1.一种分布反馈激光器阵列，其特征在于，包括衬底及在衬底上依次生长的缓冲层、光栅层、选择生长区域外延层，在所述光栅层的不同区域具有周期不同的均匀光栅，选择生长区域的位置与不同周期的光栅的位置相对应；
所述选择生长区域外延层自下而上依次包括间隔层、下波导层、多量子阱、上波导层和覆盖层；
在选择生长区域以外的区域生长有电流阻挡层；
在选择生长区域的覆盖层和电流阻挡层上依次生长有空间层和欧姆接触层。
2.如权利要求1所述的分布反馈激光器阵列，其特征在于，不同周期光栅的波长在对应选择生长区域材料增益谱峰值左侧的20nm处。
3.如权利要求1所述的分布反馈激光器阵列，其特征在于，所述电流阻挡层自下而上依次包括掺Fe的半绝缘InP层和N-InP层。
4.如权利要求1所述的分布反馈激光器阵列，其特征在于，所述选择生长区域的宽度为2.5μm。
5.如权利要求1-4之一所述的分布反馈激光器阵列，其特征在于，所述衬底为N-InP衬底；所述缓冲层为N-InP缓冲层，其厚度为800nm；所述光栅层为N-InGaAsP光栅层，其厚度为100nm；所述间隔层为N-InP间隔层，其厚度为90nm；所述下波导层为无掺杂AlGaInAs下波导层，其厚度为80nm；所述多量子阱为10层周期为15nm的压应变AlGaInAs多量子阱；所述上波导层为无掺杂AlGaInAs上波导层，其厚度为80nm；所述覆盖层为P-InP覆盖层，其厚度为50nm；所述电流阻挡层自下而上依次包括掺Fe的InP层和N-InP层，所述掺Fe的半绝缘InP层的厚度为700nm，所述N-InP层的厚度为800nm；所述空间层为P-InP空间层，其厚度为2000nm；所述欧姆接触层为P-InGaAs欧姆接触层，其厚度为300nm。
6.如权利要求5所述的分布反馈激光器阵列，其特征在于，所述激光器阵列还形成有双沟限制的脊形波导结构，所述脊形波导结构两侧的沟槽的深度为4μm，双沟槽间台面宽度为10μm。
7.如权利要求6所述的分布反馈激光器阵列，其特征在于，所述激光器阵列还形成有Bar条，所述Bar条腔长为150μm，腔面分别具有反射率为1％的高透膜和反射率为95％的高反膜。