技术特征：
技术总结
公开了键合的半导体结构及其制造方法的实施例。在示例中，一种半导体器件包括第一半导体结构、第二半导体结构、以及第一和第二半导体结构之间的键合界面。第一半导体结构包括衬底、设置于衬底上的第一器件层、以及设置于第一器件层上方并包括第一键合触点的第一键合层。第二半导体结构包括第二器件层、以及设置于第二器件层下方并包括第二键合触点的第二键合层。第一键合触点在键合界面处与第二键合触点接触。第一键合触点和第二键合触点中的至少一个包括帽盖层，所述帽盖层在所述键合界面处并且具有与相应的所述第一键合触点或所述第二键合触点的其余部分不同的导电材料。
技术研发人员：潘杰;吕术亮;马亮;李远;胡思平;万先进
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2018.08.13
技术公布日：2019.01.04