性和可靠性。

在本实用新型的所述半导体芯片的一个较佳示例中，所述缓冲层70是氮化镓缓冲层，例如，所述缓冲层70可以是但不限于未掺杂氮化镓缓冲层。当所述缓冲层70为未掺杂氮化镓缓冲层时，所述缓冲层70的厚度尺寸范围为20nm-50nm(包括20nm和50nm)。可选地，在本实用新型的所述半导体芯片的其他较佳示例中，所述缓冲层70是AlN缓冲层。

继续参考附图1至图9，所述半导体芯片进一步包括一电流扩展层80，其中所述电流扩展层80层叠于所述N型氮化镓层20，所述量子阱层30层叠于所述电流扩展层80，从而所述量子阱层30以所述量子阱层30层叠于所述电流扩展层80和所述电流扩展层80层叠于所述N型氮化镓层20的方式层叠于所述N型氮化镓层20。所述N型电极50以所述N型电极50被电连接于所述电流扩展层80和所述电流扩展层80被电连接于所述N型氮化镓层20的方式被电连接于所述N型氮化镓层20，从而通过所述N型电极50被注入的电流能够在被所述电流扩展层80扩展后经所述N型氮化镓层20进入所述量子阱层30。

在本实用新型的所述半导体芯片的一个较佳示例中，所述电流扩展层80是N型电流扩展层。可选地，在本实用新型的所述半导体芯片的另一个较佳示例中，所述电流扩展层80是AlGaN电流扩展层或InGaN电流扩展层。

进一步地，当所述电流扩展层80是N型电流扩展层时，所述电流扩展层80包括至少一N-GaN层和至少一U-GaN层，其中所述N-GaN层和所述U-GaN层相互层叠，以使所述电流扩展层80在高度方向能够呈现出“低阻-高阻-低阻-高阻……”的电阻状态，通过这样的方式，一方面，所述电流扩展层80使得所述半导体芯片的纵向电阻被增加，从而削弱所述半导体芯片的纵向电流扩展能力，另一方面，所述电流扩展层80使得所述半导体芯片的横向电流扩展能力被有效地提升，从而有利于电流被均匀地分布和提高发光效率，这对于所述半导体芯片的光学性能和使用寿命均有较大程度的改善。

继续参考附图1至图9，所述半导体芯片进一步包括一保护层90，其中所述保护层90层叠于所述量子阱层30，以维持所述量子阱层30的晶体质量，从而避免在后续的生长过程中对所述量子阱层30的组分、结构的破坏。优选地，所述保护层90是GaN帽层。优选地，所述保护层90的厚度尺寸范围为30nm至100nm(包括30nm和100nm)。

继续参考附图1至图9，所述半导体芯片进一步包括一电子阻挡层100，其中所述电子阻挡层100层叠于所述保护层90，所述P型氮化镓层40层叠于所述电子阻挡层100，从而所述P型氮化镓层40以所述P型氮化镓层40层叠于所述电子阻挡层100、所述电子阻挡层100层叠于所述保护层90和所述保护层90层叠于所述量子阱层30的方式层叠于所述量子阱层30。所述电子阻挡层100具有较高的带隙，能够减少电子泄漏，增加辐射复合速率，增强光效

优选地，所述电子阻挡层100是P型AlGaN电子阻挡层，其中所述电子阻挡层100的掺杂浓度为1-10x10¹⁸cm^-3。优选地，所述电子阻挡层100的厚度尺寸范围为0.1μm-0.5μm(包括0.1μm和0.5μm)。

在接下来的描述中，将结合所述半导体芯片的生长过程进一步描述本实用新型的所述半导体芯片的所述衬底10、所述缓冲层70、所述N型氮化镓层20、所述电流扩展层80、所述量子阱层30、所述保护层90、所述电子阻挡层100、所述P型氮化镓层40、所述N型电极50和所述P型电极60之间的相互关系和本实用新型的所述半导体芯片的特征。

具体地说，在反应生长压力范围为100torr-500torr(包括100torr和500torr)的条件下自所述衬底10依次生长所述缓冲层70、所述N型氮化镓层20、所述电流扩展层80、所述量子阱层30、所述保护层90、所述电子阻挡层100、所述P型氮化镓层40、所述N型电极50和所述P型电极60。更具体地说，所述半导体芯片的生长步骤包括：S1，自所述衬底10生长所述缓冲层70；S2，自所述缓冲层70生长所述N型氮化镓层20；S3，自所述N型氮化镓层20生长所述电流扩展层80；S4，自所述电流扩展层80生长所述量子阱层30；S5，自所述量子阱层30生长所述保护层90；S6，自所述保护层90生长所述电子阻挡层100；S7，自所述电子阻挡层100生长所述P型氮化镓层40；S8，自所述电流扩展层80生长所述N型电极50和自所述P型氮化镓层40生长所述P型电极60。

下面，将对根据本实用新型的所述半导体芯片的上述较佳实施例的各个生长步骤进行详细说明。

在步骤S1，自所述衬底10生长所述缓冲层70，参考附图2。具体地说，首先，将所述衬底10放入一金属有机化合物气相外延沉淀设备(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)。其次，在所述金属有机化合物气相外延沉积设备的腔体温度为1100℃左右时通入高纯氢气(H2)，其中通入高纯氢气(H2)的时长范围为10分钟-15分钟(包括10分钟和15分钟)。第三，在所述金属有机化合物气相外延沉积设备的腔体温度范围被降低至900℃-1000℃(包括900℃和1000℃)时通入Ga源和N源生长所述缓冲层70于所述衬底10，以使所述缓冲层70层叠于所述衬底10。

优选地，所述缓冲层70是非掺杂氮化镓缓冲层。优选地，所述缓冲层70的厚度尺寸范围为20nm-50nm(包括20nm和50nm)。

值得一提的是，所述衬底10的类型在本实用新型的所述半导体芯片中不受限制，例如，所述衬底10可以是蓝宝石衬底、AIN衬底、SiC衬底和Si衬底。

接着，在步骤S2中，自所述缓冲层70生长所述N型氮化镓层20，参考附图3。具体地说，在所述金属有机化合物气相外延沉积设备的腔体温度被升高至1100℃-1200℃(包括1100℃和1200℃)时通入Ga源、氮源和硅烷(SiH4)，以自所述缓冲层70生长硅(Si)掺杂的所述N型氮化镓层20，从而使所述N型氮化镓层20层叠于所述缓冲层70，其中Ga源和N源为载气，硅烷(SiH4)为掺杂源。

本领域技术人员应当理解的是，因为所述缓冲层70生长于所述衬底10和所述N型氮化镓层20生长于所述缓冲层20，因此，所述缓冲层70被保持在所述衬底10和所述N型氮化镓层20之间，通过这样的方式，能够避免所述衬底10和所述N型氮化镓层20之间的晶格失配的问题，从而有利于保证所述半导体芯片的稳定性和可靠性。

优选地，所述N型氮化镓层20的厚度尺寸范围为3μm-6μm(包括3μm和6μm)。优选地，所述N型氮化镓层20的硅掺杂浓度为1-10x10¹⁸cm^-3。

接着，在所述步骤S3中，自所述N型氮化镓层20生长所述电流扩展层80，参考附图4。例如，在本实用新型的所述半导体芯片的一个较佳示例中，在所述N型氮化镓层20生长于所述缓冲层70中之后，继续向所述金属有机化合物气相外延沉积设备通入Ga源、氮源和硅烷(SiH4)，以自所述N型氮化镓层20生长硅掺杂的所述N-GaN层，然后向所述金属有机化合物气相外延沉积设备通入Ga源和氮源以生长非掺杂的所述U-GaN层于所述N-GaN层，以此方式循环生长5个周期-30个周期(包括5个周期和30个周期)的所述N-GaN层和所述U-GaN层以形成所述电流扩展层80，通过这样的方式，所述电流扩展层80能够允许电流更均匀地分布。

具体地说，因为所述电流扩展层80的N-GaN层为硅掺杂层，而所述U-GaN层为非掺杂层，因此，所述电流扩展层80的所述N-GaN层和所述U-GaN层32具有不同的电阻，从而使得所述电流扩展层80在所述半导体芯片的厚度方向能够呈现出“低阻-高阻-低阻-高阻……”的电阻状态，通过这样的方式，一方面，所述电流扩展层80使得所述半导体芯片的纵向电阻被增加，从而削弱所述半导体芯片的纵向电流扩展能力，另一方面，所述电流扩展层80使得所述半导体芯片的横向电流扩展能力被有效地提升，从而有利于电流被均匀地分布和提高所述半导体芯片的发光效率，这对于所述半导体芯片的光学性能和使用寿命均有较大程度的改善。另外，所述电流扩展层80的所述N-GaN层的厚度尺寸和所述U-GaN层的厚度尺寸能够影响所述N-GaN层的电阻和所述U-GaN层的电阻，因此，通过调整所述电流扩展层80的所述N-GaN层的厚度尺寸和所述U-GaN层的厚度尺寸能够使电流更均匀地分布，以提高所述半导体芯片的光效。

接着，在所述步骤S4，自所述电流扩展层80生长所述量子阱层30，参考附图5。具体地说，首先，将所述金属有机化合物气相外延沉积设备的腔体温降低至800℃-900℃(包括800℃和900℃)，通入In源、Ga源、氮源和硅烷(SiH4)，以自所述电流扩展层80生长所述量子垒，其中所述量子垒的掺杂浓度为1-5x10¹⁸cm-3，所述量子垒是厚度尺寸范围为5nm-15nm(包括5nm和15nm)的Alx1Iny1Ga1-x1-y1N(0<X1<1,0<Y1<1)量子垒。其次，升高所述金属有机化合物气相外延沉积设备的腔体的压力，以自所述量子垒生长未掺杂的所述量子阱，其中所述量子阱是厚度尺寸范围为2nm-5nm(包括2nm和5nm)的Alx2Iny2Ga1-x2-y2N(0<X2<1,0<Y2<1)量子阱。按照上述方式在降低所述金属有机化合物气相外延沉积设备的腔体的压力后自所述量子阱生长所述量子垒，和在升高所述金属有机化合物气相外延沉积设备的腔体的压力后自所述量子垒生长所述量子阱。按照如此规律生长3个周期至20个周期以形成所述量子阱层30。

也就是说，在本实用新型的所述半导体芯片中，所述量子阱层30的所述量子垒的生长压力低于所述量子阱的生长压力，通过这样的方式，所述量子垒的原子迁移能够被增强，以促进所述量子垒的表面二维生长，从而有利于提升所述量子垒和所述量子阱的阱垒界面的晶体质量，进而提高所述半导体芯片的光效。并且，所述量子阱层30的所述量子垒的生长压力低于所述量子阱的生长压力的生长方式，在生长所述量子垒的过程中能够促进III族元素的并入，例如In元素，从而在生长蓝绿光的所述半导体芯片时，能够提供更多的发光量子点，以提升所述半导体芯片的光效。

例如，在AlInGaN的所述量子阱层30中，所述量子阱的生长压力为200torr-300torr(包括200torr和300torr)，所述量子垒的生长压力低于所述阱区的生长压力，例如所述量子垒的生长压力比所述量子阱的生长压力低5torr-10torr。当然，本领域技术人员应当理解的是，本实用新型的说明书中以所述量子阱层30的所述量子垒的生长压力比所述量子阱的生长压力低5torr-10torr为例，以用于揭露和阐述本实用新型的所述半导体芯片的内容和范围，其并不应当被视为是对本实用新型的内容和范围的限制。例如，在选择所述量子阱层30的所述量子阱和所述量子垒的生长压力时，可以采用透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope，TEM)/X射线衍射仪(X-ray Powder diffractometer，XRD)判断所述量子阱和所述量子垒的阱垒界面的晶体质量或者同等条件下所述半导体芯片的发光效率的方式来确定所述量子阱和所述量子垒的合适的生长压力。

值得一提的是，本实用新型的所述半导体芯片的所述量子阱层30的结构和生长方式适用于全色系的所述半导体芯片，例如所述量子阱层30的结构和生长方式适用于以InGaN为主的蓝绿光和以AlGaN为主的紫外光。

接着，在所述步骤S5，自所述量子阱层30生长所述保护层90，参考附图6。具体地说，在所述金属有机化合物气相外延沉积设备的内部温度范围被降低至700℃-800℃(包括700℃和800℃)之后，向所述金属有机化合物气相外延沉积设备通入Ga源和氮源，以生长所述保护层90于所述量子阱层30，以使所述保护层90层叠于所述量子阱层30。也就是说，所述保护层90是层叠于所述量子阱层30的所述低温GaN帽层。优选地，所述保护层90的厚度尺寸范围为30nm-100nm(包括30nm和100nm)。通过生长所述保护层90于所述量子阱层30的方式，能够在后续的生长过程中维持所述量子阱层30的晶体质量，避免后续的高温生长对所述量子阱层30的组分和/或结构的破坏。

接着，在步骤S6，自所述保护层90生长所述电子阻挡层100，参考附图7。具体地说，在所述金属有机化合物气相外延沉积设备的内部温度范围被升高至900℃-1000℃(包括900℃和1000℃)后，通入Al源、Ga源、氮源和Mg源，生长镁掺杂的AlGaN的所述电子阻挡层100，其中掺杂浓度为1-10x10¹⁸cm^-3，其中Al源、Ga源和氮源为载气，Mg源为掺杂源。优选地，所述电子阻挡层100的厚度尺寸范围为0.1μm-0.5μm(包括0.1μm和0.5μm)。

接着，在步骤S7，自所述电子阻挡层100生长所述P型氮化镓层40，参考附图8。具体地说，向所述金属有机化合物气相外延沉积设备通入Ga源、氮源和硅烷(SiH4)，以生长硅掺杂的所述P型氮化镓层40于所述电子阻挡层100，其中Ga源和氮源为载气，硅烷(SiH4)为掺杂源。

优选地，所述P型氮化镓层50的厚度尺寸范围为100nm-200nm(包括100nm和200nm)。优选地，所述P型氮化镓层50的掺杂浓度为5-10x10¹⁸cm^-3。

另外，在800℃-900℃(包括800℃和900℃)温度范围于氮气(N2)氛围下退火20分钟-30分钟(包括20分钟和30分钟)，以完成所述半导体芯片的生长。值得一提的是，在退火之前，所述生长步骤还包括所述步骤S8，自所述电流扩展层80生长所述N型电极50和自所述P型氮化镓层40生长所述P型电极60，参考附图9。

依本实用新型的另一个方面，本实用新型进一步提供一半导体芯片的制造方法，其中所述制造方法包括如下步骤：

(a)层叠所述N型氮化镓层20于所述衬底10；

(b)自所述N型氮化镓层20循环生长所述量子垒和所述量子阱，以藉由多个所述量子垒和多个所述量子阱形成层叠于所述N型氮化镓层20的所述量子阱层30，其中所述量子垒的生长压力和所述量子阱的生长压力不同；

(c)层叠所述P型氮化镓层40于所述量子阱层30；以及

(d)电连接所述N型电极50于所述N型氮化镓层20和电连接所述P型电极60于所述P型氮化镓层40，以制得所述半导体芯片。

优选地，生长所述量子垒和所述量子阱的循环周期为3个周期-20个周期。

优选地，所述量子垒的生长压力低于所述量子阱的生长压力。

在所述步骤(b)中，进一步包括步骤：

(b.1)保持层叠有所述N型氮化镓层20的所述衬底10于所述金属有机化合物气相外延沉积设备；

(b.2)通入In源、Ga源、氮源和硅烷于所述金属有机化合物气相外延沉积设备生长掺杂的Alx1Iny1Ga1-x1-y1N(0<X1<1,0<Y1<1)量子垒，以形成层叠于所述N型氮化镓层的所述量子垒；

(b.3)降低所述金属有机化合物气相外延沉积设备的压力，通入In源、Ga源和氮源于所述金属有机化合物气相外延沉积设备生长未掺杂的Alx2Iny2Ga1-x2-y2N(0<X2<1,0<Y2<1)量子阱，以形成层叠于所述量子垒的所述量子阱；以及

(b.4)循环所述步骤(b.2)和所述步骤(b.3)，以层叠所述量子阱层30于所述N型氮化镓层20。

值得注意的是，在本实用新型中所涉及的“层叠”可以是直接层叠，也可以是间接层叠。例如，所述N型氮化镓层20层叠于所述衬底10可以是指所述N型氮化镓层20间接地层叠于所述衬底10，即，在所述N型氮化镓层20和所述衬底10之间还可以设置有其他层，例如，在所述N型氮化镓层20和所述衬底10之间还可以设置有所述缓冲层70。相应地，所述缓冲层70层叠于所述衬底10可以是指所述缓冲层70直接地层叠于所述衬底10，即，直接在所述衬底10上生长所述缓冲层70。

值得注意的是，在本实用新型的附图只用示出的所述半导体芯片的所述衬底10、所述缓冲层70、所述N型氮化镓层20、所述电流扩展层80、所述量子阱层30、所述保护层90、所述电子阻挡层100、所述N型电极50和所述P型电极60的厚度仅为示例，其并不表示所述衬底10、所述缓冲层70、所述N型氮化镓层20、所述电流扩展层80、所述量子阱层30、所述保护层90、所述电子阻挡层100、所述N型电极50和所述P型电极60的真实厚度。并且，所述衬底10、所述缓冲层70、所述N型氮化镓层20、所述电流扩展层80、所述量子阱层30、所述保护层90、所述电子阻挡层100、所述N型电极50和所述P型电极60之间的真实比例也不像附图中示出的那样。

本领域的技术人员可以理解的是，以上实施例仅为举例，其中不同实施例的特征可以相互组合，以得到根据本实用新型揭露的内容很容易想到但是在附图中没有明确指出的实施方式。

本领域的技术人员应理解，上述描述及附图中所示的本实用新型的实施例只作为举例而并不限制本实用新型。本实用新型的目的已经完整并有效地实现。本实用新型的功能及结构原理已在实施例中展示和说明，在没有背离所述原理下，本实用新型的实施方式可以有任何变形或修改。