一种高工作电压的四级降压收集极的制作方法

本实用新型涉及一种行波管的收集极，具体设计一种尺寸小，多级降压，高可靠、高效率的高工作电压的四级降压收集极。

背景技术：

行波管的应用范围非常广阔，卫星通信都使用行波管作为末级放大器。在大多数雷达系统中都要使用一只或若干只行波管作为产生高频发射脉冲的大功率放大器。此外，在其它设备中行波管还可用作某些大功率射频放大器，如正交场放大器的激励级。应用行波管最多的领域是电子对抗系统。随着时代发展和工艺、技术进步，对行波管的技术要求向高功率、高频率、高效率和小型化的技术方向发展。

收集极作为行波管中高能电子的能量回收装置，要求散热能力好、效率高、结构可靠性高。针对大功率的行波管，通过降压收集极设计技术，可有效降低整管功耗和配套电源的技术要求。目前多级降压收集极常用绝缘瓷支撑结构有瓷柱、瓷杆/板，装配工艺有磁挤压、焊接、热压等。但是缺少尺寸小，工作电压高、装配工艺简单的四级降压收集极。

技术实现要素：

发明目的：本实用新型的目的是为了克服现有技术的不足，提供一种结构设计合理，尤其是工作电压高、尺寸小，可靠性高，效率高，装配工艺简单、结构强度好、散热能力强、环境适应性强、寿命长的四级降压收集极。

技术方案：为了实现以上目的，本实用新型采取的技术方案为：

一种高工作电压的四级降压收集极，它包括收集极芯、3个圆弧瓣氧化铍绝缘瓷和收集极外套；所述的3个圆弧瓣氧化铍绝缘瓷间隔均匀紧固安装在收集极芯和收集极外套之间；

所述的圆弧瓣氧化铍绝缘瓷的内弧面开设有至少一个收集极电极的定位凹槽，第一收集极电极、第二收集极电极、第三收集极电极和第四收集极电极分别嵌入在定位凹槽内；

所述的第一收集极电极、第二收集极电极、第三收集极电极和第四收集极电极的电极引线均从3个圆弧瓣氧化铍绝缘瓷之间的间隙穿出；

所述的3个圆弧瓣氧化铍绝缘瓷沿瓷环弧面加工有延长绝缘距离的棱条。

作为优选方案，以上所述的高工作电压的四级降压收集极，3个圆弧瓣氧化铍绝缘瓷内壁面在轴向上开有延长绝缘距离的槽。

作为优选方案，以上所述的高工作电压的四级降压收集极，圆弧瓣氧化铍绝缘瓷的角度为105°。

本实用新型这种圆弧瓣氧化铍绝缘瓷装配工艺简单，不用考虑中间电极对地耐压要求，而极间压差较低，耐压容易实现；轴向绝缘距离可以从长度上设计、加工；径向绝缘距离沿圆环周长设计、加工。绝缘瓷结构简单，加工难度低，在保证陶瓷强度、尺寸要求的前提下还能设计足够长的绝缘距离，绝缘、防打火可靠性高。

绝缘瓷内弧面加工有各电极的定位凹槽，陶瓷定位尺寸加工精度高，可有效控制电极装配精度。

本实用新型收集极绝缘瓷为散热性能好的氧化铍瓷，是由瓷筒均分为3圆弧瓣，每瓣角度105°；每个氧化铍瓷的内弧面开设有至少一个收集极电极定位的凹槽，

有益效果：本实用新型提供的高工作电压的四级降压收集极与现有技术收集极相比，具有以下优点：

本实用新型所述的高工作电压的四级降压收集极，结构设计合理，尤其是工作电压高、尺寸小，可靠性高，效率高，装配工艺简单、结构强度好、散热能力强、环境适应性强、寿命长，绝缘、防打火可靠性高。

本实用新型的四级降压收集极可保证800W直流功耗散热结构强度前提下，径向尺寸小于10mm，且可满足工作电压22kV使用要求，外加R15mm辐条散热器，风量150kg/h条件下，收集极外套上监测点工作温度低于90℃的设计要求，取得了很好的技术效果。

附图说明

图1为本实用新型所述的高工作电压的四级降压收集极纵剖面的结构示意图。

图2为本实用新型所述的高工作电压的四级降压收集极横截面的结构示意图。

图3为本实用新型3个圆弧瓣氧化铍绝缘瓷的结构示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例，进一步阐明本实用新型，应理解这些实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围，在阅读了本实用新型之后，本领域技术人员对本实用新型的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。

如图1至图3所示，一种高工作电压的四级降压收集极，它包括收集极芯1、3个圆弧瓣氧化铍绝缘瓷2和收集极外套3；所述的3个圆弧瓣氧化铍绝缘瓷2间隔均匀紧固安装在收集极芯1和收集极外套3之间；

所述的圆弧瓣氧化铍绝缘瓷2的内弧面开设有至少一个收集极电极的定位凹槽2-1，第一收集极电极4、第二收集极电极5、第三收集极电极6和第四收集极电极7分别嵌入在定位凹槽2-1内；

所述的第一收集极电极4、第二收集极电极5、第三收集极电极6和第四收集极电极7的电极引线8均从3个圆弧瓣氧化铍绝缘瓷2之间的间隙穿出；

所述的3个圆弧瓣氧化铍绝缘瓷2沿瓷环弧面加工有延长绝缘距离的棱条。3个圆弧瓣氧化铍绝缘瓷2内壁面在轴向上开有延长绝缘距离的槽。

以上所述的高工作电压的四级降压收集极，圆弧瓣氧化铍绝缘瓷2的角度为105度。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。