电路模块的制作方法

本发明涉及一种电路模块(circuitmodule)，特别涉及一种高频电路用的电路模块。

背景技术：

专利文献1(国际公开第2012/101920号)中记载了一种电路模块，该电路模块具备：基板；安装在基板的主面上的电子部件；覆盖基板的主面和电子部件的绝缘体层；以及由导电性材料形成的屏蔽层。绝缘体层在其主面设置有凹部。屏蔽层覆盖绝缘体层的主面和凹部的内周面。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2012/101920号

技术实现要素：

发明要解决的问题

在专利文献1的电路模块中，通过屏蔽层，噪声向电路模块外的辐射、噪声向电路模块内的侵入得到了抑制。然而，由于屏蔽层覆盖绝缘体层的主面和凹部的内周面，因此存在以下可能性：一部分电子部件中产生的噪声经由屏蔽层而绕到其它的电子部件。

本发明的课题在于提供一种电路模块，能够抑制噪声向外部的辐射和噪声从外部的侵入，并且能够减少经由屏蔽层产生的噪声的绕回，从而提高电子部件之间的隔离特性。

用于解决问题的方案

本发明所涉及的一个方式的电路模块具备电路基板、多个电子部件、多个导体柱、模制层以及屏蔽层。所述电路基板具有电气绝缘层和地层，所述电气绝缘层具有安装面，所述地层位于所述电气绝缘层的与所述安装面相反的一侧。所述多个电子部件安装于所述安装面，包括第一电子部件和第二电子部件，所述第一电子部件为噪声的发生源，所述第二电子部件是被保护免受由所述第一电子部件产生的噪声影响的保护对象。所述多个导体柱包括在所述安装面以穿过所述第一电子部件与所述第二电子部件之间的方式排列且与所述地层电连接的导体柱的组。所述模制层具有电气绝缘性，以将所述多个电子部件和所述多个导体柱密封的方式形成于所述安装面。所述屏蔽层具有狭缝。所述屏蔽层形成于所述模制层的与所述安装面相反的一侧的表面。关于所述导体柱的组中包含的各导体柱，所述狭缝在俯视时以通过所述导体柱与所述第一电子部件之间或者通过所述导体柱与所述第二电子部件之间的方式延伸。

发明的效果

根据本发明所涉及的一个方式的电路模块，能够抑制噪声向外部的辐射和噪声从外部的侵入，并且能够减少经由屏蔽层产生的噪声的绕回，从而提高电子部件之间的隔离特性。

附图说明

图1是本发明所涉及的一个实施方式的电路模块的概要电路图。

图2的a是上述实施方式的电路模块的概要俯视图。图2的b是图2的a的a-a线截面图。

图3是上述实施方式的电路模块的电路基板的概要俯视图。

图4是省略了上述实施方式的电路模块的一部分的概要俯视图。

图5是上述实施方式的变形例1的电路模块的概要俯视图。

图6是上述实施方式的变形例2的电路模块的概要俯视图。

图7是上述实施方式的变形例3的电路模块的概要俯视图。

图8是上述实施方式的变形例4的电路模块的概要俯视图。

图9是上述实施方式的变形例5的电路模块的概要俯视图。

图10是上述实施方式的变形例6的电路模块的概要俯视图。

图11是上述实施方式的变形例7的电路模块的概要截面图。

具体实施方式

1.实施方式

1.1结构

图1是本发明所涉及的一个实施方式的电路模块100的概要电路图。电路模块100是在高频电路中利用的电路模块。特别是，在本实施方式中，电路模块100是将在无线通信用的前端电路(无线前端电路)中使用的各种功能部件一体化而成的超小型集成模块(前端模块)。这种前端电路是用于将从外部装置接收到的无线信号(发送信号)传输到天线、将利用天线接收到的无线信号(接收信号)传输到外部装置的电路。

如图1所示，电路模块100具备输入端子101、输出端子102、天线端子103以及控制端子104。输入端子101是连接于外部装置、用于从外部装置接收发送信号的端子。输出端子102是连接于外部装置、用于向外部装置输出接收信号的端子。天线端子103是连接于外部的天线的端子。控制端子104是用于从外部装置接收控制信号的端子。

电路模块100具备在无线通信用的前端电路中使用的各种功能部件(电子部件)。如图1所示，这些电子部件包括功率放大器31、低噪声放大器32、多个双工器33、第一开关电路34、第二开关电路35、天线开关电路36以及控制电路37。

功率放大器31是用于将从外部装置向天线发送的发送信号放大的电路。功率放大器31例如是被设计成在多个通信频段下进行动作的多频段功率放大器。功率放大器31其输入端电连接于输入端子101，输出端电连接于第一开关电路34。功率放大器31将从输入端子101接收到的发送信号放大，将放大后的发送信号输出到第一开关电路34。

低噪声放大器32是用于将从天线向外部装置发送的接收信号放大的电路。低噪声放大器32其输入端电连接于第二开关电路35，输出端电连接于输出端子102。低噪声放大器32将从第二开关电路35接收到的接收信号放大，将放大后的接收信号输出到输出端子102。

多个双工器33各自具备发送侧滤波器和接收侧滤波器。发送侧滤波器用于使发送频带的信号通过、并使发送频带以外的信号衰减。接收侧滤波器用于使接收频带的信号通过、并使接收频带以外的信号衰减。双工器33具有对发送频带的信号和接收频带的信号进行滤波的功能，相当于滤波电路。在本实施方式中，多个双工器33具有互不相同的发送频带和接收频带。在双工器33中，发送侧滤波器的输入端子被用作用于接收发送信号的发送端子，接收侧滤波器的输出端子被用作用于输出接收信号的接收端子。另外，在双工器33中，发送侧滤波器的输出端子与接收侧滤波器的输入端子的连接点被用作用于与天线连接的天线连接用端子。

第一开关电路34、第二开关电路35以及天线开关电路36分别是半导体开关电路。半导体开关电路例如由场效应晶体管(fet：fieldeffecttransistor)、mems(microelectromechanicalsystems：微机电系统)开关或者双极型晶体管等构成。第一开关电路34包括将功率放大器31的输出端与多个双工器33的发送端子中的某一个连接的电路。通过切换第一开关电路34的连接，来从多个双工器33中选择要与功率放大器31连接的双工器33。第二开关电路35包括将低噪声放大器32的输入端与多个双工器33的接收端子中的某一个连接的电路。能够通过切换第二开关电路35的连接，来从多个双工器33中选择要与低噪声放大器32连接的双工器33。天线开关电路36包括将天线端子103与多个双工器33的天线连接用端子中的某一个连接的电路。也就是说，天线开关电路36是用于从多个双工器33选择要与天线端子103连接的双工器33的电路。此外，在共用多个通信频段来进行通信的情况下，有时会同时选择多个双工器33。

控制电路37经由控制端子104来从外部装置接收控制信号，并基于控制信号来对第一开关电路34、第二开关电路35以及天线开关电路36分别进行控制。由此，控制电路37将功率放大器31、低噪声放大器32以及天线端子103连接于多个双工器33中的特定的双工器33。也就是说，适于发送信号和接收信号的双工器33被选择为特定的双工器33。控制电路37例如是集成电路。

接着，参照图2的a、图2的b、图3以及图4来说明电路模块100的结构(物理结构)。此外，在图2的a、图2的b、图3以及图4中，为了以易于理解的方式示出电路模块100的结构，概要性地示出电路模块100的构成要素。另外，图2的a和图4均为电路模块100的概要俯视图，但是在图4中为了更详细地说明电路模块100的结构而省略了一部分电子部件30的图示。此外，在下面的说明中，“在俯视时”这一表达是与“在从电路模块100的厚度方向观察电路模块100的情况下”相同的含义。

如图2的a和图2的b所示，电路模块100具备电路基板20、多个电子部件30、多个导体柱40、模制层50以及屏蔽层60。

如图2的a、图2的b以及图3所示，电路基板20是四边形形状的多层基板(树脂多层基板或陶瓷多层基板)。电路基板20具备电气绝缘层(第一电气绝缘层)21、地层(第一地层)22、电气绝缘层(第二电气绝缘层)23以及地层(第二地层)24。

第一电气绝缘层21具有安装面(图2的b的上表面)211。安装面211是虽然具有微小的凹凸但是大致平坦的面，用于安装多个电子部件30。

第一地层22处于第一电气绝缘层21的与安装面211相反的一侧(图2的b中的下侧)。第一地层22形成为覆盖第一电气绝缘层21的与安装面211相反的一侧的整个面(图2的b中的电路模块100的下表面)。其中，第一地层22如图3所示那样具有3个间隙(第一间隙、第二间隙以及第三间隙)221、222、223。第一间隙221形成为与后述的狭缝610(参照图2的a)相向。换言之，第一间隙221沿着狭缝610延伸。另外，第二间隙222形成为与后述的狭缝620(参照图2的a)相向。换言之，第二间隙222沿着狭缝620延伸。第三间隙223形成为与后述的狭缝630(参照图2的a)相向。换言之，第三间隙223沿着狭缝630延伸。因而，在第一地层22中，噪声的穿过各间隙221、222、223那样的传播得到抑制。

第二电气绝缘层23位于第一地层22的与第一电气绝缘层21相反的一侧(图2的b中的下侧)。第二电气绝缘层23形成为覆盖第一地层22的与第一电气绝缘层21相反的一侧的整个面(图2的b中的电路模块100的下表面)。第一地层22如上所述那样具有3个间隙221、222、223，因此第一电气绝缘层21与第二电气绝缘层23在各间隙221、222、223的内部成为一体。

第二地层24位于第二电气绝缘层23的与第一地层22相反的一侧(图2的b中的下侧)。第二地层24形成为覆盖第二电气绝缘层23的与第一地层22相反的一侧的整个面(图2的b中的电路模块100的下表面)。第二地层24的与第二电气绝缘层23相反的一侧的面(图2的b中的电路模块100的下表面)成为电路基板20的底面。

如图2的b和图3所示，第一电气绝缘层21具有用于将多个导体柱40分别与第一地层22电连接的多个通孔(贯通导电体)212。第二电气绝缘层23具有用于将第一地层22与第二地层24电连接的多个通孔(贯通导电体)231。也就是说，各导体柱40经由通孔212而与第一地层22电连接，并且通过多个通孔(贯通导电体)231而与第二地层24电连接。

多个电子部件30包括功率放大器31、低噪声放大器32、多个双工器33、第一开关电路34、第二开关电路35、天线开关电路36以及控制电路37。另外，如图2的a所示，多个电子部件30还包括多个电容器38和多个电感器39。

在此，功率放大器31是作为噪声的发生源的电子部件(第一电子部件)。由功率放大器31产生的噪声的频率取决于在功率放大器31中放大的发送信号的频带。例如，噪声的频率为数百mhz～数ghz左右。另一方面，低噪声放大器32和天线开关电路36是作为被保护免受由功率放大器31(第一电子部件)产生的噪声影响的保护对象的电子部件(第二电子部件)。如图2的a所示，功率放大器31被安装于安装面211的第一方向x上的第一端(图2的a的左端)211a侧。低噪声放大器32和天线开关电路36被安装于安装面211的第一方向x上的第二端(图2的a的右端)211b侧。另外，低噪声放大器32和天线开关电路36分别被安装于安装面211的与第一方向x正交的第二方向y上的第一端(图2的a的上端)211c侧和第二端(图2的a的下端)211d侧。另外，第一开关电路34和第二开关电路35被安装于安装面211的第一方向x的中央附近的靠第二方向y上的第一端211c侧的位置。另外，控制电路37在安装面211上安装于功率放大器31与安装面211的第二方向y上的第二端211d之间。多个电容器38和多个电感器39被适当地安装于安装面211。

多个导体柱40是为了将作为噪声的发生源的第一电子部件与作为被保护免受由第一电子部件产生的噪声影响的保护对象的第二电子部件之间电磁屏蔽而设置的。通过设置多个导体柱40，能够实现电子部件之间(第一电子部件与第二电子部件之间)的隔离特性的提高。如图2的a和图4所示，多个导体柱40包括导体柱40的3个组400(第一组410、第二组420以及第三组430)。下面，根据需要，将第一组410中包含的导体柱40称为导体柱41。同样地，将第二组420中包含的导体柱40称为导体柱42，将第三组430中包含的导体柱40称为导体柱43。各导体柱40由具有导电性的材料形成。具有导电性的材料例如是铝、铜、铁等金属或者将导电性材料混合而成的弹性体等树脂。另外，各导体柱40的形状例如为圆柱状。多个导体柱40均通过通孔212而与第一地层22电连接。另外，也可以将导体柱40的组400中的导体柱40之间的间隔设为由第一电子部件即功率放大器31产生的噪声的波长的1/16以下。如果这样，则能够更有效地减少噪声穿过导体柱40之间的间隙的可能性。能够利用安装面211上的未安装电子部件30的空闲区域来配置这种导体柱40。也就是说，无需变更电子部件30的配置就能够配置导体柱40。此外，导体柱40的间隔的下限值没有特别限定，根据所期望的噪声的减少水准来适当设定即可。

如图2的a所示，第一组410是在安装面211以穿过功率放大器31与低噪声放大器32及天线开关电路36之间的方式排列的多个导体柱41的组。多个导体柱41是为了保护第二电子部件(在本实施方式中，是低噪声放大器32和天线开关电路36)免受由第一电子部件(功率放大器31)产生的噪声影响而设置的。更详细地说，如图4所示，多个导体柱41以在安装面211上沿着第二方向y穿过的方式排列。由此，多个导体柱41能够将安装面211的存在功率放大器31的区域与安装面211的存在低噪声放大器32和天线开关电路36的区域之间电磁遮蔽。

如图4所示，多个导体柱41包括多个导体柱411a、411b、411c、411d、411e、411f、411g、411h、411i和多个导体柱412a、412b、412c、412d、412e、412f。另外，多个导体柱41还包括多个导体柱413a、413b、413c、413d、413e、413f和多个导体柱414a、414b、414c、414d、414e、414f、414g、414h。

多个导体柱411a～411i在安装面211的第一方向x上的低噪声放大器32及天线开关电路36与功率放大器31之间从第二方向y上的第一端211c向第二端211d沿着第二方向y排成一列。多个导体柱411a～411d在第一方向x上与功率放大器31相向。也就是说，多个导体柱411a～411d也可以与功率放大器31相邻地配置。换言之，在导体柱411a～411d与功率放大器31之间不存在功率放大器31以外的其它电子部件30。多个导体柱412a～412f在第一方向x上的低噪声放大器32及天线开关电路36与多个导体柱411a～411i的组之间从第一端211c向第二端211d沿着第二方向y排成一列。导体柱412a～412e在第一方向x上与导体柱411a～411e相向。此外，导体柱412e、412f之间的间隔大于导体柱412a～412e的间隔是为了避开双工器33(参照图2的a)。多个导体柱413a～413f在安装面211的第二方向y上的第一端211c与功率放大器31之间沿着第二方向y排成一列。同样地，多个导体柱414a～414h在安装面211的第二方向y上的第一端211c与功率放大器31之间沿着第二方向y排成一列。其中，多个导体柱414a～414h相比于多个导体柱413a～413f而言离低噪声放大器32近。导体柱413a～413f和导体柱414a～414h在将功率放大器31的中心与低噪声放大器32的中心连结的方向上位于功率放大器31与低噪声放大器32之间。导体柱413a～413f在第一方向x上与导体柱414c～414h分别相向。

如图2的a所示，第二组420是在安装面211以穿过功率放大器31与低噪声放大器32之间的方式排列的多个导体柱42的组。多个导体柱42是为了保护第二电子部件(低噪声放大器32)免受由第一电子部件(功率放大器31)产生的噪声影响而设置的。特别是，第二组420中包含的多个导体柱42的组在安装面211安装于第一组410与低噪声放大器32之间。更详细地说，如图4所示，多个导体柱42以将低噪声放大器32局部包围的方式配置成l字形。第二组420包括多个(在图4中为6个)导体柱421和多个(在图4中为7个)导体柱422。多个导体柱421在安装面211的第二方向y上的功率放大器31与低噪声放大器32之间沿着第一方向x排成一列。多个导体柱421的一部分在第二方向y上与低噪声放大器32相向。多个导体柱422在安装面211的第一方向x上的功率放大器31与低噪声放大器32之间沿着第二方向y排成一列。多个导体柱422的一部分在第一方向x上与低噪声放大器32相向。各导体柱42与低噪声放大器32相邻地配置。换言之，在导体柱42与低噪声放大器32之间不存在低噪声放大器32以外的其它电子部件30。此外，在图2的a和图4中，导体柱42的数量是13，但是没有特别限定。

如图2的a所示，第三组430是在安装面211以穿过功率放大器31与天线开关电路36之间的方式排列的多个导体柱43的组。多个导体柱43是为了保护第二电子部件(天线开关电路36)免受由第一电子部件(功率放大器31)产生的噪声影响而设置的。特别是，第三组430中包含的多个导体柱43的组在安装面211配置于第一组410与天线开关电路36之间。更详细地说，如图4所示，多个导体柱43以将天线开关电路36局部包围的方式配置成l字形。第三组430包括多个(在图4中为6个)导体柱431和多个(在图4中为5个)导体柱432。多个导体柱431在安装面211的第一方向x上的功率放大器31与天线开关电路36之间沿着第二方向y排成一列。多个导体柱431的一部分在第一方向x上与天线开关电路36相向。多个导体柱432在安装面211的第二方向y上的功率放大器31与天线开关电路36之间沿着第一方向x排成一列。多个导体柱432的一部分在第二方向y上与天线开关电路36相向。各导体柱43与天线开关电路36相邻地配置。换言之，在导体柱43与天线开关电路36之间不存在天线开关电路36以外的其它电子部件30。此外，在图2的a和图4中，导体柱43的数量是11，但是没有特别限定。

多个导体柱40如上所述那样包括导体柱41的组(第一组)410、导体柱42的组(第二组)420以及导体柱43的组(第三组)430这3个组。在此，如图4所示，第一组410相比于第二组420和第三组430而言离第一电子部件(功率放大器31)近。在多个导体柱40包括多个组的情况下，将包括离第一电子部件最近的导体柱40的导体柱的组称为主导体柱的组(或者第一导体柱的组)，将主导体柱的组以外的导体柱40的组称为副导体柱的组。也就是说，副导体柱的组(或者第二导体柱的组)被定义为在安装面211配置于主导体柱的组与第二电子部件之间且与地层电连接的导体柱的组。

模制层50如图2的b所示那样形成于安装面211。模制层50是电气绝缘性的，用于将多个电子部件30和多个导体柱40密封。模制层50形成为覆盖整个安装面211。模制层50例如由电气绝缘性的树脂(例如，环氧树脂)形成。另外，模制层50以使与安装面211相反的一侧的表面(图2的b的上表面)501平坦的方式形成。另外，模制层50以使多个导体柱40的顶端暴露于表面501的方式形成。

屏蔽层60是为了抑制噪声从电路模块100的内部向外部的辐射以及噪声从电路模块100的外部向内部的侵入而设置的。屏蔽层60如图2的b所示那样形成于模制层50的与安装面211相反的一侧的表面501。屏蔽层60覆盖模制层50的整个表面501。特别是，屏蔽层60以与多个导体柱40的顶端接触的方式形成于表面501。因此，屏蔽层60经由多个导体柱40、多个通孔212以及第一地层22而与第二地层24电连接。这样，屏蔽层60通过多个导体柱40而与地层22电连接，因此不需要新设置屏蔽层60的接地用的布线。

另外，如图2的a和图4所示，屏蔽层60具有3个狭缝600(狭缝610、狭缝620以及狭缝630)。关于导体柱40的组400中包含的各导体柱40，各狭缝600在俯视时以通过导体柱40与第一电子部件之间或者通过导体柱40与第二电子部件之间的方式延伸。在此，导体柱40与第一电子部件之间是指如下的两条中心线之间：与将第一电子部件和第二电子部件连结的直线正交且通过该导体柱40的中心线；与该直线正交且通过第一电子部件的中心线。另外，导体柱40与第二电子部件之间是指如下的两条中心线之间：与将第一电子部件和第二电子部件连结的直线正交且通过该导体柱40的中心线；与该直线正交且通过第二电子部件的中心线。

屏蔽层60由具有导电性的材料形成。具有导电性的材料例如是铝、铜、铁等金属或者将导电性材料混合而成的弹性体等树脂。另外，能够通过溅射等周知的薄膜形成技术来形成屏蔽层60。另外，通过利用切割机或激光器等将屏蔽层60的一部分去除来形成狭缝600。也就是说，仅通过对屏蔽层60进行加工就能够形成狭缝600，而无需对模制层50进行加工。因而，能够实现制造成本的减少。

狭缝610是沿着第一组410形成的。也就是说，狭缝610与第一组410对应。狭缝610穿过功率放大器31与低噪声放大器32及天线开关电路36之间。更详细地说，如图4所示，狭缝610为在屏蔽层60沿着第二方向y穿过的z字形。狭缝610具有第一部位611、第二部位612以及第三部位613。第一部位611呈沿着安装面211的第二方向y延伸的直线状，通过导体柱411a～411i的组与导体柱412a～412f的组之间。也就是说，关于第一组410的导体柱41(411a～411i)，第一部位611在俯视时通过导体柱41与天线开关电路36之间(也就是说，相对于导体柱41位于天线开关电路36侧)。另外，关于第一组410的导体柱41(412a～412f)，第一部位611在俯视时通过导体柱41与功率放大器31之间(也就是说，相对于导体柱41位于功率放大器31侧)。第二部位612呈沿着安装面211的第二方向y延伸的直线状，通过导体柱413a～413f的组与导体柱414a～414h的组之间。也就是说，关于第一组410的导体柱41(413a～413f)，第二部位612在俯视时通过导体柱41与低噪声放大器32之间(也就是说，相对于导体柱41位于低噪声放大器32侧)。另外，关于第一组410的导体柱41(414a～414h)，第二部位612在俯视时通过导体柱41与功率放大器31之间(也就是说，相对于导体柱41位于功率放大器31侧)。第三部位613将第一部位611与第二部位612连结。这样，狭缝610沿着导体柱的组410穿过第一电子部件(功率放大器31)与第二电子部件(低噪声放大器32及天线开关电路36)之间。另外，狭缝610的两端是开放的。也就是说，屏蔽层60的覆盖模制层50的表面501的部位被狭缝610截断。

狭缝620是沿着第二组420形成的。也就是说，狭缝620与第二组420对应。狭缝620穿过功率放大器31与低噪声放大器32之间。更详细地说，如图4所示，狭缝620呈将低噪声放大器32局部包围的l字形。狭缝620具有第一部位621和第二部位622。第一部位621呈沿着安装面211的第一方向x延伸的直线状，关于第二组420的导体柱421，第一部位621在俯视时通过导体柱421与第一电子部件(功率放大器31)之间(也就是说，相对于导体柱421位于第一电子部件侧)。第二部位622呈沿着安装面211的第二方向y延伸的直线状，关于第二组420的导体柱422，第二部位622在俯视时通过导体柱422与第一电子部件(功率放大器31)之间(也就是说，相对于导体柱422位于第一电子部件侧)。这样，狭缝620沿着导体柱的组420穿过第一电子部件(功率放大器31)与第二电子部件(低噪声放大器32)之间。另外，狭缝620的两端是开放的。也就是说，屏蔽层60的覆盖模制层50的表面501的部位被狭缝620截断。

狭缝630是沿着第三组430形成的。也就是说，狭缝630与第三组430对应。狭缝630穿过功率放大器31与天线开关电路36之间。更详细地说，如图4所示，狭缝630呈将天线开关电路36局部包围的l字形。狭缝630具有第一部位631和第二部位632。第一部位631呈沿着安装面211的第二方向y延伸的直线状，关于第三组430的导体柱431，第一部位631在俯视时通过导体柱431与第一电子部件(功率放大器31)之间(也就是说，相对于导体柱431位于第一电子部件侧)。第二部位632呈沿着安装面211的第一方向x延伸的直线状，关于第三组430的导体柱432，第二部位632在俯视时通过导体柱432与第一电子部件(功率放大器31)之间(也就是说，相对于导体柱432位于第一电子部件侧)。这样，狭缝630沿着导体柱的组430穿过第一电子部件(功率放大器31)与第二电子部件(天线开关电路36)之间。另外，狭缝630的两端是开放的。也就是说，屏蔽层60的覆盖模制层50的表面501的部位被狭缝630截断。

这样，屏蔽层60包括狭缝610、狭缝620以及狭缝630这3个狭缝600。在此，将与作为第一导体柱的组的第一组410对应的狭缝610称为第一狭缝(或主狭缝)，将与作为第二导体柱的组的第二组420及第三组430分别对应的狭缝620及狭缝630称为第二狭缝(或副狭缝)。也就是说，第二狭缝被定义为关于第二导体柱的组中包含的各第二导体柱、在俯视时通过第二导体柱与第一导体柱的组之间或者通过第二导体柱与第二电子部件之间的狭缝。

1.2总结

在本实施方式的电路模块100中，屏蔽层60具有穿过功率放大器31与低噪声放大器32及天线开关电路36之间的狭缝610。也就是说，在屏蔽层60的覆盖功率放大器31的部位与覆盖低噪声放大器32和天线开关电路36的部位之间存在狭缝610。因此，能够抑制由功率放大器31产生的噪声经由屏蔽层60绕到低噪声放大器32和天线开关电路36。特别是，在本实施方式中，狭缝610的两端是开放的，因此屏蔽层60的覆盖功率放大器31的部位与覆盖低噪声放大器32和天线开关电路36的部位被分离。由此，能够进一步抑制由功率放大器31产生的噪声经由屏蔽层60绕到低噪声放大器32和天线开关电路36。另外，当在屏蔽层60形成有狭缝610时，由功率放大器31产生的噪声有可能经由狭缝610向电路模块100的外部辐射。然而，关于第一组420中包含的各导体柱41(411a～411i、413a～413f)，狭缝610在俯视时通过导体柱41与第二电子部件(低噪声放大器32及天线开关电路36)之间。换言之，关于第一组420中包含的各导体柱41(411a～411i、413a～413f)，狭缝610在俯视时通过导体柱41的与功率放大器31相反的一侧。

因此，利用第一组410使噪声流向第一地层22。也就是说，导体柱41的组410抑制噪声向外部的辐射。因而，能够抑制噪声从功率放大器31向外部的辐射。特别是，狭缝610沿着导体柱的组410穿过功率放大器31与低噪声放大器32及天线开关电路36之间。也就是说，狭缝610相比于功率放大器31、低噪声放大器32以及天线开关电路36而言离导体柱的组410近。这样，狭缝610离导体柱的组410越近，则抑制噪声向外部的辐射和噪声从外部的侵入的效果越高。

第一地层22的第一间隙221沿着狭缝610延伸。因而，第一间隙221与狭缝610同样地，沿着导体柱的组410穿过第一电子部件(功率放大器31)与第二电子部件(低噪声放大器32及天线开关电路36)之间。也就是说，在第一地层22的同功率放大器31对应的部位与同低噪声放大器32及天线开关电路36对应的部位之间存在第一间隙221。因此，能够抑制由功率放大器31产生的噪声经由第一地层22绕到低噪声放大器32和天线开关电路36。

另外，屏蔽层60具有穿过功率放大器31与低噪声放大器32之间的狭缝620。也就是说，在屏蔽层60的覆盖功率放大器31的部位与覆盖低噪声放大器32的部位之间存在狭缝620。因此，能够抑制由功率放大器31产生的噪声经由屏蔽层60绕到低噪声放大器32。特别是，在本实施方式中，狭缝620的两端是开放的，因此屏蔽层60的覆盖功率放大器31的部位与覆盖低噪声放大器32的部位被分离。由此，能够进一步抑制由功率放大器31产生的噪声经由屏蔽层60绕到低噪声放大器32。当在屏蔽层60形成有狭缝620时，噪声有可能经由狭缝620侵入到电路模块100的内部并到达低噪声放大器32。然而，关于第二组420中包含的各导体柱42，狭缝620在俯视时通过导体柱42与功率放大器31之间(也就是说，导体柱42的与低噪声放大器32相反的一侧)。

因此，利用第二组420的导体柱42使通过狭缝620后侵入到电路模块100的噪声流向第一地层22。也就是说，导体柱42的组420抑制噪声从外部的侵入。因而，能够保护低噪声放大器32免受噪声影响。特别是，狭缝620沿着导体柱的组420穿过功率放大器31与低噪声放大器32之间。也就是说，狭缝620相比于功率放大器31和低噪声放大器32而言离导体柱的组420近。这样，狭缝620离导体柱的组420越近，则抑制噪声向外部的辐射和噪声从外部的侵入的效果越高。

第一地层22的第二间隙222沿着狭缝620延伸。因而，第二间隙222与狭缝620同样地，沿着导体柱的组420穿过第一电子部件(功率放大器31)与第二电子部件(低噪声放大器32)之间。也就是说，在第一地层22的同功率放大器31对应的部位与同低噪声放大器32对应的部位之间存在第二间隙222。因此，能够抑制由功率放大器31产生的噪声经由第一地层22绕到低噪声放大器32。

另外，屏蔽层60具有穿过功率放大器31与天线开关电路36之间的狭缝630。也就是说，在屏蔽层60的覆盖功率放大器31的部位与覆盖天线开关电路36的部位之间存在狭缝630。因此，能够抑制由功率放大器31产生的噪声经由屏蔽层60绕到天线开关电路36。特别是，在本实施方式中，狭缝630的两端是开放的，因此屏蔽层60的覆盖功率放大器31的部位与覆盖天线开关电路36的部位被分离。由此，能够进一步抑制由功率放大器31产生的噪声经由屏蔽层60绕到天线开关电路36。当在屏蔽层60形成有狭缝630时，噪声有可能经由狭缝630侵入到电路模块100的内部并到达天线开关电路36。然而，关于第三组430中包含的各导体柱43，狭缝630在俯视时通过导体柱43与功率放大器31之间(也就是说，导体柱43的与天线开关电路36相反的一侧)。

因此，利用第三组430的导体柱43使通过狭缝630后侵入到电路模块100的噪声流向第一地层22。也就是说，导体柱43的组430抑制噪声从外部的侵入。因而，能够保护天线开关电路36免受噪声影响。特别是，狭缝630沿着导体柱的组430穿过功率放大器31与天线开关电路36之间。也就是说，狭缝630相比于功率放大器31和天线开关电路36而言离导体柱的组430近。这样，狭缝630离导体柱的组430越近，则抑制噪声向外部的辐射和噪声从外部的侵入的效果越高。

第一地层22的第三间隙223沿着狭缝630延伸。因而，第三间隙223与狭缝630同样地，沿着导体柱的组430穿过第一电子部件(功率放大器31)与第二电子部件(天线开关电路36)之间。也就是说，在第一地层22的同功率放大器31对应的部位与同天线开关电路36对应的部位之间存在第三间隙223。因此，能够抑制由功率放大器31产生的噪声经由第一地层22绕到天线开关电路36。

并且，在电路模块100中，多个导体柱40除了包括作为主导体柱的组的第一组410以外，还包括作为副导体柱的组的第二组420和第三组430。因此，相比于多个导体柱40仅包括主导体柱的组的情况而言，能够实现第一电子部件与第二电子部件之间的隔离特性的进一步提高。另外，在电路模块100中，屏蔽层60除了包括作为第一狭缝的狭缝610以外，还包括作为第二狭缝的狭缝620和狭缝630。因此，相比于屏蔽层60仅包括第一狭缝的情况而言，能够实现经由屏蔽层60产生的噪声的绕回的进一步抑制。

如以上所述的那样，在本实施方式的电路模块100中，多个导体柱40具备导体柱的组400(410、420、430)。导体柱的组400(410、420、430)在安装面211以穿过第一电子部件(功率放大器31)与第二电子部件(低噪声放大器32、天线开关电路36)之间的方式排列，且与地层22电连接。因此，能够实现第一电子部件与第二电子部件之间的隔离特性的提高。另外，屏蔽层60具有狭缝600(610、620、630)。关于导体柱的组400中包含的各导体柱40，狭缝600在俯视时以通过导体柱40与第一电子部件(功率放大器31)之间或者通过导体柱40与第二电子部件(低噪声放大器32、天线开关电路36)之间的方式延伸。也就是说，狭缝600沿着导体柱的组400穿过第一电子部件(功率放大器31)与第二电子部件(低噪声放大器32、天线开关电路36)之间。因而，能够减少经由屏蔽层60产生的噪声的绕回。另外，导体柱的组(410、420、430)抑制噪声经由狭缝(610、620、630)向外部的辐射和噪声经由狭缝(610、620、630)从外部的侵入。因而，根据本实施方式的电路模块100，能够抑制噪声向外部的辐射和噪声从外部的侵入，并且能够减少经由屏蔽层60产生的噪声的绕回，从而提高电子部件之间的隔离特性。

2.变形例

以上说明的实施方式只不过是本发明的各种各样的实施方式中的一个。另外，上述实施方式只要能够实现本发明的目的，则能够根据设计等来进行各种变更。下面，列举上述实施方式的变形例。

2.1第一变形例

图5示出第一变形例的电路模块100a。在电路模块100a中，多个导体柱40包括第一组410a、第二组420a以及第三组430a。第一组410a是与第一组410同样地在安装面211以穿过功率放大器31与低噪声放大器32及天线开关电路36之间的方式排列的导体柱41的组，但是第一组410a的导体柱41的数量少于第一组410的导体柱的数量。第一组410a的导体柱41包括多个导体柱411b、411d、411f、411g、411h、411i和多个导体柱412a、412c、412e、412f。并且，第一组410a的导体柱41还包括多个导体柱413a、413c、413e和多个导体柱414a、414b、414d、414f、414h。在第一组410a中，导体柱41之间以避免在安装面211的第一方向x上彼此相向的方式配置。其中，导体柱41之间的间隔被设定为由功率放大器31产生的噪声的波长的1/16以下。第二组420a是与第二组420同样地在安装面211以穿过功率放大器31与低噪声放大器32之间的方式排列的多个导体柱42的组。第二组420包括多个(在图5中为3个)导体柱421和多个(在图5中为4个)导体柱422。也就是说，第二组420a的导体柱42(421、422)的数量少于第二组420的导体柱的数量。其中，导体柱42之间的间隔被设定为由功率放大器31产生的噪声的波长的1/16以下。第三组430a是与第三组430同样地在安装面211以穿过功率放大器31与天线开关电路36之间的方式排列的多个导体柱43的组。第三组430包括多个(在图5中为3个)导体柱431和多个(在图5中为3个)导体柱432。也就是说，第三组430a的导体柱43(431、432)的数量少于第三组430的导体柱的数量。其中，导体柱43之间的间隔被设定为由功率放大器31产生的噪声的波长的1/16以下。

另外，在电路模块100a中，屏蔽层60具有狭缝610a、狭缝620a以及狭缝630a。狭缝610a与狭缝610同样地具有第一部位611、第二部位612以及第三部位613。但是，狭缝610a的两端未开放。也就是说，屏蔽层60的覆盖模制层50的表面501的部位未被狭缝610a截断。狭缝620a与狭缝620同样地具有第一部位621和第二部位622。但是，狭缝620a的两端未开放。也就是说，屏蔽层60的覆盖模制层50的表面501的部位未被狭缝620a截断。狭缝630a与狭缝630同样地具有第一部位631和第二部位632。但是，狭缝630a的两端未开放。也就是说，屏蔽层60的覆盖模制层50的表面501的部位未被狭缝630a截断。

在这种电路模块100a中，也与电路模块100同样地，能够抑制噪声向外部的辐射和噪声从外部的侵入，并且能够减少经由屏蔽层60产生的噪声的绕回，从而提高电子部件之间的隔离特性。另外，只要导体柱40(41、42、43)之间的间隔为由功率放大器31产生的噪声的波长的1/16以下，就能够维持由导体柱的组400产生的效果。也就是说，能够维持抑制噪声向外部的辐射和噪声从外部的侵入的效果。因而，在电路模块100a中，能够维持抑制噪声向外部的辐射和噪声从外部的侵入的效果并且减少导体柱40的数量，从而能够使制造成本下降，并且减小设置导体柱40所需的区域。

2.2第二变形例

图6示出第二变形例的电路模块100b。在电路模块100b中，多个导体柱40包括第一组410b、第二组420以及第三组430。

第一组410b是与第一组410同样地在安装面211以穿过功率放大器31与低噪声放大器32及天线开关电路36之间的方式排列的多个导体柱41的组。多个导体柱41包括多个(在图6中为6个)导体柱415a、415b、415c、415d、415e、415f和多个(在图6中为2个)导体柱416a、416b。多个导体柱41还包括多个(在图6中为5个)导体柱417a、417b、417c、417d、417e。多个导体柱415a～415f在安装面211的第一方向x上的低噪声放大器32及天线开关电路36与功率放大器31之间从第二方向y的第一端211c向第二端211d沿着第二方向y排成一列。多个导体柱415a～415c在第一方向x上与功率放大器31相向。也就是说，多个导体柱415a～415c与功率放大器31相邻地配置。换言之，在导体柱415a～415c与功率放大器31之间不存在功率放大器31以外的其它电子部件30。多个导体柱416a、416b在第一方向x上的低噪声放大器32及天线开关电路36与导体柱415a～415f的组之间从第一端211c向第二端211d沿着第二方向y排成一列。导体柱416a在第二方向y上位于导体柱415c、415d之间。导体柱416b在第二方向y上位于导体柱415f与第二端211d之间。多个导体柱417a～417e在安装面211的第二方向y上的第一端211c与功率放大器31之间沿着第二方向y排成一列。在第一组410b中，相邻的两个导体柱的间隔被设定为由功率放大器31产生的噪声的波长的1/16以下。

另外，在电路模块100b中，屏蔽层60具有狭缝610b，但是不具有狭缝620和狭缝630。换言之，屏蔽层60具有第一狭缝，但是不具有第二狭缝。狭缝610b是沿着第一组410b形成的。也就是说，狭缝610b与第一组410b对应。狭缝610b穿过功率放大器31与低噪声放大器32及天线开关电路36之间。更详细地说，狭缝610b具有第一部位611b、第二部位612b、第三部位613b、第四部位614b、第五部位615b、第六部位616b以及第七部位617b。

第一部位611b从安装面211的第二方向y上的第二端211d以通过导体柱415c～415f的组与导体柱416a、416b的组之间的方式延伸。也就是说，关于第一组410b的导体柱41(415c～415f)，第一部位611b通过导体柱41与天线开关电路36之间。另外，关于第一组410b的导体柱41(416a、416b)，第一部位611b通过导体柱41与功率放大器31之间。第二部位612b从第一部位611b以通过导体柱415b与功率放大器31之间的方式延伸。第三部位613b从第二部位612b以通过导体柱415a与低噪声放大器32及天线开关电路36之间以及导体柱417e与低噪声放大器32之间的方式延伸。第四部位614b从第三部位613b以通过导体柱417d与功率放大器31之间的方式延伸。第五部位615b从第四部位614b以通过导体柱415a与低噪声放大器32之间的方式延伸。第六部位616b从第五部位615b以通过导体柱417d与功率放大器31之间的方式延伸。第七部位617b从第六部位616b以通过导体柱415a与低噪声放大器32之间的方式延伸。

这样，狭缝610b具有通过相邻的两个导体柱41中的一方与第一电子部件(功率放大器31)之间、以及该相邻的两个导体柱41中的另一方与第二电子部件(天线开关电路36)之间的部位(611b～613b)。另外，狭缝610b具有通过相邻的两个导体柱41中的一方与第一电子部件(功率放大器31)之间、以及该相邻的两个导体柱41中的另一方与第二电子部件(低噪声放大器32)之间的部位(613b～617b)。这样，在通过相邻的两个导体柱41中的一方与第一电子部件之间、以及该相邻的两个导体柱41中的另一方与第二电子部件之间的部位处，相邻的两个导体柱41位于狭缝610b的两侧。因此，能够得到如电路模块100那样将导体柱413a～413f的组和导体柱414a～414h的组配置在狭缝610的两侧的情况同样的效果。也就是说，能够维持抑制噪声向外部的辐射和噪声从外部的侵入的效果，并且能够减少导体柱40(41)的数量，从而能够使制造成本下降，并且减小设置导体柱40(41)所需的区域。

在这种电路模块100b中，也与电路模块100同样地，能够抑制噪声向外部的辐射和噪声从外部的侵入，并且能够减少经由屏蔽层60产生的噪声的绕回，从而提高电子部件之间的隔离特性。

2.3第三变形例

图7示出第三变形例的电路模块100c。在电路模块100c中，多个导体柱40包括第一组410c，但是不包括第二组420和第三组430。

第一组410c是与第一组410同样地在安装面211以穿过功率放大器31与低噪声放大器32及天线开关电路36之间的方式排列的多个导体柱41的组。多个导体柱41包括多个(在图6中为6个)导体柱415a、415b、415c、415d、415e、415f和多个(在图6中为2个)导体柱416a、416b。多个导体柱41还包括多个(在图6中为6个)导体柱418a、418b、418c、418d、418e、418f。多个导体柱418a～418f在安装面211的第二方向y上的第一端211c与功率放大器31之间沿着第二方向y排列。在此，导体柱418a～418e排成一列。导体柱418a、418b如图7所示那样在第二方向y上位于电容器38的两侧。另外，导体柱418f位于导体柱418e与导体柱415a之间。在第一组410c中，相邻的两个导体柱之间的间隔被设定为由功率放大器31产生的噪声的波长的1/16以下。

另外，在电路模块100c中，屏蔽层60具有狭缝610c，但是不具有狭缝620和狭缝630。换言之，屏蔽层60具有第一狭缝，但是不具有第二狭缝。狭缝610c是沿着第一组410c形成的。也就是说，狭缝610c与第一组410c对应。狭缝610c穿过功率放大器31与低噪声放大器32及天线开关电路36之间。更详细地说，狭缝610c具有第一部位611c、第二部位612c、第三部位613c以及第四部位614c。

第一部位611c从安装面211的第二方向y上的第二端211d以通过导体柱415c～415f的组与导体柱416a、416b的组之间的方式延伸。第二部位612c从第一部位611c以通过导体柱415b与功率放大器31之间的方式延伸。第三部位613c从第二部位612c以通过导体柱415a与低噪声放大器32及天线开关电路36之间以及导体柱417e与低噪声放大器32之间的方式延伸。第四部位614c从第三部位613c以通过导体柱418a～418e的组与功率放大器31之间的方式延伸。

这样，狭缝610c具有通过相邻的两个导体柱41中的一方与第一电子部件(功率放大器31)之间、以及该相邻的两个导体柱41中的另一方与第二电子部件(天线开关电路36)之间的部位(611b～613b)。另外，狭缝610c具有通过相邻的两个导体柱41中的一方与第一电子部件(功率放大器31)之间、以及相邻的两个导体柱41中的另一方与第二电子部件(低噪声放大器32)之间的部位(613c、614c)。因此，能够维持抑制噪声向外部的辐射和噪声从外部的侵入的效果，并且能够减少导体柱40(41)的数量，从而能够使制造成本下降，并且减小设置导体柱40(41)所需的区域。

另外，第四部位614c如图7所示那样在俯视时在处于导体柱418a、418b之间的电容器38上通过。也就是说，狭缝610c穿过电容器38。电容器38是多个电子部件30中的相比于第二电子部件(低噪声放大器32、天线开关电路36)而言更不易受到噪声(由功率放大器31产生的噪声)的影响的电子部件(第三电子部件)。换言之，第三电子部件也可以说是相比于第二电子部件而言更不易与第一电子部件磁耦合的部件。因此，将狭缝610c以不穿过第三电子部件(电容器38)的方式形成即可。也就是说，能够利用安装面211上的安装有第三电子部件(电容器38)的区域来形成狭缝610c，因此能够有效地利用安装面211上的空间。

在这种电路模块100c中，也与电路模块100同样地，能够抑制噪声向外部的辐射和噪声从外部的侵入，并且能够减少经由屏蔽层60产生的噪声的绕回，从而提高电子部件之间的隔离特性。

2.4第四变形例

图8示出第四变形例的电路模块100d。在电路模块100d中，多个导体柱40包括第一组410d，但是不包括第二组420和第三组430。

第一组410d是与第一组410同样地在安装面211以穿过功率放大器31与低噪声放大器32及天线开关电路36之间的方式排列的多个导体柱41的组。多个导体柱41与第一组410a同样地，包括多个(在图6中为6个)导体柱411b、411d、411f～411i和多个(在图6中为4个)导体柱412a、412c、412e、412f。并且，多个导体柱41还包括多个(在图8中为3个)导体柱419a、419b、419c。多个导体柱419a～419c在安装面211的第二方向y上的第一端211c与功率放大器31之间从第一方向x的第一端211a向第二端211b沿着第一方向x排成一列。在第一组410d中，相邻的两个导体柱之间的间隔被设定为由功率放大器31产生的噪声的波长的1/16以下。

另外，在电路模块100d中，屏蔽层60具有狭缝610d，但是不具有狭缝620和狭缝630。换言之，屏蔽层60具有第一狭缝，但是不具有第二狭缝。狭缝610d是沿着第一组410d形成的。也就是说，狭缝610d与第一组410d对应。狭缝610d以穿过功率放大器31与低噪声放大器32及天线开关电路36之间的方式将功率放大器31包围。更详细地说，狭缝610d具有第一部位611d、第二部位612d、第三部位613d以及第四部位614d。

第一部位611d呈沿着安装面211的第二方向y延伸的直线状，通过导体柱411b、411d、411f、411g、411h、411i的组与导体柱412a、412c、412e、412f的组之间。第二部位612d呈从第一部位611d的在安装面211的第二方向y上的第一端211c侧的端部沿着安装面211的第一方向x延伸的直线状，通过导体柱419b～419i的组与功率放大器31之间。第三部位613d呈从第二部位612d的在安装面211的第一方向x上的第一端211a侧的端部沿着安装面211的第二方向y延伸的直线状，通过安装面211的第一方向x上的第一端211a与功率放大器31之间。第四部位614d呈从第三部位613d的在安装面211的第二方向y上的第二端211d侧的端部沿着安装面211的第二方向y延伸到第一部位611d的在安装面211的第二方向y上的第二端211d侧的端部的直线状。第四部位614d通过安装面211的第二方向y上的第二端211d与功率放大器31之间。

另外，第三部位613d和第四部位614d如图8所示那样，在俯视时在安装于安装面211的电容器38上通过。也就是说，狭缝610d穿过作为第三电子部件的电容器38。因而，能够利用安装面211上的安装有第三电子部件(电容器38)的区域来形成狭缝610d，因此能够有效地利用安装面211上的空间。

另外，在屏蔽层60中，由狭缝610d包围的部位(也就是说，与功率放大器31相向的部位)与其它部位被分离。因此，能够抑制由功率放大器31产生的噪声经由屏蔽层60绕到低噪声放大器32和天线开关电路36。此外，在电路模块100d中，第一组410d的导体柱41优选以包围功率放大器31的方式排列。

在这种电路模块100d中，也与电路模块100同样地，能够抑制噪声向外部的辐射和噪声从外部的侵入，并且能够减少经由屏蔽层60产生的噪声的绕回，从而提高电子部件之间的隔离特性。

2.5第五变形例

图9示出第五变形例的电路模块100e。在电路模块100e中，多个导体柱40包括第二组420，但是不包括第一组410和第三组430。另外，屏蔽层60具有狭缝620，但是不具有狭缝610和狭缝630。此外，第一地层22具有第二间隙222，但是不具有第一间隙221和第三间隙223。在这种电路模块100e中，也与电路模块100同样地，能够抑制噪声向外部的辐射和噪声从外部的侵入，并且能够减少经由屏蔽层60产生的噪声的绕回，从而提高电子部件之间的隔离特性。

2.6第六变形例

图10示出第六变形例的电路模块100f。在电路模块100f中，多个导体柱40包括第三组430，但是不包括第一组410和第二组420。另外，屏蔽层60具有狭缝630，但是不具有狭缝610和狭缝620。此外，第一地层22具有第三间隙223，但是不具有第一间隙221和第二间隙222。在这种电路模块100f中，也与电路模块100同样地，能够抑制噪声向外部的辐射和噪声从外部的侵入，并且能够减少经由屏蔽层60产生的噪声的绕回，从而提高电子部件之间的隔离特性。

2.7第七变形例

图11示出第七变形例的电路模块100g。在电路模块100g中，模制层50具有空隙502。空隙502沿着狭缝610延伸。因而，空隙502与狭缝610同样地，沿着导体柱的组410穿过第一电子部件(功率放大器31)与第二电子部件(低噪声放大器32及天线开关电路36)之间。也就是说，在模制层50的密封功率放大器31的部位与密封低噪声放大器32和天线开关电路36的部位之间存在空隙502。因此，能够实现第一电子部件(功率放大器31)与第二电子部件(低噪声放大器32及天线开关电路36)之间的隔离特性的进一步提高。此外，在电路模块100g中，空隙502使安装面211露出，但是未必一定使安装面211露出，空隙502也可以是从表面501凹陷的凹处。另外，电路模块100g既可以具有沿着狭缝620延伸的空隙，也可以具有沿着狭缝630延伸的空隙。

2.8其它变形例

图1的概要电路图是电路模块的电路的一例。例如，在电路模块中，多个电子部件30也可以包括单个双工器来代替包括多个双工器33。在该情况下，第一开关电路34、第二开关电路35以及天线开关电路36不是必需的。另外，电子部件30也可以包括多个低噪声放大器32来代替第二开关电路35。总之，可以根据需要来适当地变更电路模块的电路结构。

另外，电路基板20也可以不是四边形形状(例如，正方形形状或矩形形状)，可以是多边形形状、圆形形状等期望的形状。另外，电路基板20也可以不具有第二电气绝缘层23和第二地层24。另外，地层22也可以不具有间隙(221、222、223)。或者，第二地层24也可以具有间隙(221、222、223)。

另外，多个电子部件30只要至少包括如功率放大器31那样的第一电子部件以及如低噪声放大器32和天线开关电路36那样的第二电子部件即可。另外，多个电子部件30在安装面211上的配置没有特别限定，也可以根据需要来适当地变更。

另外，多个导体柱40只要包括第一组(410、410a～410d)、第二组(420、420a)以及第三组(430、430a)中的至少之一即可。另外，导体柱的组400中包含的导体柱40的数量也没有特别限定。此外，各导体柱40也可以是圆柱状以外的形状(例如，方柱状、板状)。另外，导体柱40自身的大小只要是能够获得切断来自第一电子部件的噪声的效果的大小即可。

另外，即使在存在多个导体柱的组400的情况下，屏蔽层60也只要具有与至少一个导体柱的组400对应的狭缝600即可。另外，狭缝600(610、610a、610b、610c、610d、620、620a、630、630a)也可以不是单个狭缝，而是由多个圆形形状或多边形形状的孔构成。

3.方式

根据以上所述的实施方式和变形例显而易见的是，第一方式的电路模块(100；100a；100b；100c；100d；100e；100f；100g)具备电路基板(20)、多个电子部件(30)、多个导体柱(40)、模制层(50)以及屏蔽层(60)。所述电路基板(20)具有电气绝缘层(21)和地层(22)，所述电气绝缘层(21)具有安装面(211)，所述地层(22)位于所述电气绝缘层(21)的与所述安装面(211)相反的一侧。所述多个电子部件(30)安装于所述安装面(211)，包括第一电子部件(31)和第二电子部件(32、36)，所述第一电子部件(31)为噪声的发生源，所述第二电子部件(32、36)是被保护免受由所述第一电子部件产生的噪声影响的保护对象。所述多个导体柱(40)包括在所述安装面(211)以穿过所述第一电子部件(31)与所述第二电子部件(32、36)之间的方式排列且与所述地层(22)电连接的导体柱的组(400)。所述模制层(50)具有电气绝缘性，以将所述多个电子部件(30)和所述多个导体柱(40)密封的方式形成于所述安装面(211)。所述屏蔽层(60)覆盖所述模制层(50)的与所述安装面相反的一侧的表面(501)。所述屏蔽层(60)具有狭缝(600)。关于所述导体柱的组(400)中包含的各导体柱(40)，所述狭缝(600)在俯视时以通过所述导体柱(40)与所述第一电子部件(31)之间或者通过所述导体柱(40)与所述第二电子部件(32、36)之间的方式延伸。根据第一方式，能够抑制噪声向外部的辐射和噪声从外部的侵入，并且能够减少经由屏蔽层(60)产生的噪声的绕回，从而能够提高电子部件(第一电子部件与第二电子部件)之间的隔离特性。

第二方式的电路模块(100b；100c)能够通过与第一方式的结合来实现。在第二方式中，所述狭缝(610b；610c)具有如下部位：所述部位通过所述导体柱的组(400)中包含的相邻的两个导体柱(40)中的一个导体柱与所述第一电子部件(31)之间、以及该相邻的两个导体柱(40)中的另一个导体柱与所述第二电子部件(32、36)之间。根据第二方式，能够维持抑制噪声向外部的辐射和噪声从外部的侵入的效果，并且能够减少导体柱(40)的数量，从而能够使制造成本下降，并且减小设置导体柱(40)所需的区域。

第三方式的电路模块(100c；100d)能够通过与第一方式或第二方式的结合来实现。在第三方式中，所述多个电子部件(30)包括相比于所述第二电子部件(32、36)而言更不易受到所述噪声的影响的第三电子部件(38)。所述狭缝(610c；610d)穿过所述第三电子部件(38)。根据第三方式，能够有效地利用安装面(211)上的空间。

第四方式的电路模块(100；100a；100b；100c；100d；100e；100f；100g)能够通过与第一～第三方式中的任一方式的结合来实现。在第四方式中，所述地层(22)具有沿厚度方向贯通所述地层(22)的间隙(221、222、223)。所述间隙(221、222、223)沿着所述狭缝(610、620、630)延伸。根据第四方式，能够减少经由地层(22)产生的噪声的绕回。

第五方式的电路模块(100；100a；100b；100c；100d；100e；100f；100g)能够通过与第一～第四方式中的任一方式的结合来实现。在第五方式中，所述模制层(50)以使所述多个导体柱(40)的顶端暴露于所述表面(501)的方式形成。所述屏蔽层(60)以与所述多个导体柱(40)的所述顶端接触的方式形成于所述表面(501)。根据第五方式，屏蔽层(60)通过多个导体柱(40)而与地层(22)电连接，因此不需要新设置屏蔽层(60)的接地用的布线。

第六方式的电路模块(100；100a；100b；100c；100d；100e；100f；100g)能够通过与第一～第五方式中的任一方式的结合来实现。在第六方式中，所述导体柱的组(400)中的导体柱(40)之间的间隔为所述噪声的波长的1/16以下。根据第六方式，能够维持抑制噪声向外部的辐射和噪声从外部的侵入的效果，并且能够减少导体柱(40)的数量，从而能够使制造成本下降，并且减小设置导体柱(40)所需的区域。

第七方式的电路模块(100；100a)能够通过与第一～第六方式中的任一方式的结合来实现。在第七方式中，所述导体柱的组(400)为第一导体柱的组(410；410a)。所述多个导体柱(40)包括在所述安装面(211)配置于所述第一导体柱的组(410；410a)与所述第二电子部件(32、36)之间且与所述地层(22)电连接的第二导体柱的组(420、430)。根据第七方式，相比于多个导体柱(40)仅包括第一导体柱的组(410；410a)的情况而言，能够实现第一电子部件与第二电子部件之间的隔离特性的进一步提高。

第八方式的电路模块(100)能够通过与第七方式的结合来实现。在第八方式中，所述狭缝(600)为第一狭缝(610)。所述屏蔽层(60)具有第二狭缝(620、630)。关于所述第二导体柱的组(420、430)中包含的各第二导体柱(42、43)，所述第二狭缝(620、630)在俯视时通过第二导体柱(42、43)与所述第一导体柱的组(410)之间或者通过第二导体柱(42、43)与所述第二电子部件(32、36)之间。根据第八方式，相比于屏蔽层(60)仅包括第一狭缝(610)的情况而言，能够实现经由屏蔽层(60)产生的噪声的绕回的进一步抑制。

第九方式的电路模块(100；100a；100b；100c；100d；100e；100f；100g)能够通过与第一～第八方式中的任一方式的结合来实现。在第九方式中，所述第一电子部件(31)为功率放大器(31)，所述第二电子部件(32、36)为低噪声放大器(32)或天线开关电路(36)。根据第九方式，能够减少由功率放大器(31)产生的噪声对低噪声放大器(32)或天线开关电路(36)的影响。

附图标记说明

100、100a～100g：电路模块；20：电路基板；21：电气绝缘层(第一电气绝缘层)；22：地层(第一地层)；211：安装面；30：电子部件；31：功率放大器(第一电子部件)；32：低噪声放大器(第二电子部件)；36：天线开关电路(第二电子部件)；38：电容器(第三电子部件)；40：导体柱；41：导体柱(第一导体柱)；42：导体柱(第二导体柱)；43：导体柱(第二导体柱)；400：导体柱的组；410、410a～410d：第一组(导体柱的组)；420、420a：第二组(导体柱的组)；430、430a：第三组(导体柱的组)；50：模制层；501：表面；60：屏蔽层；600：狭缝；610、610a～610d：狭缝(第一狭缝)；620、620a：狭缝(第二狭缝)；630、630a：狭缝(第二狭缝)。