技术总结
本实用新型公开了一发光芯片，其包括一外延叠层、一钝化层、一N型电极以及一P型电极，所述外延叠层具有相互间隔的自所述外延叠层的一P型半导体层经一有源区延伸至一N型半导体层的一N型焊盘裸露部和至少一N型扩展条穿孔，所述钝化层层叠于所述N型半导体层和所述P型半导体层，且所述钝化层的N型焊盘通道和所述N型焊盘裸露部相连通，所述钝化层的第一通道和所述N型扩展条穿孔相连通，所述钝化层的P型焊盘通道和第二通道对应于所述P型半导体层；所述N型电极和所述P型电极分别层叠于所述钝化层，并且所述N型电极电连接于所述N型半导体层，所述P型电极电连接于所述P型半导体层。
技术研发人员：魏振东;李俊贤;刘英策;周弘毅;邬新根
受保护的技术使用者：厦门乾照光电股份有限公司
技术研发日：2018.10.12
技术公布日：2019.06.04