1.一发光芯片，其特征在于，包括：
一外延叠层，其中所述外延叠层包括一衬底、一N型半导体层、一有源区以及一P型半导体层，所述N型半导体层层叠于所述衬底，所述有源区层叠于所述N型半导体层，所述P型半导体层层叠于所述有源区，其中所述外延叠层具有一N型焊盘裸露部和至少一N型扩展条穿孔，所述N型焊盘裸露部和所述N型扩展条穿孔相互间隔，并分别自所述P型半导体层经所述有源区延伸至所述N型半导体层；
一钝化层，其中所述钝化层具有一N型焊盘通道、至少一第一通道、一P型焊盘通道以及至少一第二通道，其中所述钝化层层叠于所述N型半导体层和所述P型半导体层，其中所述钝化层的所述N型焊盘通道和所述外延叠层的所述N型焊盘裸露部相连通，所述钝化层的所述第一通道和所述外延叠层的所述N型扩展条穿孔相连通，所述钝化层的所述P型焊盘通道和所述第二通道对应于所述外延叠层的所述P型半导体层；以及
一电极组，其中所述电极组包括一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极层叠于所述钝化层，并且所述N型电极经所述钝化层的所述N型焊盘通道和所述第一通道延伸至和被电连接于所述N型半导体层，其中所述P型电极层叠于所述钝化层，并且所述P型电极经所述钝化层的所述P型焊盘通道和所述第二通道被电连接于所述P型半导体层。
2.根据权利要求1所述的发光芯片，进一步包括一透明导电层，其中所述透明导电层层叠于所述外延叠层的所述P型半导体层，其中所述钝化层层叠于所述透明导电层，并且所述钝化层的所述P型焊盘通道和所述第二通道分别对应于所述透明导电层的不同位置，其中所述P型电极经所述钝化层的所述P型焊盘和所述第二通道延伸至和被电连接于所述透明导电层。
3.根据权利要求1所述的发光芯片，进一步包括一透明导电层，其中所述透明导电层具有一导电层穿孔，所述透明导电层层叠于所述外延叠层的所述P型半导体层，并且所述透明导电层的所述导电层穿孔对应于所述P型半导体层，其中所述钝化层层叠于所述透明导电层，并且所述钝化层的所述P型焊盘通道和所述透明导电层的所述导电层穿孔相连通，其中所述P型电极经所述钝化层的所述P型焊盘通道延伸至和被电连接于所述P型半导体层以及经所述钝化层的所述第二通道延伸至和被电连接于所述透明导电层。
4.根据权利要求3所述的发光芯片，其中所述外延叠层具有一个所述N型扩展条穿孔，所述N型扩展条穿孔在所述发光芯片的中部自所述N型焊盘裸露部向所述发光芯片的第一端部方向延伸。
5.根据权利要求3所述的发光芯片，其中所述外延叠层具有两个所述N型扩展条穿孔，两个所述N型扩展条穿孔相互对称地在所述发光芯片的侧部自所述N型焊盘裸露部向所述发光芯片的第一端部方向延伸。
6.根据权利要求3所述的发光芯片，其中所述外延叠层具有一列所述N型扩展条穿孔，一列所述N型扩展条穿孔以相邻两个所述N型扩展条穿孔相互间隔的方式在所述发光芯片的中部自所述N型焊盘裸露部向所述发光芯片的第一端部方向延伸。
7.根据权利要求3所述的发光芯片，其中所述外延叠层具有两列所述N型扩展条穿孔，每列所述N型扩展条穿孔分别以相邻两个所述N型扩展条穿孔相互间隔的方式在所述发光芯片的侧部自所述N型焊盘裸露部向所述发光芯片的第一端部方向延伸。
8.根据权利要求6所述的发光芯片，其中所述钝化层具有一个所述第一通道，所述第一通道在所述发光芯片的中部自所述N型焊盘通道向所述发光芯片的第一端部方向延伸，并且一列所述N型扩展条穿孔中的每个所述N型扩展条穿孔分别连通所述第一通道。
9.根据权利要求6所述的发光芯片，其中所述钝化层具有一列所述第一通道，一列所述第一通道以相邻两个所述第一通道相互间隔的方式在所述发光芯片的中部自所述N型焊盘通道向所述发光芯片的第一端部方向延伸，并且每个所述N型扩展条穿孔和每个所述第一通道一一相连通。
10.根据权利要求7所述的发光芯片，其中所述钝化层具有两个所述第一通道，两个所述第一通道相互对称地在所述发光芯片的侧部自所述N型焊盘裸露部向所述发光芯片的第一端部方向延伸，并且一列所述N型扩展条穿孔中的每个所述N型扩展条穿孔分别连通所述第一通道，另一列所述N型扩展条穿孔中的每个所述N型扩展条穿孔分别连通另一个所述第一通道。
11.根据权利要求7所述的发光芯片，其中所述钝化层具有两列所述第一通道，每列所述第一通道分别以相邻两个所述第一通道相互间隔的方式在所述发光芯片的侧部自所述N型焊盘通道向所述发光芯片的第一端部方向延伸，并且一列所述N型扩展条穿孔中的每个所述N型扩展条穿孔和一列所述第一通道中的每个所述第一通道一一相连通，另一列所述N型扩展条穿孔中的每个所述N型扩展条穿孔和另一列所述第一通道中的每个所述第一通道一一相连通。
12.根据权利要求9所述的发光芯片，其中所述钝化层具有两列所述第二通道，两列所述第二通道分别以相邻两个所述第二通道相互间隔的方式在所述发光芯片的侧部自所述P型焊盘通道向所述发光芯片的第二端部方向延伸，并且两列所述第二通道相对于一列所述第一通相对称。
13.根据权利要求11所述的发光芯片，其中所述钝化层具有一列所述第二通道，一列所述第二通道以相邻两个所述第二通道相互间隔的方式在所述发光芯片的中部自所述P型焊盘通道向所述发光芯片的第二端部方向延伸，并且两列所述第一通道相对于一列所述第二通道相对陈。
14.根据权利要求11所述的发光芯片，其中所述钝化层具有三列所述第二通道，一列所述第二通道以相邻两个所述第二通道相互间隔的方式在所述发光芯片的中部自所述P型焊盘通道向所述发光芯片的第二端部方向延伸，另外两列所述第二通道分别以相邻两个所述第二通道相互间隔的方式在所述发光芯片的侧部自所述P型焊盘通道向所述发光芯片的第二端部方向延伸，并且两列所述第一通道相对于位于所述发光芯片的中部的一列所述第二通道相对称。
15.根据权利要求1至14中任一所述的发光芯片，其中所述外延叠层具有一外延内壁，所述外延内壁用于界定所述N型焊盘裸露部和所述N型扩展条穿孔，其中所述外延叠层的所述外延内壁是倾斜内壁。
16.根据权利要求15所述的发光芯片，其中设所述外延叠层的所述外延内壁与所述N型半导体层的暴露面之间形成的钝角夹角参数为α，其中参数α的取值范围为：α≥135°。