具有空穴传输阻挡复合结构的OLED器件的制作方法

本实用新型涉及光电显示技术领域，具体涉及一种具有空穴传输阻挡复合结构OLED器件。

背景技术：

OLED是Organic Light EmittingDiode的英文缩写，译为有机发光二极管。

OLED的发光机理是在外加电场的作用下，电子和空穴分别从阴阳两极注入有机发光材料，注入的电子和空穴相遇配对，形成“电子-空穴对”，被称为激子，激子能量释放而发光。

现有的有机材料中，空穴传输材料的空穴迁移率普遍高于电子传输材料的电子迁移率，从而造成电子和空穴注入的不平衡，这种不平衡不利于激子的形成，从而影响OLED器件的光电特性，如发光效率、发光亮度等。

有机发光OLED器件为夹层式结构，有机功能层夹在两电极之间，现多为多层有机电致发光OLED器件，以有利于空穴和电子的平衡注入，提高OLED器件的整体性能。

空穴传输层具有较高的空穴迁移率，在不断的电子给出过程中表现出空穴的迁移特性。

为改善空穴传输层的空穴传输能力多使用空穴阻挡法，即在空穴传输层与发光层之间插入空穴阻挡层。但阻挡效果受阻挡材料和阻挡层厚度影响极大，性能稳定性差，如现有技术中空穴阻挡层(常用BCP(CAS：4733-39-5)材料)，电子迁移率太低，从而导致OLED器件工作压力过高的问题。

技术实现要素：

本实用新型要解决的技术问题是提出一种具有空穴传输阻挡复合结构的OLED器件，能够实现空穴的稳定传播；

为解决上述技术问题，本实用新型提出一种具有空穴传输阻挡复合结构的OLED器件，所述OLED器件包括ITO阳级、有机功能层和阴极，其特征在于：

所述有机功能层由依次排列的空穴注入层、空穴传输阻挡复合结构、发光层、电子传输层和电子注入层组成；

注：上述空穴注入层、发光层、电子传输层和电子注入层均为现有技术。

所述空穴传输阻挡复合结构由依次相连的n组复合组件构成，2≤n≤5；

每组复合组件包括一层空穴传输单元和一层空穴阻挡单元；

第k组复合组件的空穴阻挡单元与第k+1组复合组件的空穴传输单元相连，1≤k≤n-1；

第一组复合组件的空穴传输单元与空穴注入层相连；

第n组空穴阻挡单元与发光层相连。

作为本实用新型具有空穴传输阻挡复合结构的OLED器件的改进：

所述空穴传输阻挡复合结构由依次相连的n组复合组件构成，2≤n≤3。

作为本实用新型具有空穴传输阻挡复合结构的OLED器件的改进：

每组复合组件中空穴传输单元的厚度为5-30nm；

每组复合组件中空穴阻挡单元厚度为2-10nm。

上述ITO指铟锡氧化物。

针对现有技术，本实用新型的技术优势是：

本实用新型所提供的空穴传输阻挡复合结构可以逐步缓冲空穴的传播速度，实现空穴的稳定传播，提高OLED器件的发光效率。

附图说明

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步详细说明。

图1为本实用新型OLED器件的结构示意图；

图2为实施例1中第二组复合组件中空穴传输单元31的材料N⁴,N⁴'-二苯基-N⁴,N⁴'-二(芘-1-基)-[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺的结构式；

图3为实施例1中第二组复合组件中空穴阻挡单元32的材料5,5'-二苯基-8,8'-联喹啉的结构式；

图4为实施例1中第三组复合组件中空穴传输单元31的材料N⁴,N⁴'-二([1,1'-联苯]-4-基)-N⁴,N⁴'-二(芘-1-基)-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺的结构式；

图5为实施例1中第三组复合组件中空穴阻挡单元32的材料2-(萘-1-基)-9-苯基-1,10-邻菲啰啉的结构式；

图6为实施例2中每组复合组件中空穴传输单元31的材料N⁴,N⁴'-二([1,1'-联苯]-2-基)-N⁴,N⁴'-二(芘-2-基)-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺的结构式；

图7为实施例2中每组复合组件中空穴阻挡单元32的材料5,5'-二甲基-8,8'-联喹啉的结构式。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本实用新型进行进一步描述，但本实用新型的保护范围并不仅限于此。

OLED器件为夹层式结构，包括ITO阳级1、有机功能层和阴极7。其中有机功能层为多层结构，层次依次为空穴注入层2、空穴传输层、发光层4、电子传输层5和电子注入层6。

上述OLED器件结构为现有结构，故本说明书中无需详细告知其具体连接方式，相关领域的技术人员也能轻易获得该OLED器件。

实施例1、具有空穴传输阻挡复合结构的OLED器件，如图1-7所示，本实用新型的OLED器件设有空穴传输阻挡复合结构3，该空穴传输阻挡复合结构3代替现有技术中的空穴传输层，即，本实用新型OLED器件的有机功能层由依次排列的空穴注入层2、空穴传输阻挡复合结构3、发光层4、电子传输层5和电子注入层6构成。

上述空穴传输阻挡复合结构3由2～5组依次相连的复合组件构成，每组复合组件包括相连的一层空穴传输单元31和一层空穴阻挡单元32；

如图1所示，空穴注入层2与第一组复合组件的空穴传输单元31相连；第一组复合组件的空穴阻挡单元32与第二组复合组件的空穴传输单元31相连；第二组复合组件的空穴阻挡单元32与第三组复合组件的空穴传输单元31相连，以此类推。

即，当复合组件为n组时(2≤n≤5)，第k组复合组件的空穴阻挡单元32与第k+1组复合组件的空穴传输单元31相连，1≤k≤n-1；

第一组复合组件的空穴传输单元31与空穴注入层2相连；

第n组空穴阻挡单元32与发光层4相连。

本实施例中采用3组复合组件，即，有机功能层由依次排列的空穴注入层2、第一组复合组件、第二组复合组件、第三组复合组件、发光层4、电子传输层5和电子注入层6构成。

每组复合组件中空穴传输单元31的厚度为5-30nm，本实施例选用10nm；

每组复合组件中空穴阻挡单元32厚度为2-10nm，本实施例选用5nm。

每组复合组件中空穴传输单元31和空穴阻挡单元32的材料相匹配，且各组复合组件中空穴传输单元31和空穴阻挡单元32可采用相同的材料，也可采用不同的材料。

本实施例中各组复合组件中空穴传输单元31和空穴阻挡单元32采用不同的材料：

第一组复合组件中空穴传输单元31采用NPB材料(CAS：123847-85-8)，空穴阻挡单元32采用BCP材料(CAS：4733-39-5)；

第二组复合组件中空穴传输单元31采用N⁴,N⁴'-二苯基-N⁴,N⁴'-二(芘-1-基)-[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺(结构式如图2所示)，空穴阻挡单元32采用5,5'-二苯基-8,8'-联喹啉(如图3所示)；

第三组复合组件中空穴传输单元31采用N⁴,N⁴'-二([1,1'-联苯]-4-基)-N⁴,N⁴'-二(芘-1-基)-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(如图4所示)，空穴阻挡单元32采用2-(萘-1-基)-9-苯基-1,10-邻菲啰啉(如图5所示)；

本实施例所得OLED器件的亮度-电流-电压特性如下：

在14V电压下，电流密度387mA/cm²。最大亮度19800cd/m²，流明效率5.3cd/A。

注：采用现有的电流-电压源Keithley Source2400测试系统测量OLED器件的亮度-电流-电压特性。

实施例2、将实施例1中所采用的3组复合组件进行以下更改：

本实施例中各组复合组件中空穴传输单元31和空穴阻挡单元32采用相同的材料：

每组复合组件中空穴传输单元31均采用N⁴,N⁴'-二([1,1'-联苯]-2-基)-N⁴,N⁴'-二(芘-2-基)-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(如图6所示)，空穴阻挡单元32均采用5,5'-二甲基-8,8'-联喹啉(如图7所示)。

其余均等同于实施例1。

本实施例所制备的OLED器件，在14V电压下，电流密度356mA/cm²。最大亮度17800cd/m²，流明效率3.8cd/A。

对比例1、将实施例2中空穴传输层所设空穴传输阻挡复合结构更改为依次相连的空穴传输层和空穴阻挡层，即，有机功能层由依次排列的空穴注入层2、空穴传输层、空穴阻挡层、发光层4、电子传输层5和电子注入层6构成。

此处空穴传输层组件由依次相连的3个空穴传输单元31(实施例2中的空穴传输单元31)构成，总厚度为30nm；空穴阻挡层由依次相连的3个空穴阻挡单元32(实施例2中的空穴阻挡单元32)构成，总厚度为15nm；即OLED器件所用材料不变、总厚度不变；

其余均等同于实施例2。

实验结果：所制备的OLED器件，在14V电压下，电流密度180mA/cm²。最大亮度9100cd/m²，流明效率1.2cd/A。

最后，还需要注意的是，以上列举的仅是本实用新型的若干个具体实施例。显然，本实用新型不限于以上实施例，还可以有许多变形。本领域的普通技术人员能从本实用新型公开的内容直接导出或联想到的所有变形，均应认为是本实用新型的保护范围。