1.一种太阳能电池外延结构，包括待剥离衬底和设置在所述待剥离衬底上的牺牲层和电池层，沿远离所述待剥离衬底的方向，所述牺牲层和所述电池层依次设置，所述牺牲层用于辅助所述待剥离衬底与所述电池层分离，其特征在于，所述牺牲层包括至少一个叠层单元，沿远离所述待剥离衬底的方向，各所述叠层单元依次叠置，所述叠层单元包括相互叠置的第一砷化铝层和第二砷化铝层，所述第一砷化铝层和所述第二砷化铝层均为n型掺杂层，且所述第一砷化铝层和所述第二砷化铝层的掺杂浓度不同。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池外延结构，其特征在于，所述第一砷化铝层的掺杂浓度范围为1×1017cm-3～1×1019cm-3；所述第二砷化铝层的掺杂浓度范围为1×1019cm-3～1×1021cm-3。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池外延结构，其特征在于，所述叠层单元的数量为1～5个。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池外延结构，其特征在于，所述第一砷化铝层的厚度范围为1～10nm；所述第二砷化铝层的厚度范围为1～10nm。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池外延结构，其特征在于，所述牺牲层还包括第三砷化铝层，所述第三砷化铝层位于所述叠层单元的靠近所述电池层的一侧，所述第三砷化铝层为n型掺杂层，且所述第三砷化铝层的掺杂浓度低于所述第一砷化铝层和所述第二砷化铝层中任一的掺杂浓度。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池外延结构，其特征在于，所述第三砷化铝层的掺杂浓度范围为0～1×1017cm-3。
7.根据权利要求5所述的太阳能电池外延结构，其特征在于，所述第三砷化铝层的厚度范围为1～10nm。