显示面板和显示终端的制作方法

本实用新型涉及显示器件技术领域，特别是涉及一种显示面板和显示终端。

背景技术：

随着电子设备的快速发展，用户对屏占比的要求越来越高，使得电子设备的全面屏显示受到业界越来越多的关注。

对于传统的电子设备如手机、平板电脑等，由于需要集成诸如前置摄像头、听筒和红外感应元件等的器件，所以需要在显示面板上开槽(notch)或在显示面板上开孔，以在开槽区域或开孔区域设置这些器件。但是，开槽区域或开孔区域均不用于显示画面。

因此，这些电子设备均不是真正意义上的全面屏，并不能在整个屏幕的各个区域均进行显示，如在摄像头区域不能显示画面；同时，不同显示区之间的交界处存在黑线缺陷。

技术实现要素：

基于此，有必要针对上述技术问题提供了一种显示面板和显示终端，来有效改善显示面板上相邻显示区域交界处存在的黑线区域，来提升显示面板及显示终端的显示性能。

在一个可选的实施例中，一种显示面板，该显示面板可具有第一显示区和第二显示区，所述第一显示区与所述第二显示区的类型相异，以及

在作为同一屏幕显示时，所述第一显示区与所述第二显示区间具有亮度差，且所述第一显示区与所述第二显示区的交界线具有凹凸形状，以模糊处理因亮度差而造成的黑线缺陷，进而提升器件的显示性能。

在一个可选的实施例中，所述凹凸形状包括锯齿形状。

在一个可选的实施例中，所述第一显示区在与所述第二显示区交界处设置有多个第一凸起区域；

所述第二显示区在与所述第一显示区交界处设置有多个第二凸起区域，以及所述第一凸起区域与所述第二凸起区域交错分布。

在一个可选的实施例中，所述第二显示区为被所述第一显示区部分地或全部地围绕的区域，或者所述第二显示区为不被所述第一显示区围绕的区域。

在一个可选的实施例中，所述第一显示区为PMOLED显示区，所述第二显示区为AMOLED显示区。

在一个可选的实施例中，各所所述第一凸起区域中设置有至少一行或至少一列像素单元区的部分区域，且所述像素单元区为同一个阳极结构所驱动的像素区。

在一个可选的实施例中，所述第一显示区为类AMOLED显示区，所述第二显示区为AMOLED显示区，

在所述类AMOLED显示区中，屏体的像素电路为无电容电路，且该像素电路中的开关元件的数量为一个。

在一个可选的实施例中，所述开关元件为驱动TFT。

在一个可选的实施例中，提供了一种显示终端，可包括：

设备本体，具有器件区；

如上述任意一项所述的显示面板，覆盖在所述设备本体上，

所述器件区位于所述第二显示区下方，且所述器件区中设置有透过所述第二显示区进行光线采集的所述感光器件。

在一个可选的实施例中，所述器件区为开槽区；以及

所述感光器件包括摄像头和/或光线感应器。

附图说明

图1是传统相邻显示区因亮度差异而出现黑线的示意图；

图2是传统AM显示区与PM显示区交界处的示意图；

图3是一个可选的实施例中显示面板的结构示意图；

图4是一个实施例中显示终端的结构示意图；

图5是图4中所示设备本体的结构示意图；

图6是图4中所示显示面板体的结构示意图；

图7是一个可选的实施例中的类AMOLED屏体的剖视图。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳的实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

在描述位置关系时，除非另有规定，否则当一元件例如层、膜或基板被指为在另一膜层“上”时，其能直接在其他膜层上或亦可存在中间膜层。进一步说，当层被指为在另一层“下”时，其可直接在下方，亦可存在一或多个中间层。亦可以理解的是，当层被指为在两层“之间”时，其可为两层之间的唯一层，或亦可存在一或多个中间层。

在使用本文中描述的“包括”、“具有”、和“包含”的情况下，除非使用了明确的限定用语，例如“仅”、“由……组成”等，否则还可以添加另一部件。除非相反地提及，否则单数形式的术语可以包括复数形式，并不能理解为其数量为一个。

应当理解，尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件和另一个元件区分开。例如，在不脱离本实用新型的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。

还应当理解的是，在解释元件时，尽管没有明确描述，但元件解释为包括误差范围，该误差范围应当由本领域技术人员所确定的特定值可接受的偏差范围内。例如，“大约”、“近似”或“基本上”可以意味着一个或多个标准偏差内，在此不作限定。

此外，在说明书中，短语“平面示意图”是指当从上方观察目标部分时的附图，短语“截面示意图”是指从侧面观察通过竖直地切割目标部分截取的剖面时的附图。

此外，附图并不是1：1的比例绘制，并且各元件的相对尺寸在附图中仅以示例地绘制，而不一定按照真实比例绘制。

在传统的电子设备如手机、平板电脑等中，由于需要集成诸如前置摄像头、听筒以及红外感应元件等，故而可通过在显示屏上开槽(Notch)，以在开槽区域设置摄像头、听筒以及红外感应元件等。但开槽区域并不用来显示画面，如现有技术中的刘海屏，或者采用在屏幕上开孔的方式，对于实现摄像功能的电子设备来说，外界光线可通过屏幕上的开孔处进入位于屏幕下方的感光元件。但是这些电子设备均不是真正意义上的全面屏，并不能在整个屏幕的各个区域均进行显示，如在摄像头区域不能显示画面。

针对上述问题，技术人员研发了一种显示屏，其通过在在开槽区域设置透明显示面板的方式来实现电子设备的全面屏显示。根据驱动方式的不同，OLED 可以分为PMOLED(passive matrix OLED，被动式驱动有机发光二极管)和 AMOLED(active matrix OLED，主动式驱动有机发光二极管)两种。以PMOLED 为例，PMOLED显示阵列的同一行显示单元的同一性质电极是共用的，并且同一列显示单元同一性质电极也是共用的。具体而言，PMOLED显示屏体是以阴极、阳极构成矩阵，以扫描方式点亮阵列中的像素，每个像素都是操作在短脉冲模式下，为瞬间高亮度发光。研究发现，由于PMOLED显示屏体无TFT背板和金属走线，使得光线透过率高，而可以被应用于前述的透明显示面板。

针对显示面板的采用诸如PMOLED显示屏体和AMOLED显示屏体进行全面屏显示时，由于其驱动方式、器件结构等均具有较大的差异性，故而会使得两个显示屏体所对应的显示区亮度存在明显差异，进而会导致在全面屏显示时，在两个显示区之间会存在明显的界线，甚至会出现黑线，从而会大幅度的降低全面屏的显示效果。

为了解决上述的问题，本申请的实施例中创造性的提出，通过在相邻的存在亮度差异的显示区之间的区域中，设置一个亮度介于两者之间的显示过渡区，且该显示过渡区中设置有亮度逐渐变化的多个显示过渡单元区，从而来减轻，甚至消除两个显示区之间的显示界线，避免全面屏显示时出现黑线的缺陷，提升全面屏的显示效果。

图1是一个可选的实施例中显示面板的结构示意图。如图1所示，在一个可选的实施例中，显示面板10可具有多个显示区，例如图1中所示的第一显示区11、第二显示区12和显示过渡区13等，且上述的第一显示区11和第二显示区12作为全面屏显示时，会存在一定的亮度差。显示过渡区13则设置在上述第一显示区11与第二显示区12之间的区域中，且沿从第二显示区12向第一显示区11延伸的方向上，显示过渡区13可包括依次相邻设置的至少两个显示过渡单元区，即如图1中所示的第一显示过渡单元区131、第二显示过渡单元区 132、第三显示过渡单元区133和第四显示过渡单元区134。其中，上述的至少两个显示过渡单元区的数量可以为两个、三个、四个、五个等，具体可依据第一显示区11与第二显示区12之间的亮度差及需求进行适应性调整，本申请实施例中对具体的数量并无特别的限定。

如图1所示，当显示过渡区13与第一显示区11和第二显示区12共同作为全面屏显示(即作为同一屏幕显示)时，显示过渡区13的亮度介于第一显示区 11的亮度与第二显示区12的亮度之间，且第一显示过渡单元区131、第二显示过渡单元区132、第三显示过渡单元区133和第四显示过渡单元区134的亮度也渐次变化；例如，作为同一屏幕显示时，第一显示过渡单元区131的亮度大于第二显示区12的亮度、第二显示过渡单元区132的亮度大于第一显示过渡单元区131的亮度、第三显示过渡单元区133的亮度大于第二显示过渡单元区132 的亮度、第四显示过渡单元区134的亮度大于第三显示过渡单元区133的亮度、第一显示区11的亮度大于第四显示过渡单元区134的亮度，也可设置为第一显示过渡单元区131的亮度小于第二显示区12的亮度、第二显示过渡单元区132 的亮度小于第一显示过渡单元区131的亮度、第三显示过渡单元区133的亮度小于第二显示过渡单元区132的亮度、第四显示过渡单元区134的亮度小于第三显示过渡单元区133的亮度、第一显示区11的亮度小于第四显示过渡单元区 134的亮度，即在作为同一屏幕显示时，上述第二显示区12、第一显示过渡单元区131、第二显示过渡单元区132、第三显示过渡单元区133、第四显示过渡单元区134和第一显示区11之间的亮度呈现逐渐增强或逐渐降低的趋势，进而通过该显示过渡区13来减轻，甚至消除第一显示区11和第二显示区12作为全面屏显示时，因存在亮度差而出现的界线等缺陷，进而提升全面屏显示的效果。

在一个可选的实施例中，在作为同一屏幕显示时，相邻显示过渡单元区之间的亮度差可相同或不同，但任意两相邻显示过渡单元区之间的亮度差均需大于1nit，例如可以为3int、5int、7int等。如图1所示，在作为同一屏幕显示时，第一显示过渡单元区131的亮度与第二显示区12的亮度差、第二显示过渡单元区132的亮度与第一显示过渡单元区131的亮度差、第三显示过渡单元区133 的亮度与第二显示过渡单元区132的亮度差、第四显示过渡单元区134的亮度与第三显示过渡单元区133的亮度差、第一显示区11的亮度与第四显示过渡单元区134的亮度差均为3int，进而使得显示过渡区13呈现均匀的亮度变化，从而能够进一步的消除相邻显示区之间的亮度界线，提升显示面板的显示效果。

在一个可选的实施例中，如图1所示，上述的显示过渡区13的类型可与第一显示区11或第二显示区12类型相同，还可通过诸如调整像素开口率、像素密度等来改变显示过渡区13中各示过渡单元区的单位显示面积，和/或，调整显示过渡区13驱动电路中TFT器件的沟道宽长比等技术方案，使得上述的显示过渡区13中的过渡单元区亮度介于第一显示区11的亮度与第二显示区12的亮度之间，且使得第一显示区11、第二显示区12与显示过渡区13之间、以及各相邻过渡单元区之间均呈均匀的亮度变化，以进一步的改善相邻显示区之间的亮度差界线。

图2是一个可选的实施例中在主显示区中设置有过渡显示区的示意图。如图2所示，显示面板20具有主显示区21和副显示区22，且该副显示区22可为被主显示区21部分地(如图2所示)或全部地围绕的区域，同时该副显示区也可为不被主显示区围绕的区域。主显示区21可包括显示过渡单元区211和主显示单元区212，即显示过渡单元区211与主显示单元区212为形成在同一基板上的相同类型的显示区，同时由于副显示区22和主显示单元区212是不同类型的显示区，且其驱动方式、器件结构等均具有较大的差异，进而会使得其作为同一屏幕进行全面屏显示时，两者之间会存在一定的亮度差。例如，如图2所示，当主显示单元区212的亮度高于副显示区22时，显示过渡单元区211则可基于主显示单元212的基础上，采用图1中设置各过渡单元区的方式，通过诸如减小像素开口率、降低像素密度、减小像素驱动电路中TFT器件的沟道宽长比等方式，来降低显示过渡单元区211的亮度，以使得作为同一屏幕显示时，显示过渡单元区21的亮度介于副显示区22的亮度与主显示单元区212的亮度之间，且相邻的显示过渡单元区之间也呈均呈均匀的亮度变化，以进一步的改善相邻显示区之间的亮度差界线。而当主显示单元区212的亮度低于副显示区22时，显示过渡区211则可基于主显示单元212的基础上，通过诸如增大像素开口率、增大像素密度、增大像素驱动电路中TFT(thin film transistor，薄膜晶体管)器件的沟道宽长比等方式，来提升显示过渡区211的亮度，且相邻的显示过渡单元区之间也呈均呈均匀的亮度变化，以使得作为同一屏幕显示时，显示过渡单元区21的亮度介于副显示区22的亮度与主显示单元区212的亮度之间。

图3是一个可选的实施例中在副显示区中设置有过渡显示区的示意图。如图3所示，显示面板30具有主显示区31和副显示区32，且该副显示区32可为被主显示区31部分地(如图3所示)或全部地围绕的区域，同时该副显示区也可为不被主显示区围绕的区域。副显示区32可包括副显示单元区321和显示过渡单元区322，即显示过渡单元区322与副显示单元区321为形成在同一基板上的相同类型的显示区，同时由于主显示区31和副显示单元区321是不同类型的显示区，且其驱动方式、器件结构等均具有较大的差异，进而会使得其作为同一屏幕进行全面屏显示时，两者之间会存在一定的亮度差。例如，如图3所示，当副显示单元区321的亮度高于主显示区31时，显示过渡单元区322则可基于副显示单元区321的基础上，通过诸如减小像素开口率、降低像素密度、减小像素驱动电路中TFT器件的沟道宽长比等，来降低显示过渡单元区322的亮度，以使得作为同一屏幕显示时，显示过渡单元区322的亮度介于主显示区31的亮度与副显示单元区321的亮度之间，且设置在过渡单元区322中的各相邻的显示过渡子单元区之间也呈均呈均匀的亮度变化(可参考图1设置的显示过渡单元区)。而当副显示单元区321的亮度高于主显示区31时，显示过渡单元区322 则可基于副显示单元区321的基础上，可通过诸如增大像素开口率、增大像素密度、增大像素驱动电路中TFT器件的沟道宽长比等，采用图1中设置各过渡单元区的方式，来提升显示过渡单元区322的亮度，且位于该显示过渡单元区 322中各相邻显示过渡子单元区的之间的亮度也呈均匀变化(可参考图1设置的显示过渡单元区)，以使得作为同一屏幕显示时，显示过渡单元区322的亮度介于主显示区31的亮度与副显示单元区321的亮度之间。

在一个可选的实施例中，上述的主显示区中均可设置诸如有机发光二极管 (organic light-emitting diode，简称OLED)或液晶发光(liquid crystal display，简称LCD)等透明显示屏体，而副显示区中的屏体可为被动矩阵式有机发光二极管(passive matrix organic light-emitting diode，简称PM OLED)显示单元区或类主动矩阵式有机发光二极管(active-matrix organic light emitting diode，简称类 AM OLED)显示单元区，而主显示区中的屏体可为AMOLED显示单元区。

在一个可选的实施例中，上述的显示面板可为透明显示屏，该显示面板可包括多个膜层，为了确保该显示面板具有“透明”的性能，各膜层的透光率均可大于90％，而所述显示面板的透光率可大于70％。例如，各膜层的透光率为 91％、93％、95％、97％、98％和/或99％等，而显示面板的透光率为70％、75％、 80％、85％、90％或95％等；上述的透光率具体可根据实际需求及工艺能力而定，同时显示面板中的像素定义层及平坦化层也可采用高透光率的材质，只要上述的各个膜层能确保显示面板透明即可。

在另一个可选的实施例中，上述透明显示面板实施例中的像素定义层的材质可为阻光材料，以用于对形成在像素定义层上像素开口中的显示模组所形成的衍射进行改善，以进一步的降低透明显示面板所产生的衍射；同时，为了确保透明显示面板的透明度，上述透明显示面板中各个膜层的透光率均可大于90％(如大于90％、92％、94％、95％和/或98％等)，而整个显示屏的透光率要大于70％(如大于70％、76％、80％、88％或98％等)。另外，透明显示面板中的导电膜层的材质可为ITO、IZO、掺杂有Ag的ITO或掺杂有Ag的IZO等材质，透明显示面板中的绝缘膜层的材质可为SiO2薄膜、SiNx薄膜和Al2O3薄膜等透明绝缘材料，以进一步确保透明显示面板的透光率。

图4是一个可选的实施例中TFT器件的沟道示意图。如图4所示，在一个可选的实施例中，如图2和4所示，主显示区21可为AMOLED显示区，副显示区22则可为PMOLED显示区，由于OLED器件的亮度与通过驱动TFT器件的输出电流成正向关系，而TFT器件的电流Ioled公式为：

其中，μn为驱动TFT的电子迁移率，Cox为单位面积栅氧化层电容，VGS为栅极源极电压，Vth为阈值电压，W为驱动TFT器件沟道40的宽度，L为驱动TFT 器件沟道40的长度。

如图1和4所示，基于上述的电流公式可知，可通过增大驱动TFT器件沟道40的宽度W，和/或减小驱动TFT器件沟道40的长度，来提升驱动TFT器件的沟道宽长比，继而来提升驱动TFT器件的输出电流，以达到提升显示区亮度的目的。相应地，也可通过减小驱动TFT器件沟道40的宽度W，和/或增大驱动TFT器件沟道40的长度，来降低驱动TFT器件的沟道宽长比，继而来降低驱动TFT器件的输出电流，以达到降低显示区亮度的目的。即通过改变驱动 TFT器件的沟道宽长比(W/L)，来改变驱动TFT器件的输出电流，从而在相同数据(data)信号的前提下，使得显示过渡单元区211的亮度介于副显示区22 的亮度与主显示单元区212的亮度之间。

在一个可选的实施例中，上述实施例中的显示过渡区为AMOLED显示区时，该显示过渡区中设置有至少一行或至少一列子像素区；而若显示过渡区为 PMOLED显示区时，则该显示过渡区中设置有至少一行或至少一列像素单元区，且上述的像素单元区为同一个阳极结构所驱动的像素区，以确保显示过渡区能够正常的显示。

图5是一个实施例中显示终端的结构示意图，图6是图5中所示设备本体的结构示意图，图7是图5中所示显示面板体的结构示意图。如图5～7所示，在一个可选的实施例中，本申请还提供了一种显示终端50，该显示终端50可包括设备本体52和显示屏体54，且显示屏体54设置在设备本体52上，且该设备本体52与显示屏体54相互连接。其中，显示屏体54可为上述任一实施例中所阐述的显示面板，用以显示设备本体52所发送的数据或信号，和/或操控该设备本体52进行各项工作。

在一个可选的实施例中，参见图6所示，上述的设备本体52上可开设有非器件区522和器件区524，且在器件区524中可设置有诸如摄像头526及光线传感器等感光器件。继续参见图7所示，上述的显示屏体54可包括第一显示单元区544(即副显示区)和第二显示单元区542(即主显示区)。参见图5～7所示，当显示屏体54贴合固定在设备本体52上时，第一显示单元区(如开槽区)544 对应上述的器件区524贴合在一起，以使得上述的诸如摄像头526及光线传感器等感光器件能够透过该第一显示单元区544，对外部光线60进行光线采集及感测等操作。其中，上述的显示屏体54为本申请任一实施例中的显示面板时，通过在第二显示单元区542中临近第一显示单元区541的位置处设置显示过渡区(图中未示出)，以使得第二显示单元区542、显示过渡区和第一显示单元区 541在作为同一屏幕显示时，显示亮度能够呈现渐次变化，且设置在显示过渡区中的显示过渡单元区的亮度也呈渐次变化，以使得相邻显示区之间的亮度能够呈现均匀的变化，从而有效避免因相邻显示单元区之间的亮度差过大而造成诸如黑线的缺陷等，进而提升显示终端中显示屏的显示效果。

另外，如图6所示，为了提升感光器件透过上述的第一显示单元区544所采集光线的数量，可设置上述的第一显示单元区544中的屏体结构为透明屏体，并可在感光器件工作时使得第一显示单元区544处于非显示状态，以提升第一显示单元区544的透光率，进而提升感光器件采集外部光线的性能。

在另一个可选的实施例中，如图6所示，第一显示单元区544中的屏体为 PMOLED屏体或类AMOLED屏体，第二显示单元区542中的屏体为AMOLED 屏体。其中，类AMOLED屏体是指其像素电路仅包含一个开关元件(即驱动 TFT)，而无电容结构。类AMOLED屏体的其他结构与AMOLED显示面板相同。下面以第一显示区544中的屏体为类AMOLED屏体为例进行说明：

图7为一实施例中的类AMOLED屏体的剖视图。参见图7所示，该类 AMOLED屏体包括基板610以及设置于基板610上的像素电路620(也即TFT 阵列)。像素电路620上设置有第一电极层。第一电极层包括多个第一电极630。第一电极630与像素电路620一一对应。此处的第一电极630为阳极。类 AMOLED屏体还包括像素限定层640，设置于第一电极630上。像素限定层640 上具有多个开口，开口内设置有发光结构层650，以形成多个子像素，子像素与第一电极630一一对应。发光结构层650的上方设置有第二电极660，第二电极 660为阴极，该阴极为面电极，也就是由整面的电极材料形成的整面电极。像素电路640中设置有扫描线、数据线和TFT开关元件。扫描线和数据线均与TFT 开关元件连接。扫描线控制TFT开关元件的开启和关闭，数据线在像素开启时，为第一电极630提供驱动电流，以控制子像素发光。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。