1.一种半导体激光器驱动电路，其特征在于,
包括N路充电及储能模块、激光发射模块、N路激光发光控制模块；
所述N路充电及储能模块，64≥N≥2，其中每路中又包括：限流电阻Ri、整流二极管Di、储能电容Ci；
所述限流电阻一端Ri与所述整流二极管Di相连接，所述整流二极管Di与所述储能电容Ci相连接；
每路中的所述限流电阻Ri的另一端相互连接，并与外接高压相连，所述N路充电及所述储能模块用于储存激励激光管发光的高压；
所述激光发射模块，包括N个半导体激光管，每个所述半导体激光管的阳极与所述N路充电及所述储能模块中的充电电容Ci相连，用于产生激光脉冲；
所述N路激光发光控制模块，64≥N≥2，其中每路中包括NMOS管、激光驱动脉冲信号，每路的NMOS管Qi漏极与所述激光发射模块对应的半导体激光管的阴极相连，所述NMOS管Qi源极与地连接，所述NMOS管Qi栅极与激光驱动信号相连接；
所述N路激光发光控制模块用于控制所述激光发射模块分时发光。
2.根据权利要求1所述的一种半导体激光器驱动电路，其特征在于，
在进行PCB绘制时所述充电电容Ci与半导体激光管阳极相连的引脚到对应的半导体激光管阳极的路径距离为小于10mm；
所述NMOS管Qi漏极到对应的半导体激光管阴极的路径距离为小于10mm；
所述NMOS管Qi源极与所述充电电容Ci的接地引脚的路径距离为小于10mm。
3.根据权利要求1所述的一种半导体激光器驱动电路，其特征在于所述N路充电及储能模块，所述储能电容为NP0或COG材质电容。
4.根据权利要求1所述的一种半导体激光器驱动电路，其特征在于所述N路充电及储能模块，所述储能电容容值为100pF-1nF。
5.根据权利要求1所述的一种半导体激光器驱动电路，其特征在于所述激光发射模块为激光管阵列。
6.根据权利要求1所述的一种半导体激光器驱动电路，其特征在于所述NMOS管为氮化镓MOS管。
7.一种激光雷达，其特征在于包括权利要求1-6任意一项所述的一种半导体激光器驱动电路。