半导体装置的制造方法及双面粘合片与流程

本发明涉及半导体装置的制造方法及双面粘合片。

背景技术：

近年来，正在进行电子设备的小型化、轻质化及高功能化，与此相伴，电子设备中搭载的半导体装置也要求小型化、薄型化及高密度化。

半导体芯片有时安装于与其尺寸接近的封装中。这样的封装有时也称为csp(芯片级封装，chipscalepackage)。作为csp，可以列举：以晶片尺寸处理至封装最终工序而完成的wlp(晶圆级封装，waferlevelpackage)、以大于晶片尺寸的面板尺寸处理至封装最终工序而完成的plp(面板级封装，panellevelpackage)等。

wlp及plp可分类为扇入(fan-in)型和扇出(fan-out)型。在扇出型的wlp(以下，也称为“fowlp”)及plp(以下，也称为“foplp”)中，用密封材料包覆半导体芯片，使其成为比芯片尺寸大的区域，形成半导体芯片密封体，不仅在半导体芯片的电路面，而且在密封材料的表面区域也形成再布线层及外部电极。

另外，fowlp及foplp例如可以经过以下工序来制造：将多个半导体芯片放置在临时固定用的粘合片(以下，也称为“临时固定用片”)上的放置工序、用赋予了流动性的密封材料进行包覆的包覆工序、使该密封材料热固化的固化工序、从上述密封体剥离临时固定用片的剥离工序、在露出的半导体芯片侧的表面形成再布线层的再布线层形成工序。

对于上述的工序中使用的临时固定用片而言，在上述包覆工序及固化工序(以下，也将这些工序称为“密封工序”)之间要求半导体芯片不发生位置偏移、且密封材料不进入半导体芯片与临时固定用片的粘接界面的程度的粘接性，在密封工序之后要求能够没有残胶地容易去除的剥离性。即，fowlp及foplp的制造中使用的临时固定用片要求兼顾使用时的粘接性和使用后的剥离性。

例如，专利文献1公开了如下方法：在fowlp的制造方法中，在临时固定用片上进行了密封工序后，用手弯曲该临时固定用片并剥离，所述临时固定用片具有由聚酰亚胺膜形成的基材和该基材的表面具备的由有机硅类粘合剂形成的粘合层。但是，用手等剥离临时固定用片的工序复杂，从提高生产性的观点考虑，要求能够以更小的外力剥离临时固定用片。

作为剥离性优异的临时固定用片，例如，专利文献2公开了一种电子部件切断时的临时固定用加热剥离型粘合片，其在基材的至少一面设置有含有热膨胀性微小球的热膨胀性粘合层。在fowlp及foplp的制造中，也可以考虑使用专利文献2中记载的加热剥离型粘合片。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-32646号公报

专利文献2：日本专利第3594853号公报

技术实现要素：

发明要解决的课题

然而，根据本发明人等的研究可知，在使用专利文献2中记载的加热剥离型粘合片作为fowlp及foplp的制造中的临时固定用片的情况下，由于热膨胀性粘合层的弹性模量低，因此，在上述放置工序及密封工序中，放置的半导体芯片沉入粘合片侧，半导体芯片发生位置偏移。由此，在密封工序之后，在去除了粘合片后的半导体芯片侧的表面(以下，也称为“再布线层形成面”)上于半导体芯片的表面与密封材料表面之间产生高低差，因此导致平坦性变差、半导体芯片的位置精度降低的结果。由于这样的再布线层形成面的平坦性的降低及半导体芯片的位置精度的降低会引起再布线精度的降低，因此希望抑制。

另外可以认为，在去除粘合片时，即使进行加热而使热膨胀性粘合层膨胀，半导体芯片也已沉入粘合片侧，因此，在没有一定程度大小的外力时，难以进行剥离。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供能够抑制扇出型封装的制造工序中的半导体芯片发生位置偏移、生产性优异、得到的半导体装置的再布线层形成面的平坦性优异的半导体装置的制造方法、以及可用于该制造方法的双面粘合片。

解决课题的方法

本发明人等发现，通过在扇出型封装的制造工序中使用具有包含含有膨胀性粒子且为非粘合性的基材的特定层结构的双面粘合片，可以解决上述课题。

即，本发明涉及下述[1]～[10]。

[1]一种半导体装置的制造方法，其是使用双面粘合片制造半导体装置的方法，所述双面粘合片依次具有第1粘合剂层、包含膨胀性粒子且为非粘合性的基材、以及第2粘合剂层，

该方法具有下述工序(1)～(4)，

工序(1)：将硬质支撑体粘贴于第2粘合剂层的粘合表面的工序；

工序(2)：将半导体芯片放置于第1粘合剂层的粘合表面的一部分的工序；

工序(3)：用密封材料包覆所述半导体芯片、以及第1粘合剂层的粘合表面中所述半导体芯片的周边部，使该密封材料固化，得到所述半导体芯片被固化密封材料密封而成的固化密封体的工序；

工序(4)：使所述膨胀性粒子膨胀，从所述固化密封体剥离所述双面粘合片的工序。

[2]上述[1]所述的半导体装置的制造方法，该方法还具有下述工序(5)，

工序(5)：在剥离了所述双面粘合片后的固化密封体上形成再布线层的工序。

[3]上述[1]或[2]所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述膨胀性粒子是热膨胀性粒子，

所述工序(4)是通过对所述双面粘合片加热而使所述热膨胀性粒子膨胀，从所述固化密封体剥离所述双面粘合片的工序。

[4]上述[3]所述的半导体装置的制造方法，其中，所述热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)为120～250℃。

[5]上述[4]所述的半导体装置的制造方法，其中，所述基材满足下述要件(1)～(2)，

要件(1)：所述基材在100℃下的储能模量e’(100)为2.0×10⁵pa以上；

要件(2)：所述基材在所述热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)下的储能模量e’(t)为1.0×10⁷pa以下。

[6]上述[1]～[5]中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述膨胀性粒子在23℃下的膨胀前的平均粒径为3～100μm。

[7]上述[1]～[6]中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，第1粘合剂层在23℃下的剪切模量g’(23)为1.0×10⁴～1.0×10⁸pa。

[8]上述[1]～[7]中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，在23℃下，所述基材的厚度与第1粘合剂层的厚度之比(基材/第1粘合剂层)为0.2以上。

[9]上述[1]～[8]中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，在23℃下，所述基材的厚度为10～1000μm，所述第1粘合剂层的厚度为1～60μm。

[10]上述[1]～[9]中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述基材表面的探针粘性值低于50mn/5mmφ。

[11]一种双面粘合片，其是上述[1]～[10]中任一项所述的半导体装置的制造方法所使用的双面粘合片，所述双面粘合片依次具有第1粘合剂层、包含膨胀性粒子且为非粘合性的基材、以及第2粘合剂层。

发明的效果

根据本发明，可以提供能够抑制扇出型封装的制造工序中的半导体芯片发生位置偏移、生产性优异、得到的半导体装置的再布线层形成面的平坦性优异的半导体装置的制造方法、以及可用于该制造方法的双面粘合片。

附图说明

图1是示出本实施方式的双面粘合片的结构的一例的双面粘合片剖面图。

图2是说明本实施方式的制造方法的一例的剖面图。

图3是接着图2说明本实施方式的制造方法的一例的剖面图。

图4是接着图3说明本实施方式的制造方法的一例的剖面图。

符号说明

10双面粘合片

11基材

121第1粘合剂层

121a粘合表面

122第2粘合剂层

122a粘合表面

131、132剥离材料

20硬质支撑体

30第1粘合剂层的粘合表面中半导体芯片的周边部

40密封材料

41固化密封材料

50固化密封体

50a面

61第1绝缘层

62第2绝缘层

70再布线

70a外部电极焊盘

80外部端子电极

100半导体装置

cp半导体芯片

w1电路面

w2电路

w3内部端子电极

具体实施方式

在本发明，“有效成分”是指作为对象的组合物中含有的成分中除稀释溶剂以外的成分。

另外，重均分子量(mw)是用凝胶渗透色谱(gpc)法测定的换算为标准聚苯乙烯的值，具体是基于实施例中记载的方法而测得的值。

在本发明中，例如，“(甲基)丙烯酸”表示“丙烯酸”和“甲基丙烯酸”两者，其它的类似用语也相同。

另外，对于优选的数值范围(例如，含量等的范围)，阶段性地记载的下限值及上限值可以各自独立地进行组合。例如，根据“优选为10～90、更优选为30～60”的记载，可以将“优选的下限值(10)”与“更优选的上限值(60)”进行组合，得到“10～60”。

[半导体装置的制造方法]

本实施方式的半导体装置的制造方法是使用双面粘合片制造半导体装置的方法，所述双面粘合片依次具有第1粘合剂层、包含膨胀性粒子且为非粘合性的基材、以及第2粘合剂层，该方法具有下述工序(1)～(4)。

工序(1)：将硬质支撑体粘贴于第2粘合剂层的粘合表面的工序

工序(2)：将半导体芯片放置于第1粘合剂层的粘合表面的一部分的工序

工序(3)：用密封材料包覆所述半导体芯片、以及第1粘合剂层的粘合表面中所述半导体芯片的周边部，使该密封材料固化，得到所述半导体芯片被固化密封材料密封而成的固化密封体的工序

工序(4)：使所述膨胀性粒子膨胀，从所述固化密封体剥离所述双面粘合片的工序

以下，首先对用于本实施方式的半导体装置的制造方法的双面粘合片进行说明，然后对包括工序(1)～(4)的各制造工序进行说明。

＜双面粘合片＞

本实施方式的双面粘合片只要依次具有第1粘合剂层、包含膨胀性粒子且为非粘合性的基材(以下，也称为“膨胀性基材”)、以及第2粘合剂层即可，没有特别限定。

双面粘合片的形状可以采用片状、带状、标签状等各种形状。

(双面粘合片的结构)

图1(a)是本实施方式的双面粘合片10的剖面图。

如图1(a)所示，本实施方式的双面粘合片10具有第1粘合剂层121及第2粘合剂层122夹持基材11而成的结构。

需要说明的是，如图1(b)所示的双面粘合片10a那样，本实施方式的双面粘合片可以在第1粘合剂层121的粘合表面121a上进一步具有剥离材料131，在第2粘合剂层122的粘合表面122a上进一步具有剥离材料132。

需要说明的是，对于图1(b)所示的双面粘合片10a而言，在剥离材料131从第1粘合剂层121剥离时的剥离力与剥离材料132从第2粘合剂层122剥离时的剥离力为相同程度的情况下，将两个剥离材料向外侧拉出而剥离时，会发生第1粘合剂层121及第2粘合剂层122随2个剥离材料被分开而剥离的现象。从抑制这样的现象的观点考虑，2个剥离材料131及132优选使用设计为从相互粘贴的粘合剂层剥离时的剥离力不同的2种剥离材料。剥离材料131及132在将双面粘合片10a用于本实施方式的半导体装置的制造方法时可以适宜地被剥离去除。

作为其它的双面粘合片，可以是具有如下结构的双面粘合片，所述结构为：将在图1(b)所示的双面粘合片10a中于第1粘合剂层121或第2粘合剂层122中一者的粘合表面层叠有两面实施了剥离处理的剥离材料的粘合片卷成卷状。

这里，本实施方式的双面粘合片可以是在膨胀性基材与第1粘合剂层之间、及膨胀性基材与第2粘合剂层之间具有其它层的结构。

其中，从制成可以用微小的力容易地剥离的双面粘合片的观点考虑，优选如图1(a)及(b)所示的双面粘合片那样具有基材11和第1粘合剂层121、基材11和第2粘合剂层122直接层叠而成的结构。

以下，依次对于本实施方式的双面粘合片所具备的膨胀性基材、第1粘合剂层、第2粘合剂层、以及根据需要使用的剥离材料进行说明。

(膨胀性基材)

膨胀性基材是包含膨胀性粒子且为非粘合性的基材。

通常，专利文献2中记载的粘合片所具有的热膨胀性粘合剂层在以弹性模量低的粘合剂作为主成分的基础上，还含有充分的膨胀性粒子，因此需要一定程度的厚度。因此会产生以下弊端：在半导体芯片的放置工序及密封工序之间半导体芯片发生位置偏移，半导体芯片沉入粘合片侧，无法使再布线层形成面平坦。

另一方面，对于本实施方式的双面粘合片而言，由于膨胀性粒子包含弹性模量高的非粘合性树脂，因此，放置半导体芯片的第1粘合剂层的厚度调整、粘合力、粘弹性模量等的控制等设计的自由度得到提高。由此，能够抑制半导体芯片发生位置偏移，并且可以抑制半导体芯片沉入双面粘合片，形成平坦性优异的再布线层形成面。

另外，在使用本实施方式的双面粘合片的情况下，由于半导体芯片放置在第1粘合剂层的粘合表面，因此膨胀性基材不会直接与再布线层形成面接触。由此，能够抑制来自膨胀性粒子的残渣及大幅变形后的粘合剂层的一部分附着于再布线层形成面、形成于热膨胀性粘合层的凹凸形状被转印至再布线层形成面而使平滑性降低，能够得到清洁性及平滑性优异的再布线层形成面。

膨胀性基材的厚度优选为10～1000μm，更优选为20～500μm，进一步优选为25～400μm，更进一步优选为30～300μm。

需要说明的是，在本说明书中，膨胀性基材的厚度是通过实施例中记载的方法测得的值。

粘合片所具有的膨胀性基材是非粘合性的基材。

在本发明中，是否为非粘合性的基材的判断通过以下方式进行：对于作为对象的基材的表面，只要按照jisz0237:1991测得的探针粘性值低于50mn/5mmφ，就将该基材判断为“非粘合性的基材”。

这里，本实施方式中使用的膨胀性基材的表面的探针粘性值通常低于50mn/5mmφ，优选低于30mn/5mmφ，更优选低于10mn/5mmφ，进一步优选低于5mn/5mmφ。

需要说明的是，在本说明书中，膨胀性基材的表面的探针粘性值的具体测定方法根据实施例中记载的方法来进行。

本实施方式的粘合片所具有的膨胀性基材包含树脂及膨胀性粒子，在不损害本发明效果的范围，可以根据需要含有基材用添加剂。

另外，膨胀性基材可以由包含树脂及膨胀性粒子的树脂组合物(y)形成。

以下，对作为膨胀性基材形成材料的树脂组合物(y)中包含的各成分进行说明。

＜树脂＞

作为树脂组合物(y)中包含的树脂，只要是膨胀性基材为非粘合性的树脂即可，没有特别限定，可以是非粘合性树脂，也可以是粘合性树脂。

即，即使树脂组合物(y)中包含的树脂是粘合性树脂，只要在由树脂组合物(y)形成膨胀性基材的过程中该粘合性树脂与聚合性化合物发生聚合反应，得到的树脂为非粘合性树脂，且包含该树脂的膨胀性基材为非粘合性即可。

作为树脂组合物(y)中包含的上述树脂的重均分子量(mw)，优选为1000～100万，更优选为1000～70万，进一步优选为1000～50万。

另外，在该树脂为具有2种以上结构单元的共聚物的情况下，该共聚物的形态没有特别限定，可以是嵌段共聚物、无规共聚物及接枝共聚物中的任一种。

相对于树脂组合物(y)的有效成分总量(100质量％)，上述树脂的含量优选为50～99质量％，更优选为60～95质量％，进一步优选为65～90质量％，更进一步优选为70～85质量％。

作为树脂组合物(y)中包含的上述树脂，优选包含选自丙烯酸氨基甲酸酯类树脂及烯烃类树脂中的1种以上。

另外，作为上述丙烯酸氨基甲酸酯类树脂，优选为以下的树脂(u1)。

·将氨基甲酸酯预聚物(up)与包含(甲基)丙烯酸酯的乙烯基化合物聚合而得到的丙烯酸氨基甲酸酯类树脂(u1)。

〔丙烯酸氨基甲酸酯类树脂(u1)〕

作为形成丙烯酸氨基甲酸酯类树脂(u1)主链的氨基甲酸酯预聚物(up)，可以举出多元醇与多异氰酸酯的反应物。

需要说明的是，氨基甲酸酯预聚物(up)优选进一步实施使用了扩链剂的扩链反应而得到。

作为成为氨基甲酸酯预聚物(up)的原料的多元醇，可以列举例如：亚烷基型多元醇、醚型多元醇、酯型多元醇、酯酰胺型多元醇、酯/醚型多元醇、碳酸酯型多元醇等。

这些多元醇可以单独使用，也可以组合使用2种以上。

作为本实施方式中使用的多元醇，优选为二醇，更优选为酯型二醇、亚烷基型二醇及碳酸酯型二醇，进一步优选为酯型二醇、碳酸酯型二醇。

作为酯型二醇，可以举出例如：从1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、新戊二醇、1,6-己二醇等链烷二醇；乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇等亚烷基二醇等二醇类中选择的一种或2种以上与选自邻苯二甲酸、间苯二甲酸、对苯二甲酸、萘二甲酸、4,4-二苯基二甲酸、二苯甲烷-4,4'-二甲酸、琥珀酸、己二酸、壬二酸、癸二酸、氯桥酸、马来酸、富马酸、衣康酸、1,3-环己烷二甲酸、1,4-环己烷二甲酸、六氢邻苯二甲酸、六氢间苯二甲酸、六氢对苯二甲酸、甲基六氢邻苯二甲酸等二羧酸及它们的酸酐中的一种或2种以上形成的缩聚物。

具体地，可以举出：聚己二酸乙二醇酯二醇、聚己二酸丁二醇酯二醇、聚己二酸己二醇酯二醇、聚间苯二甲酸六亚甲基二醇酯二醇、聚己二酸新戊二醇酯二醇、聚己二酸乙二醇丙二醇酯二醇、聚己二酸乙二醇丁二醇酯二醇、聚己二酸丁二醇六亚甲基二醇酯二醇、聚己二酸二乙二醇酯二醇、聚己二酸(聚四亚甲基醚)二醇酯二醇、聚(己二酸3-甲基戊二醇酯)二醇、聚壬二酸乙二醇酯二醇、聚癸二酸乙二醇酯二醇、聚壬二酸丁二醇酯二醇、聚癸二酸丁二醇酯二醇及聚对苯二甲酸新戊二醇酯二醇等。

作为亚烷基型二醇，可以举出例如：1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、新戊二醇、1,6-己二醇等链烷二醇；乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇等亚烷基二醇；聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇等聚亚烷基二醇；聚四亚甲基二醇等聚氧亚烷基二醇；等等。

作为碳酸酯型二醇，可以举出例如：碳酸1,4-丁二醇酯二醇、碳酸1,5-戊二醇酯二醇、碳酸1,6-己二醇酯二醇、碳酸1,2-丙二醇酯二醇、碳酸1,3-丙二醇酯二醇、碳酸2,2-二甲基丙二醇酯二醇、碳酸1,7-庚二醇酯二醇、碳酸1,8-辛二醇酯二醇、碳酸1,4-环己烷二醇酯二醇等。

作为氨基甲酸酯预聚物(up)的原料的多异氰酸酯，可以举出芳香族多异氰酸酯、脂肪族多异氰酸酯、脂环族多异氰酸酯等。

这些多异氰酸酯可以单独使用，也可以组合2种以上使用。

另外，这些多异氰酸酯也可以是三羟甲基丙烷加合型改性物、与水反应而得到的双缩脲型改性物、含有三聚异氰酸酯环的三聚异氰酸酯型改性物。

这些当中，作为本发明的一个方式中使用的多异氰酸酯，优选二异氰酸酯，更优选选自4,4’-二苯甲烷二异氰酸酯(mdi)、2,4-甲苯二异氰酸酯(2,4-tdi)、2,6-甲苯二异氰酸酯(2,6-tdi)、六亚甲基二异氰酸酯(hmdi)、及脂环族二异氰酸酯中的一种以上。

作为脂环族二异氰酸酯，可以举出例如：3-异氰酸酯基甲基-3,5,5-三甲基环己基异氰酸酯(异佛尔酮二异氰酸酯、ipdi)、1,3-环戊烷二异氰酸酯、1,3-环己烷二异氰酸酯、1,4-环己烷二异氰酸酯、甲基-2,4-环己烷二异氰酸酯、甲基-2,6-环己烷二异氰酸酯等，优选异佛尔酮二异氰酸酯(ipdi)。

在本实施方式中，作为形成丙烯酸氨基甲酸酯类树脂(u1)主链的氨基甲酸酯预聚物(up)，为二醇与二异氰酸酯的反应物，优选为两末端具有烯属不饱和基团的直链氨基甲酸酯预聚物。

作为在该直链氨基甲酸酯预聚物的两末端导入烯属不饱和基团的方法，可以举出：使直链氨基甲酸酯预聚物的末端的nco基与(甲基)丙烯酸羟基烷基酯反应的方法，所述直链氨基甲酸酯预聚物是二醇与二异氰酸酯化合物反应而形成的。

作为(甲基)丙烯酸羟基烷基酯，可以列举例如：(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等。

作为形成丙烯酸氨基甲酸酯类树脂(u1)的支链的乙烯基化合物，至少包含(甲基)丙烯酸酯。

作为(甲基)丙烯酸酯，优选为选自(甲基)丙烯酸烷基酯及(甲基)丙烯酸羟基烷基酯中的1种以上，更优选组合使用(甲基)丙烯酸烷基酯及(甲基)丙烯酸羟基烷基酯。

在组合使用(甲基)丙烯酸烷基酯及(甲基)丙烯酸羟基烷基酯的情况下，相对于(甲基)丙烯酸烷基酯100质量份，作为(甲基)丙烯酸羟基烷基酯的配合比例，优选为0.1～100质量份，更优选为0.5～30质量份，进一步优选为1.0～20质量份，更进一步优选为1.5～10质量份。

作为(甲基)丙烯酸烷基酯所具有的烷基的碳原子数，优选为1～24，更优选为1～12，进一步优选为1～8，更进一步优选为1～3。

另外，作为(甲基)丙烯酸羟基烷基酯，可以举出与为了在上述的直链氨基甲酸酯预聚物的两末端导入烯属不饱和基团而使用的(甲基)丙烯酸羟基烷基酯相同的那些。

作为除(甲基)丙烯酸酯以外的乙烯基化合物，可以列举例如：苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯等芳香烃类乙烯基化合物；甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚等乙烯基醚类；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、(甲基)丙烯腈、n-乙烯基吡咯烷酮、(甲基)丙烯酸、马来酸、富马酸、衣康酸、(甲基)丙烯酰胺等含有极性基团的单体；等等。

这些乙烯基化合物可以单独使用，也可以组合使用2种以上。

作为乙烯基化合物中的(甲基)丙烯酸酯的含量，相对于该乙烯基化合物的总量(100质量％)，优选为40～100质量％，更优选为65～100质量％，进一步优选为80～100质量％，更进一步优选为90～100质量％。

作为乙烯基化合物中的(甲基)丙烯酸烷基酯及(甲基)丙烯酸羟基烷基酯的总含量，相对于该乙烯基化合物的总量(100质量％)优选为40～100质量％，更优选为65～100质量％，进一步优选为80～100质量％，更进一步优选为90～100质量％。

本实施方式中使用的丙烯酸氨基甲酸酯类树脂(u1)可以通过将氨基甲酸酯预聚物(up)与包含(甲基)丙烯酸酯的乙烯基化合物混合、并使两者聚合而得到。

在该聚合中，优选进一步加入自由基引发剂进行。

在本实施方式所使用的丙烯酸氨基甲酸酯类树脂(u1)中，作为来自氨基甲酸酯预聚物(up)的结构单元(u11)与来自乙烯基化合物的结构单元(u12)的含量比〔(u11)/(u12)〕，以质量比计优选为10/90～80/20，更优选为20/80～70/30，进一步优选为30/70～60/40，更进一步优选为35/65～55/45。

〔烯烃类树脂〕

作为树脂组合物(y)中包含的树脂，适宜的烯烃类树脂是至少具有来自烯烃单体的结构单元的聚合物。

作为上述烯烃单体，优选为碳原子数2～8的α-烯烃，具体可以举出：乙烯、丙烯、丁烯、异丁烯、1-己烯等。

其中，优选为乙烯及丙烯。

作为具体的烯烃类树脂，可以列举例如：超低密度聚乙烯(vldpe、密度：880kg/m³以上且低于910kg/m³)、低密度聚乙烯(ldpe、密度：910kg/m³以上且低于915kg/m³)、中密度聚乙烯(mdpe、密度：915kg/m³以上且低于942kg/m³)、高密度聚乙烯(hdpe、密度：942kg/m³以上)、直链状低密度聚乙烯等聚乙烯树脂；聚丙烯树脂(pp)；聚丁烯树脂(pb)；乙烯-丙烯共聚物；烯烃类弹性体(tpo)；聚(4-甲基-1-戊烯)(pmp)；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(eva)；乙烯-乙烯醇共聚物(evoh)；乙烯-丙烯-(5-亚乙基-2-降冰片烯)等烯烃类三元共聚物；等等。

在本实施方式中，烯烃类树脂可以是进一步实施了选自酸改性、羟基改性及丙烯酰基改性中的一种以上改性而得到的改性烯烃类树脂。

例如，作为对烯烃类树脂实施酸改性而得到的酸改性烯烃类树脂，可以举出在上述的未改性的烯烃类树脂上接枝聚合不饱和羧酸或其酸酐而成的改性聚合物。

作为上述的不饱和羧酸或其酸酐，可以列举例如：马来酸、富马酸、衣康酸、柠康酸、戊烯二酸、四氢邻苯二甲酸、乌头酸、(甲基)丙烯酸、马来酸酐、衣康酸酐、戊烯二酸酐、柠康酸酐、乌头酸酐、降冰片烯二酸酐、四氢邻苯二甲酸酐等。

需要说明的是，不饱和羧酸或其酸酐可以单独使用，也可以组合使用2种以上。

作为对烯烃类树脂实施丙烯酰基改性而得到的丙烯酰基改性烯烃类树脂，可以举出在作为主链的上述的未改性烯烃类树脂上接枝聚合(甲基)丙烯酸烷基酯作为侧链而成的改性聚合物。

作为上述(甲基)丙烯酸烷基酯所具有的烷基的碳原子数，优选为1～20，更优选为1～16，进一步优选为1～12。

作为上述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可以举出与后文叙述的能够选择作为单体(a1’)的化合物同样的那些。

作为对烯烃类树脂实施羟基改性而成的羟基改性烯烃类树脂，可以举出在作为主链的上述的未改性烯烃类树脂接枝聚合含羟基化合物而成的改性聚合物。

作为上述的含羟基化合物，可以举出例如：(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等(甲基)丙烯酸羟基烷基酯类；乙烯醇、烯丙醇等不饱和醇类等。

〔丙烯酸氨基甲酸酯类树脂及烯烃类树脂以外的树脂〕

在本实施方式中，在不损害本发明效果的范围内，树脂组合物(y)可以含有丙烯酸氨基甲酸酯类树脂及烯烃类树脂以外的树脂。

作为这样的树脂，可以列举例如：聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯醇等乙烯基类树脂；聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯类树脂；聚苯乙烯；丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物；三乙酸纤维素；聚碳酸酯；不属于丙烯酸氨基甲酸酯类树脂的聚氨酯；聚砜；聚醚醚酮；聚醚砜；聚苯硫醚；聚醚酰亚胺、聚酰亚胺等聚酰亚胺类树脂；聚酰胺类树脂；丙烯酸树脂；氟树脂等。

作为除丙烯酸氨基甲酸酯类树脂及烯烃类树脂以外的树脂的含有比例，相对于树脂组合物(y)中包含的树脂的总量100质量份，优选小于30质量份，更优选小于20质量份，进一步优选小于10质量份，更进一步优选小于5质量份，再进一步优选小于1质量份。

＜膨胀性粒子＞

膨胀性粒子只要是能够通过外部刺激使其自身膨胀而在第1粘合剂层形成凹凸、使与被粘附物的粘接力降低的粒子即可，没有特别限定。

作为膨胀性粒子，可以举出例如：通过加热而膨胀的热膨胀性粒子、通过照射能量线而膨胀的能量线膨胀性粒子等，从通用性及操作性的观点考虑，优选为热膨胀性粒子。

作为热膨胀性粒子，优选为膨胀起始温度(t)调整为120～250℃的粒子。

需要说明的是，在本说明书中，热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)是指基于以下方法测得的值。

[热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)的测定方法]

向直径6.0mm(内径5.65mm)、深度4.8mm的铝杯中加入作为测定对象的热膨胀性粒子0.5mg，从其上放上铝盖(直径5.6mm、厚度0.1mm)，从而制作试料。

使用动态粘弹性测定装置，利用压头从铝盖上部对其试料施加0.01n的力，在该状态下测定试料的高度，然后，利用压头施加0.01n的力，在该状态下以10℃/min的升温速度从20℃加热至300℃，测定压头在垂直方向的位移量，将向正向的位移起始温度作为膨胀起始温度(t)。

作为热膨胀性粒子，优选为由外壳和内包成分构成的微胶囊发泡剂，所述外壳由热塑性树脂构成，所述内包成分内包于该外壳，并且在加热至给定的温度时发生气化。

作为构成微胶囊发泡剂的外壳的热塑性树脂，可以举出例如：偏氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏氯乙烯、聚砜等。

作为内包于外壳的内包成分，可以举出例如：丙烷、丁烷、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、异丁烷、异戊烷、异己烷、异庚烷、异辛烷、异壬烷、异癸烷、环丙烷、环丁烷、环戊烷、环己烷、环庚烷、环辛烷、新戊烷、十二碳烷、异十二碳烷、环十三碳烷、己基环己烷、十三碳烷、十四碳烷、十五碳烷、十六碳烷、十七碳烷、十八碳烷、十九碳烷、异十三碳烷、4-甲基十二碳烷、异十四碳烷、异十五碳烷、异十六碳烷、2,2,4,4,6,8,8-七甲基壬烷、异十七碳烷、异十八碳烷、异十九碳烷、2,6,10,14-四甲基十五碳烷、环十三碳烷、庚基环己烷、正辛基环己烷、环十五碳烷、壬基环己烷、癸基环己烷、十五烷基环己烷、十六烷基环己烷、十七烷基环己烷、十八烷基环己烷等。

这些内包成分可以单独使用，也可以组合使用2种以上。

热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)可以通过适当选择内包成分的种类来进行调整。

本实施方式中使用的热膨胀性粒子在加热至热膨胀起始温度(t)以上的温度时，体积最大膨胀率优选为1.5～100倍，更优选为2～80倍，进一步优选为2.5～60倍，更进一步优选为3～40倍。

本实施方式中使用的23℃下膨胀前的膨胀性粒子的平均粒径优选为3～100μm，更优选为4～70μm，进一步优选为6～60μm，更进一步优选为10～50μm。

需要说明的是，膨胀性粒子的膨胀前的平均粒径是指体积中值粒径(d50)，是使用激光衍射式粒度分布测定装置(例如，malvern公司制造、制品名“mastersizer3000”)测定的膨胀前的膨胀性粒子的粒子分布中，从膨胀前的膨胀性粒子的粒径小者开始计算的累积体积频率相当于50％的粒径。

作为本实施方式中使用的23℃下膨胀前的膨胀性粒子的90％粒径(d90)，优选为10～150μm，更优选为20～100μm，进一步优选为25～90μm，更进一步优选为30～80μm。

需要说明的是，膨胀性粒子的膨胀前的90％粒径(d90)是使用激光衍射式粒度分布测定装置(例如，malvern公司制造、制品名“mastersizer3000”)测定的膨胀前的膨胀性粒子的粒子分布中，从膨胀前的膨胀性粒子的粒径小者开始计算的累积体积频率相当于90％的粒径。

相对于树脂组合物(y)的有效成分总量(100质量％)，膨胀性粒子的含量优选为1～40质量％，更优选为5～35质量％，进一步优选为10～30质量％，更进一步优选为15～25质量％。

＜基材用添加剂＞

在不损害本发明效果的范围内，本实施方式中使用的树脂组合物(y)还可以含有通常的粘合片所具有的基材中包含的基材用添加剂。

作为这样的基材用添加剂，可以列举例如：紫外线吸收剂、光稳定剂、抗氧剂、抗静电剂、爽滑剂、防粘连剂、着色剂等。

需要说明的是，这些基材用添加剂可以分别单独使用，也可以组合使用2种以上。

在含有这些基材用添加剂的情况下，相对于树脂组合物(y)中的上述树脂100质量份，各基材用添加剂的含量优选为0.0001～20质量份，更优选为0.001～10质量份。

＜无溶剂型树脂组合物(y1)＞

作为本实施方式中使用的树脂组合物(y)的一个方式，可以举出无溶剂型树脂组合物(y1)，所述无溶剂型树脂组合物(y1)配合重均分子量(mw)为50000以下的具有烯属不饱和基团的低聚物、能量线聚合性单体、以及上述的膨胀性粒子而成、且未配合溶剂。

在无溶剂型树脂组合物(y1)中，虽然未配合溶剂，但能量线聚合性单体有助于提高上述低聚物的塑性。

通过对由无溶剂型树脂组合物(y1)形成的涂膜照射能量线，可以得到膨胀性基材。

对于无溶剂型树脂组合物(y1)中配合的膨胀性粒子的种类、形状、配合量(含量)，如上所述。

无溶剂型树脂组合物(y1)中包含的上述低聚物的重均分子量(mw)为50000以下，优选为1000～50000，更优选为2000～40000，进一步优选为3000～35000，更进一步优选为4000～30000。

另外，作为上述低聚物，只要是上述的树脂组合物(y)中包含的树脂中重均分子量(mw)为50000以下的具有烯属不饱和基团的低聚物即可，优选为上述的氨基甲酸酯预聚物(up)。

需要说明的是，作为该低聚物，也可以使用具有烯属不饱和基团的改性烯烃类树脂等。

相对于无溶剂型树脂组合物(y1)的总量(100质量％)，无溶剂型树脂组合物(y1)中上述低聚物及上述能量线聚合性单体的总含量优选为50～99质量％，更优选为60～95质量％，进一步优选为65～90质量％，更进一步优选为70～85质量％。

作为能量线聚合性单体，可以列举例如：(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯酯、(甲基)丙烯酸二环戊酯、双环戊烯基氧基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸金刚烷酯、丙烯酸三环癸酯等脂环式聚合性化合物；丙烯酸苯基羟丙酯、丙烯酸苄酯、苯酚环氧乙烷改性丙烯酸酯等芳香族聚合性化合物；(甲基)丙烯酸四氢糠酯、丙烯酸吗啉酯、n-乙烯基吡咯烷酮、n-乙烯基己内酰胺等杂环式聚合性化合物等。

这些能量线聚合性单体可以单独使用，也可以组合使用2种以上。

无溶剂型树脂组合物(y1)中，上述低聚物与上述能量线聚合性单体的含量比(上述低聚物/能量线聚合性单体)以质量比计优选为20/80～90/10，更优选为30/70～85/15，进一步优选为35/65～80/20。

在本实施方式中，优选无溶剂型树脂组合物(y1)进一步配合光聚合引发剂而成。

通过含有光聚合引发剂，也可以利用照射较低能量的能量线而充分进行固化反应。

作为光聚合引发剂，可以列举例如：1-羟基环己基苯基甲酮、苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻丙基醚、苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、联苄、双乙酰、8-氯蒽醌等。

这些光聚合引发剂可以单独使用，也可以组合使用2种以上。

相对于上述低聚物及能量线聚合性单体的总量(100质量份)，光聚合引发剂的配合量优选为0.01～5质量份，更优选为0.01～4质量份，进一步优选为0.02～3质量份。

＜基材的储能模量＞

本实施方式的粘合片所具有的膨胀性基材在23℃下的储能模量e’(23)优选为1.0×10⁶pa以上，更优选为5.0×10⁶～5.0×10¹²pa，进一步优选为1.0×10⁷～1.0×10¹²pa，更进一步优选为5.0×10⁷～1.0×10¹¹pa，再进一步优选为1.0×10⁸～1.0×10¹⁰pa。通过使用储能模量e’(23)为上述范围内的膨胀性基材，可以防止半导体芯片的位置偏移，而且能够防止半导体芯片沉入第1粘合剂层。

例如，半导体芯片以其电路面被粘合剂层的粘合表面包覆的方式放置。半导体芯片的放置有时可以使用倒装芯片焊接机、芯片焊接机等公知的装置。在上述步骤中，使用倒装芯片焊接机或芯片焊接机将半导体芯片放置在粘合片的粘合剂层上时，会施加将半导体芯片压入粘合片的厚度方向的力，因此，存在半导体芯片过度沉入粘合剂层的厚度方向侧的隐患。另外，在使用倒装芯片焊接机或芯片焊接机将半导体芯片放置在粘合片上时，也会施加使半导体芯片沿粘合片的水平方向移动的力，因此，也存在半导体芯片沿粘合剂层的水平方向发生位置偏移的隐患。但是，也可以通过使用满足上述储能模量e’(23)的膨胀性基材来解决这些问题。

需要说明的是，在本说明书中，给定温度下的膨胀性基材的储能模量e’是通过实施例中记载的方法测得的值。

另外，本实施方式的粘合片所具有的膨胀性基材优选其储能模量满足以下的要件(1)。

·要件(1)：上述膨胀性基材在100℃下的储能模量e’(100)为2.0×10⁵pa以上。

通过具有满足要件(1)的膨胀性基材，在fowlp及foplp的制造过程中的密封工序的温度环境下，也可以适度地抑制膨胀性粒子的流动，因此，膨胀性基材上设置的第1粘合剂层的粘合表面不易发生变形。其结果是，能够防止半导体芯片的位置偏移，并且可以防止半导体芯片沉入第1粘合剂层。

从上述观点考虑，膨胀性基材的储能模量e’(100)更优选为4.0×10⁵pa以上，进一步优选为6.0×10⁵pa以上，更进一步优选为8.0×10⁵pa以上，更进一步优选为1.0×10⁶pa以上。

另外，从在密封工序中有效地抑制半导体芯片的位置偏移的观点考虑，膨胀性基材的储能模量e’(100)优选为1.0×10¹²pa以下，更优选为1.0×10¹¹pa以下，进一步优选为1.0×10¹⁰pa以下，更进一步优选为1.0×10⁹pa以下。

另外，在本实施方式的粘合片所具有的膨胀性基材含有热膨胀性粒子作为膨胀性粒子的情况下，优选其储能模量满足以下的要件(2)。

·要件(2)：上述膨胀性基材在上述热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)下的储能模量e’(t)为1.0×10⁷pa以下。

通过具有满足要件(2)的膨胀性基材，在使热膨胀性粒子膨胀的温度下，膨胀性基材容易跟随热膨胀性粒子的体积膨胀而发生变形，易于在第1粘合剂层的粘合表面形成凹凸。由此，可以利用很小的外力从对象物上剥离。

从上述观点考虑，膨胀性基材的储能模量e’(t)更优选为9.0×10⁶pa以下，进一步优选为8.0×10⁶pa以下，更进一步优选为6.0×10⁶pa以下，再进一步优选为4.0×10⁶pa以下。

另外，从抑制膨胀后的热膨胀性粒子的流动、提高形成于第1粘合剂层的粘合表面的凹凸的形状保持性、进一步提高剥离性的观点考虑，膨胀性基材的储能模量e’(t)优选为1.0×10³pa以上，更优选为1.0×10⁴pa以上，进一步优选为1.0×10⁵pa以上。

(第1粘合剂层)

本实施方式的粘合片所具有的第1粘合剂层只要包含粘合性树脂即可，可以根据需要含有交联剂、增粘剂、聚合性化合物、聚合引发剂等粘合剂用添加剂。

需要说明的是，从利用密封工序中的加热来防止放置的半导体芯片沉入第1粘合剂层的观点考虑，优选第1粘合剂层为非膨胀性粘合剂层。

对于本实施方式的粘合片而言，膨胀性粒子发生膨胀之前的第1粘合剂层的粘合表面在23℃下的粘合力优选为0.1～10.0n/25mm，更优选为0.2～8.0n/25mm，进一步优选为0.4～6.0n/25mm，更进一步优选为0.5～4.0n/25mm。

该粘合力为0.1n/25mm以上时，可以充分固定到能够防止密封工序中的半导体芯片的位置偏移的程度。

另一方面，该粘合力为10.0n/25mm以下时，从被粘附物剥离时可以用微小的外力容易地剥离。

需要说明的是，上述的粘合力是指通过实施例中记载的方法测得的值。

对于本实施方式的粘合片而言，作为第1粘合剂层在23℃下的剪切模量g’(23)，优选为1.0×10⁴～1.0×10⁸pa，更优选为5.0×10⁴～5.0×10⁷pa，进一步优选为1.0×10⁵～1.0×10⁷pa。

在具有多个粘合剂层的粘合片的情况下，优选粘贴半导体芯片的粘合剂层的剪切模量g’(23)为上述范围内，且优选膨胀性基材的粘贴半导体芯片一侧的全部粘合剂层的剪切模量g’(23)为上述范围内。

第1粘合剂层的剪切模量g’(23)为1.0×10⁴pa以上时，能够防止半导体芯片的位置偏移，并且可以防止半导体芯片沉入第1粘合剂层。

另一方面，第1粘合剂层的剪切模量g’(23)为1.0×10⁸pa以下时，容易通过膨胀性基材中膨胀性粒子的膨胀而在第1粘合剂层的表面形成凹凸，其结果是可以利用微小的力容易地剥离。

需要说明的是，在本说明书中，第1粘合剂层的剪切模量g’(23)是指通过实施例中记载的方法测得的值。

从表现出优异的粘合力的观点、以及易于通过膨胀性基材中的膨胀性粒子的膨胀而在第1粘合剂层的表面形成凹凸的观点考虑，本实施方式的粘合片所具有的第1粘合剂层的厚度优选为1～60μm，更优选为2～50μm，进一步优选为3～40μm，更进一步优选为5～30μm。

对于本实施方式的粘合片而言，从使再布线层形成面平坦、并且防止半导体芯片的位置偏移的观点考虑，作为23℃下的膨胀性基材的厚度与第1粘合剂层的厚度之比(膨胀性基材/第1粘合剂层)，优选为0.2以上，更优选为0.5以上，进一步优选为1.0以上，更进一步优选为5.0以上，另外，从制成剥离时能够用微小的力容易地剥离的粘合片的观点考虑，优选为1000以下，更优选为200以下，进一步优选为60以下，更进一步优选为30以下。

第1粘合剂层的厚度是指通过实施例中记载的方法测得的值。

第1粘合剂层可以由包含粘合性树脂的粘合剂组合物形成。

以下，对作为第1粘合剂层的形成材料的粘合剂组合物中包含的各成分进行说明。

＜粘合性树脂＞

作为本实施方式中使用的粘合性树脂，优选为该树脂单独具有粘合性、且重均分子量(mw)为1万以上的聚合物。

作为本实施方式中使用的粘合性树脂的重均分子量(mw)，从提高粘合力的观点考虑，更优选为1万～200万，进一步优选为2万～150万，更进一步优选为3万～100万。

作为粘合性树脂，可以列举例如：丙烯酸类树脂、氨基甲酸酯类树脂、聚异丁烯类树脂等橡胶类树脂、聚酯类树脂、烯烃类树脂、有机硅类树脂、聚乙烯基醚类树脂等。

这些粘合性树脂可以单独使用，也可以组合使用2种以上。

另外，在这些粘合性树脂为具有2种以上结构单元的共聚物的情况下，该共聚物形态没有特别限定，可以是嵌段共聚物、无规共聚物及接枝共聚物中的任一种。

本实施方式中使用的粘合性树脂可以是在上述的粘合性树脂的侧链导入有聚合性官能团的能量线固化型粘合性树脂。

作为该聚合性官能团，可以举出(甲基)丙烯酰基、乙烯基等。

另外，作为能量线，可以列举：紫外线、电子束等，优选为紫外线。

相对于粘合剂组合物的有效成分的总量(100质量％)，粘合性树脂的含量优选为30～99.99质量％，更优选为40～99.95质量％，进一步优选为50～99.90质量％，更进一步优选为55～99.80质量％，再进一步优选为60～99.50质量％。

需要说明的是，在本说明书的以下记载中，“各成分相对于粘合剂组合物的有效成分的总量的含量”与“由该粘合剂组合物形成的粘合剂层中的各成分的含量”含义相同。

在本实施方式中，从表现出优异的粘合力的观点、以及容易通过由于加热处理带来的膨胀性基材中膨胀性粒子的膨胀而在形成的粘合剂层的表面形成凹凸的观点考虑，粘合性树脂优选包含丙烯酸类树脂。

作为粘合性树脂中的丙烯酸类树脂的含有比例，相对于粘合剂组合物中包含的粘合性树脂总量(100质量％)，优选为30～100质量％，更优选为50～100质量％，进一步优选为70～100质量％，更进一步优选为85～100质量％。

〔丙烯酸类树脂〕

在本实施方式中，作为可以用作粘合性树脂的丙烯酸类树脂，可以举出例如，包含来源于具有直链或支链烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元的聚合物、包含来源于具有环状结构的(甲基)丙烯酸酯的结构单元的聚合物等。

丙烯酸类树脂的重均分子量(mw)优选为10万～150万，更优选为20万～130万，进一步优选为35万～120万，更进一步优选为50万～110万。

作为丙烯酸类树脂，更优选为丙烯酸类共聚物(a1)，所述丙烯酸类共聚物(a1)具有来源于(甲基)丙烯酸烷基酯(a1’)(以下，也称为“单体(a1’)”)的结构单元(a1)及来源于含官能团单体(a2’)(以下，也称为“单体(a2’)”)的结构单元(a2)。

作为单体(a1’)所具有的烷基的碳原子数，从提高粘合特性的观点考虑，优选为1～24，更优选为1～12，进一步优选为2～10，更进一步优选为4～8。

需要说明的是，单体(a1’)所具有的烷基可以是直链烷基，也可以是支链烷基。

作为单体(a1’)，可以列举例如：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯等。

这些单体(a1’)可以单独使用，也可以组合使用2种以上。

作为单体(a1’)，优选为(甲基)丙烯酸丁酯及(甲基)丙烯酸2-乙基己酯。

相对于丙烯酸类共聚物(a1)的全部结构单元(100质量％)，结构单元(a1)的含量优选为50～99.9质量％，更优选为60～99.0质量％，进一步优选为70～97.0质量％，更进一步优选为80～95.0质量％。

作为单体(a2’)所具有的官能团，可以列举例如：羟基、羧基、氨基、环氧基等。

即，作为单体(a2’)，可以列举例如：含羟基单体、含羧基单体、含氨基单体、含环氧基单体等。

这些单体(a2’)可以单独使用，也可以组合使用2种以上。

其中，作为单体(a2’)，优选为含羟基单体及含羧基单体。

作为含羟基单体，可以举出例如与上述的含有羟基的化合物相同的那些。

作为含羧基单体，可以列举例如：(甲基)丙烯酸、巴豆酸等烯属不饱和单羧酸；富马酸、衣康酸、马来酸、柠康酸等烯属不饱和二羧酸及其酸酐、琥珀酸2-(丙烯酰氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-羧基乙酯等。

相对于丙烯酸类共聚物(a1)的全部结构单元(100质量％)，结构单元(a2)的含量优选为0.1～40质量％，更优选为0.5～35质量％，进一步优选为1.0～30质量％，更进一步优选为3.0～25质量％。

丙烯酸类共聚物(a1)可以进一步具有来源于除单体(a1’)及(a2’)以外的其它单体(a3’)的结构单元(a3)。

需要说明的是，在丙烯酸类共聚物(a1)中，相对于丙烯酸类共聚物(a1)的全部结构单元(100质量％)，结构单元(a1)及(a2)的含量优选为70～100质量％，更优选为80～100质量％，进一步优选为90～100质量％，更进一步优选为95～100质量％。

作为单体(a3’)，可以列举例如：乙烯、丙烯、异丁烯等烯烃类；氯乙烯、偏二氯乙烯等卤代烯烃类；丁二烯、异戊二烯、氯丁二烯等二烯类单体类；(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯氧基乙酯、酰亚胺(甲基)丙烯酸酯等具有环状结构的(甲基)丙烯酸酯；苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、(甲基)丙烯酰胺、(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯酰基吗啉、n-乙烯基吡咯烷酮等。

另外，丙烯酸类共聚物(a1)可以是在侧链导入了聚合性官能团的能量线固化型丙烯酸类共聚物。

作为该聚合性官能团及该能量线，如上所述。

需要说明的是，聚合性官能团可以通过使具有上述的结构单元(a1)及(a2)的丙烯酸类共聚物与如下化合物进行反应而导入，所述化合物具有能够与该丙烯酸类共聚物的结构单元(a2)所具有的官能团键合的取代基和聚合性官能团。

作为上述化合物，可以列举例如：(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、(甲基)丙烯酰基异氰酸酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等。

＜交联剂＞

在本实施方式中，在粘合剂组合物包含上述丙烯酸类共聚物(a1)那样的含有官能团的粘合性树脂的情况下，优选进一步含有交联剂。

该交联剂是与具有官能团的粘合性树脂反应、并以该官能团作为交联起点使粘合性树脂彼此交联的物质。

作为交联剂，可以列举例如：异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、氮丙啶类交联剂、金属螯合物类交联剂等。

这些交联剂可以单独使用，也可以组合使用2种以上。

在这些交联剂当中，从提高凝聚力使粘合力增强的观点、以及容易获得等的观点考虑，优选为异氰酸酯类交联剂。

交联剂的含量可以通过粘合性树脂所具有的官能团的数量而适当调整，相对于具有官能团的粘合性树脂100质量份，优选为0.01～10质量份，更优选为0.03～7质量份，进一步优选为0.05～5质量份。

＜增粘剂＞

在本实施方式中，从进一步提高粘合力的观点考虑，粘合剂组合物优选还含有增粘剂。

在本说明书中，“增粘剂”是指辅助性提高上述粘合性树脂的粘合力的成分，是重均分子量(mw)低于1万的低聚物，与上述的粘合性树脂相区别。

增粘剂的重均分子量(mw)优选为400～10000，更优选为500～8000，进一步优选为800～5000。

作为增粘剂，可以列举例如：松香类树脂、萜烯类树脂、苯乙烯类树脂、将石脑油热裂解所产生的戊烯、异戊二烯、间戊二烯(ピペリン)、1,3-戊二烯等c5馏分共聚而得到的c5系石油树脂、将石脑油热裂解所产生的茚、乙烯基甲苯等c9馏分共聚而得到的c9系石油树脂、以及将它们氢化而成的氢化树脂等。

增粘剂的软化点优选为60～170℃，更优选为65～160℃，进一步优选为70～150℃。

需要说明的是，在本说明书中，增粘剂的“软化点”是指按照jisk2531测得的值。

增粘剂可以单独使用，也可以组合使用软化点、结构等不同的2种以上。

另外，在使用2种以上的多种增粘剂的情况下，优选这些多种增粘剂的软化点的加权平均在上述范围。

相对于粘合剂组合物的有效成分总量(100质量％)，增粘剂的含量优选为0.01～65质量％，更优选为0.05～55质量％，进一步优选为0.1～50质量％，更进一步优选为0.5～45质量％，更进一步优选为1.0～40质量％。

＜光聚合引发剂＞

在本实施方式中，在粘合剂组合物包含能量线固化型粘合性树脂作为粘合性树脂的情况下，优选进一步含有光聚合引发剂。

通过制成含有能量线固化型粘合性树脂及光聚合引发剂的粘合剂组合物，由该粘合剂组合物形成的粘合剂层即使通过照射较低能量的能量线，也能够充分进行固化反应，可以将粘合力调整至希望的范围。

需要说明的是，作为光聚合引发剂，可以举出与上述无溶剂型树脂组合物(y1)中配合的引发剂相同的那些。

相对于能量线固化型的粘合性树脂100质量份，光聚合引发剂的含量优选为0.01～10质量份，更优选为0.03～5质量份，进一步优选为0.05～2质量份。

＜粘合剂用添加剂＞

在本实施方式中，在不损害本发明效果的范围内，作为第1粘合剂层的形成材料的粘合剂组合物除了上述的添加剂以外，还可以含有通常的粘合剂中使用的粘合剂用添加剂。

作为这样的粘合剂用添加剂，可以列举例如：抗氧剂、软化剂(增塑剂)、防锈剂、颜料、染料、反应抑制剂、反应促进剂(催化剂)、紫外线吸收剂等。

需要说明的是，这些粘合剂用添加剂可以分别单独使用，也可以组合使用2种以上。

在含有这些粘合剂用添加剂的情况下，相对于粘合性树脂100质量份，各粘合剂用添加剂的含量优选为0.0001～20质量份，更优选为0.001～10质量份。

作为粘合剂层的形成材料的粘合剂组合物可以在不损害本发明效果的范围内含有膨胀性粒子。

但是，如上所述，第1粘合剂层优选为非膨胀性粘合剂层。因此，作为该粘合剂层的形成材料的粘合剂组合物优选尽量减少膨胀性粒子的含量。

相对于粘合剂组合物的有效成分总量(100质量％)，膨胀性粒子的含量优选低于5质量％，更优选低于1质量％，进一步优选低于0.1质量％，更进一步优选低于0.01质量％，特别优选低于0.001质量％。

(第2粘合剂层)

本实施方式的粘合片所具有的第2粘合剂层只要包含粘合性树脂即可，可以根据需要含有交联剂、增粘剂、聚合性化合物、聚合引发剂等粘合剂用添加剂。

第2粘合剂层的组成及形态的优选方式与第1粘合剂层相同。其中，第1粘合剂层与第2粘合剂层的组成可以相同，也可以不同。另外，第1粘合剂层与第2粘合剂层的形态可以相同，也可以不同。

作为第2粘合剂层的剪切模量g’(23)，从使与支撑体等的密合性良好的观点考虑，优选为1.0×10⁴～1.0×10⁸pa，更优选为3.0×10⁴～5.0×10⁷pa，进一步优选为5.0×10⁴～1.0×10⁷pa。

(剥离材料)

如图1(b)的粘合片10a，本实施方式的粘合片可以在第1粘合剂层和/或第2粘合剂层的粘合表面进一步具有剥离材料。

作为剥离材料，可以使用实施了双面剥离处理的剥离片、实施了单面剥离处理的剥离片等，可以举出在剥离材料用基材上涂布有剥离剂的剥离片等。

作为剥离材料用基材，可以列举例如：全化浆纸、玻璃纸、牛皮纸等纸类；聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯树脂等聚酯树脂膜、聚丙烯树脂、聚乙烯树脂等烯烃树脂膜等塑料膜；等等。

作为剥离剂，可以列举例如：有机硅类树脂、烯烃类树脂、异戊二烯类树脂、丁二烯类树脂等橡胶类弹性体、长链烷基类树脂、醇酸类树脂、氟树脂等。

剥离材料的厚度没有特别限制，优选为10～200μm，更优选为25～170μm，进一步优选为35～80μm。

〔粘合片的制造方法〕

作为本实施方式的双面粘合片的制造方法，没有特别限制，可以举出例如具有下述工序(1a)～(4a)的制造方法(a)。

·工序(1a)：在剥离材料的剥离处理面上涂布作为膨胀性基材的形成材料的树脂组合物(y)，形成涂膜，使该涂膜干燥或uv固化后，将剥离材料从得到的膨胀性基材剥离的工序。

·工序(2a)：在与工序(1a)不同的剥离材料的剥离处理面上涂布作为第1粘合剂层的形成材料的粘合剂组合物，形成涂膜，将该涂膜干燥，形成第1粘合剂层的工序。

·工序(3a)：在与工序(1a)及(2a)不同的剥离材料的剥离处理面上涂布作为第2粘合剂层的形成材料的粘合剂组合物，形成涂膜，将该涂膜干燥，形成第2粘合剂层的工序。

·工序(4a)：在工序(1a)中形成的膨胀性基材的一个表面粘贴第1粘合剂层，在另一表面粘贴第2粘合剂层的工序。

作为本实施方式的双面粘合片的其它的制造方法，可以举出具有下述工序(1b)～(3b)的制造方法(b)。

·工序(1b)：在剥离材料的剥离处理面上涂布作为第1粘合剂层的形成材料的粘合剂组合物，形成涂膜，将该涂膜干燥，形成第1粘合剂层的工序。

·工序(2b)：在形成的第1粘合剂层的表面上涂布作为膨胀性基材的形成材料的树脂组合物(y)，形成涂膜，将该涂膜干燥或uv固化，形成膨胀性基材的工序。

·工序(3b)：在形成的上述膨胀性基材的表面上涂布作为第2粘合剂层的形成材料的粘合剂组合物，形成涂膜，将该涂膜干燥，形成第2粘合剂层的工序。

在上述制造方法(a)及(b)中，树脂组合物(y)及粘合剂组合物可以进一步配合稀释溶剂而制成溶液的形态。

作为涂布方法，可以列举例如：旋涂法、喷涂法、棒涂法、刮刀涂布法、辊涂法、刮板涂布法、模涂法、凹版涂布法等。

需要说明的是，制造方法(a)的工序(1a)、以及制造方法(b)的工序(1b)中由涂膜形成膨胀性基材的干燥或uv照射优选适当选择膨胀性粒子不发生膨胀的条件来实施。例如，在将含有热膨胀性粒子的树脂组合物(y)干燥而形成膨胀性基材的情况下，优选在干燥温度低于热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)的条件下进行。

＜本实施方式的半导体装置的各制造工序＞

接下来，对本实施方式的半导体装置的制造方法的各工序进行说明。

本实施方式的半导体装置的制造方法是使用上述双面粘合片制造半导体装置的方法，该方法具有下述工序(1)～(4)。

工序(1)：将硬质支撑体粘贴于第2粘合剂层的粘合表面的工序

工序(2)：将半导体芯片放置于第1粘合剂层的粘合表面的一部分的工序

工序(3)：用密封材料包覆上述半导体芯片、第1粘合剂层的粘合表面中上述半导体芯片的周边部，使该密封材料固化，得到上述半导体芯片被固化密封材料密封而成的固化密封体的工序

工序(4)：使上述膨胀性粒子膨胀，从上述固化密封体剥离上述双面粘合片的工序

以下，参照附图对本实施方式的半导体装置的制造方法的各工序进行说明。

(工序(1))

图2(a)示出的是对工序(1)进行说明的剖面图，在所述工序(1)中，将硬质支撑体20粘贴于双面粘合片10的第2粘合剂层122的粘合表面122a。

需要说明的是，在双面粘合片10具有剥离材料132的情况下，预先将剥离材料132剥离。

硬质支撑体20被粘贴在第2粘合剂层122的粘合表面122a，是为了在工序(2)及(3)中得到平坦性优异的固化密封体而使用的。

从实现上述目标的观点考虑，如图2(a)所示，硬质支撑体20优选粘贴在粘合表面122(a)的整个面。因此，硬质支撑体20优选为板状，与粘合表面122a粘贴的一侧的表面面积优选为粘合表面122a的面积以上。

硬质支撑体20的材质可以考虑机械强度、耐热性等而适当确定，可以列举例如：sus等金属材料；玻璃、硅晶片等非金属无机材料；聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺等树脂材料；玻璃环氧树脂等复合材料等，其中，优选为sus、玻璃、硅晶片等。

硬质支撑体20的厚度可以考虑机械强度、操作性等而适当确定，例如为100μm～50mm。

(工序(2))

图2(b)示出的是对工序(2)进行说明的剖面图，在所述工序(2)中，将半导体芯片cp放置于第1粘合剂层121的粘合表面121a的一部分。

需要说明的是，在双面粘合片10具有剥离材料131的情况下，预先将剥离材料131剥离。

半导体芯片cp可以使用现有公知的半导体芯片cp。半导体芯片cp在其电路面w1形成有由晶体管、电阻、电容器等电路元件构成的集成电路。

半导体芯片cp例如以其电路面w1被粘合表面121a包覆的方式放置。半导体芯片cp的放置可以使用倒装芯片焊接机、芯片焊接机等公知的装置。

半导体芯片cp的配置的线路图、配置数等可以根据目标的封装形态、生产数等而适当确定。

这里，本实施方式的半导体装置的制造方法可以优选用于如下的封装，所述封装如fowlp、foplp等那样，在大于芯片尺寸的区域以密封材料包覆半导体芯片cp，不仅在半导体芯片cp的电路面w1、而且在密封材料的表面区域也形成再布线层。因此，半导体芯片cp可以放置于第1粘合剂层121的粘合表面121a的一部分，多个半导体芯片cp优选以隔开一定间隔排列的状态放置于粘合表面121a，多个半导体芯片cp更优选以隔开一定间隔、且排列成多行及多列的阵列状的状态放置于粘合表面121a。半导体芯片cp彼此的间隔可以根据目标封装的形态等而适当确定。

通过将半导体芯片cp放置于第1粘合剂层121的粘合表面121a的一部分，可以在第1粘合剂层121的粘合表面121a中形成半导体芯片cp的周边部30。在图2(b)中，半导体芯片cp的周边部30是指多个半导体芯片cp中相当于邻接的半导体芯片cp彼此的间隙的第1粘合剂层121的粘合表面121a。

(工序(3))

图2(c)及(d)示出的是对工序(3)进行说明的剖面图，在所述工序(3)中，用密封材料40包覆半导体芯片cp、和第1粘合剂层121的粘合表面121a中半导体芯片cp的周边部30，使该密封材料40固化，得到半导体芯片cp被固化密封材料41密封而成的固化密封体50。

需要说明的是，以下，有时将用密封材料40包覆半导体芯片cp、和第1粘合剂层121的粘合表面121a中半导体芯片cp的周边部30的工序称为“包覆工序”，有时将使该密封材料40固化而得到半导体芯片cp被固化密封材料41密封而成的固化密封体50的工序称为“固化工序”。

如图2(c)所示，在包覆工序中，首先用密封材料40包覆半导体芯片cp、和第1粘合剂层121的粘合表面121a中半导体芯片cp的周边部30。密封材料40包覆半导体芯片cp的露出的整个面，并且填充了多个半导体芯片cp彼此的间隙。

密封材料40具有保护半导体芯片cp及其附属元件免受外部环境影响的功能。

作为密封材料40，没有特别限制，可以从目前用作半导体密封材料的材料中适当选择任意的材料使用。

从机械强度、耐热性、绝缘性等的观点考虑，密封材料40是具有固化性的材料，可以列举例如：热固性树脂组合物、能量线固化性树脂组合物等。

以下，在本实施方式中，以密封材料40为热固性树脂组合物的情况进行说明。

作为密封材料40的热固性树脂组合物所含有的热固性树脂可以列举例如：环氧树脂、酚醛树脂、氰酸酯树脂等，从机械强度、耐热性、绝缘性、成型性等的观点考虑，优选为环氧树脂。

上述热固性树脂组合物除了上述热固性树脂以外，还可以根据需要含有酚醛树脂类固化剂、胺类固化剂等固化剂、固化促进剂、二氧化硅等无机填充材料、弹性体等添加剂。

密封材料40在室温下可以为固体，也可以为液体。另外，室温下为固体的密封材料40的形态没有特别限定，例如可以为颗粒状、片状等。

作为利用密封材料40包覆半导体芯片cp及其周边部30的方法，可以从目前应用于半导体密封工序的方法中适当选择任意的方法来使用，例如，可以应用辊层压法、真空压制法、真空层压法、旋涂法、模涂法、传递模塑法、压缩模制法等。

在这些方法中，通常为了提高密封材料40的填充性而在包覆时对密封材料40进行加热来赋予流动性。

如图2(d)所示，在进行了包覆工序之后，使密封材料40固化，得到半导体芯片cp被固化密封材料41密封而成的固化密封体50。

这里，如上所述，本实施方式中使用的双面粘合片10含有通过热、能量线等而膨胀的膨胀性粒子，在后文叙述的工序(4)中，通过使该膨胀性粒子膨胀，降低粘合表面121a与固化密封体50的粘合力，从固化密封体50剥离双面粘合片10。因此，在包覆工序及固化工序中，优选适宜地选择膨胀性粒子不发生膨胀的条件对密封材料40进行包覆及固化。

例如，在双面粘合片10中包含的膨胀性粒子为热膨胀性粒子的情况下，包覆工序及固化工序中的加热条件(加热温度及加热时间)优选为热膨胀性粒子的膨胀所引起的双面粘合片10的厚度增加率为10％以下的加热条件，更优选上述增加率为5％以下的加热条件，进一步优选上述增加率为0％的加热条件(即，热膨胀性粒子不发生膨胀的加热条件)。需要说明的是，双面粘合片10的厚度的增加率例如可以按照jisk6783、z1702、z1709标准、使用恒压测厚仪(teclock公司制造，制品名“pg-02”)来测定给定条件下加热前后的双面粘合片10的厚度，并基于下式进行计算。

厚度的增加率(％)＝(加热后厚度－加热前的厚度)×100/加热前的厚度

需要说明的是，可以分别实施包覆工序和固化工序，但在包覆工序中对密封材料40进行加热的情况下，也可以利用该加热直接使密封材料40固化。即，在该情况下，可以同时实施包覆工序和固化工序。

需要说明的是，在本实施方式中，对于使用热固性树脂组合物作为密封材料40、且使用热膨胀性粒子作为膨胀性粒子的方式进行了说明，但也可以是例如密封材料40为能量线固化性树脂组合物、且膨胀性粒子为热膨胀性粒子的方式，可以是密封材料40为能量线固化性树脂组合物、且膨胀性粒子为能量线膨胀性粒子的方式，在这些方式中，也优选包覆工序及固化工序中的双面粘合片10的厚度增加率满足上述的范围。

上述包覆工序中对热固性树脂组合物进行加热的温度的具体例子根据使用的密封材料40的种类、膨胀性粒子的种类等而不同，例如为30～180℃，优选为50～170℃，更优选为70～150℃。另外，加热时间例如为5秒钟～60分钟，优选为10秒钟～45分钟，更优选为15秒钟～30分钟。

在上述固化工序中，使密封材料40固化的温度的具体例子根据使用的密封材料40的种类、膨胀性粒子的种类等而不同，例如为80～240℃，优选为90～200℃，更优选为100～170℃。另外，加热时间例如为10～180分钟，优选为20～150分钟，更优选为30～120分钟。

在本实施方式中，优选使用片状的密封材料(以下，也称为“片状密封材料”)实施包覆工序及固化工序。

在使用片状密封材料的方法中，通过放置片状密封材料使其包覆半导体芯片cp及其周边部30，从而利用密封材料40包覆半导体芯片cp及其周边部30。此时，优选通过真空层压法等一边适当减压，一边进行加热及压粘，以便不在半导体芯片cp彼此的间隙产生未填充密封材料40的部分。减压、加热及压粘条件的优选方式如上所述。然后，对层压后的密封材料40进行加热，使其固化。固化温度的优选方式如上所述。

片状密封材料可以是被聚对苯二甲酸乙二醇酯等树脂片支撑的层叠片。该情况下，可以在以片状密封材料包覆半导体芯片cp及其周边部30的方式放置了层叠片之后，从密封材料上剥离树脂片。

通过工序(3)，可以得到将各自间隔给定距离的多个半导体芯片cp埋入固化密封材料41的固化密封体50。

(工序(4))

图2(e)示出了对工序(4)进行说明的剖面图，在所述工序(4)中，使膨胀性粒子膨胀，从固化密封体50剥离双面粘合片10。

具体而言，通过根据其种类利用热、能量线等使膨胀性粒子发生膨胀，在第1粘合剂层121的粘合表面121a形成凹凸，由此，使粘合表面121a与固化密封体50的粘合力降低，剥离双面粘合片10。

此时，根据本实施方式的制造方法，由于在第2粘合剂层122的粘合表面122a粘贴有硬质支撑体20，因此可以抑制在第2粘合剂层122的粘合表面122a侧形成凹凸，由此，能够有效地在第1粘合剂层121的粘合表面121a侧形成凹凸，获得优异的剥离性。

作为使膨胀性粒子发生膨胀的方法，可以根据膨胀性粒子的种类而适当选择。

在膨胀性粒子为热膨胀性粒子的情况下，可以加热至膨胀起始温度(t)以上的温度。这里，作为“膨胀起始温度(t)以上的温度”，优选为“膨胀起始温度(t)+10℃”以上且“膨胀起始温度(t)+60℃”以下，更优选为“膨胀起始温度(t)+15℃”以上且“膨胀起始温度(t)+40℃”以下。具体而言，可以根据该热膨胀性粒子的种类例如加热至120～250℃的范围而使其膨胀。

在使膨胀性粒子发生了膨胀之后，从固化密封体50剥离双面粘合片10。由于本实施方式的双面粘合片10具有优异的剥离性，因此，可以以小于现有的临时固定用片的外力进行剥离。剥离的方法没有特别限定，可以举出例如，使用溶胶剂从固化密封体50剥离双面粘合片10的方法。

本实施方式的制造方法可以在工序(4)中从固化密封体50剥离双面粘合片10之前或剥离之后根据需要包括进行磨削的工序，以减薄固化密封体50的厚度。

(工序(5))

本实施方式的制造方法优选包含工序(5)，在所述工序(5)中，在剥离了双面粘合片10后的固化密封体50上形成再布线层。

图3(a)示出的是对剥离双面粘合片10后的固化密封体50的剖面图。

本工序中，在电路面w1上及相当于半导体芯片cp的区域以外的固化密封体50的面50a上形成再布线，所述再布线与露出的多个半导体芯片cp的电路w2连接。

图3(b)示出的是对于在半导体芯片cp的电路面w1及固化密封体50的面50a形成第1绝缘层61的工序进行说明的剖面图。

在电路面w1及面50a上形成包含绝缘性树脂的第1绝缘层61，使半导体芯片cp的电路w2或电路w2的内部端子电极w3露出。作为绝缘性树脂，可以列举：聚酰亚胺树脂、聚苯并唑树脂、有机硅树脂等。内部端子电极w3的材质只要是导电性材料即可，没有限定，可以列举：金、银、铜、铝等金属、包含这些金属的合金等。

图3(c)示出的是对于形成与固化密封体50中密封的半导体芯片cp电连接的再布线70的工序进行说明的剖面图。

在本实施方式中，在形成第1绝缘层61之后，形成再布线70。再布线70的材质只要是导电性材料即可，没有限定，可以列举：金、银、铜、铝等金属、包含这些金属的合金等。再布线70可以通过金属面腐蚀法、半添加法等公知的方法来形成。

图4(a)示出的是对于形成包覆再布线70的第2绝缘层62的工序进行说明的剖面图。

再布线70具有外部端子电极用的外部电极焊盘70a。在第2绝缘层62设置开口等使外部端子电极用的外部电极焊盘70a露出。在本实施方式中，外部电极焊盘70a露出至固化密封体50的半导体芯片cp的区域(与电路面w1对应的区域)内及区域外(与固化密封体50上的面50a对应的区域)。另外，再布线70以外部电极焊盘70a配置成阵列状的方式形成于固化密封体50的面50a。在本实施方式中，由于具有使外部电极焊盘70a露出至固化密封体50的半导体芯片cp的区域以外的结构，因此能够得到fowlp或foplp。

(与外部端子电极的连接工序)

图4(b)示出的是对于使外部端子电极80与外部电极焊盘70a连接的工序进行说明的剖面图。

将焊料球等外部端子电极80放置于从第2绝缘层62露出的外部电极焊盘70a，通过焊接等将外部端子电极80与外部电极焊盘70a进行电连接。焊料球的材质没有特别限定，可以举出含铅焊料、无铅焊料等。

(切割工序)

图4(c)示出的是对于使与外部端子电极80连接的固化密封体50单片化的工序进行说明的剖面图。

在本工序中，以半导体芯片cp单元对固化密封体50进行单片化。使固化密封体50单片化的方法没有特别限定，可以利用切片机(dicingsaw)等切断装置等来实施。

通过将固化密封体50单片化，可以制造半导体芯片cp单元的半导体装置100。如上所述，将外部端子电极80与扇出至半导体芯片cp的区域以外的外部电极焊盘70a连接而成的半导体装置100可以制造为fowlp、foplp等。

(安装工序)

在本实施方式中，优选还包括将单片化后的半导体装置100安装于印刷布线基板等的工序。

实施例

对于本发明，通过以下的实施例具体地进行说明，但本发明并不限定于以下的实施例。需要说明的是，以下的制造例及实施例中的物性值是通过以下的方法测得的值。

＜重均分子量(mw)＞

使用凝胶渗透色谱装置(东曹株式会社制造，制品名“hlc-8020”)在下述条件下进行测定，使用了换算为标准聚苯乙烯的测定值。

(测定条件)

·色谱柱：将“tskguardcolumnhxl-l”“tskgelg2500hxl”“tskgelg2000hxl”“tskgelg1000hxl”(均为东曹株式会社制造)依次连接而成的色谱柱

·柱温：40℃

·洗脱溶剂：四氢呋喃

·流速：1.0ml/分

＜各层的厚度的测定＞

使用teclock公司制造的恒压测厚仪(型号：“pg-02j”，按照标准：jisk6783、z1702、z1709)进行了测定。

＜热膨胀性粒子的平均粒径(d50)、90％粒径(d90)＞

使用激光衍射式粒度分布测定装置(例如，malvern公司制造，制品名“mastersizer3000”)测定了23℃下膨胀前的热膨胀性粒子的粒子分布。

然后，将相当于从粒子分布中粒径小者起计算的累积体积频率为50％及90％的粒径分别作为“热膨胀性粒子的平均粒径(d50)”及“热膨胀性粒子的90％粒径(d90)”。

＜膨胀性基材的储能模量e’＞

在测定对象为非粘合性的膨胀性基材的情况下，将该膨胀性基材制成纵5mm×横30mm×厚度200μm的大小，将去除了剥离材料的基材作为试验样品。

使用动态粘弹性测定装置(tainstruments公司制造，制品名“dmaq800”)在试验起始温度0℃、试验结束温度300℃、升温速度3℃/分、振动频率1hz、振幅20μm的条件下，测定了给定温度下该试验样品的储能模量e’。

＜粘合剂层的剪切模量g’、膨胀性粘合剂层的储能模量e’＞

在测定对象为具有粘合性的膨胀性粘合剂层及粘合剂层的情况下，将该膨胀性粘合剂层及粘合剂层制成直径8mm×厚度3mm，将去除了剥离材料的粘合剂层作为试验样品。

使用粘弹性测定装置(antonpaar公司制造，装置名“mcr300”)在试验起始温度0℃、试验结束温度300℃、升温速度3℃/分、振动频率1hz的条件下，通过扭转剪切法测定了给定温度下试验样品的剪切模量g’。

然后，基于测得的剪切模量g’的值，根据近似式“e’＝3g’”计算出储能模量e’的值。

＜探针粘性值＞

将作为测定对象的膨胀性基材或膨胀性粘合剂层裁切成边长10mm的正方形，然后在23℃、50％rh(相对湿度)的环境下静置24小时，去除了轻剥离膜后作为试验样品。

在23℃、50％rh(相对湿度)的环境下使用粘性试验仪(日本特殊测器株式会社制造，制品名“nts-4800”)，按照jisz0237:1991测定了去除轻剥离膜而露出的上述试验样品表面的探针粘性值。

具体而言，在1秒钟、接触负荷0.98n/cm²的条件下使直径5mm的不锈钢制探针接触试验样品的表面后，测定了以10mm/秒的速度使该探针离开试验样品的表面所需要的力。然后，将该测得的值作为该试验样品的探针粘性值。

以下的制造例中使用的粘合性树脂、添加剂、热膨胀性粒子、以及剥离材料的详细情况如下所述。

＜粘合性树脂＞

·丙烯酸类共聚物(i)：包含重均分子量(mw)60万的丙烯酸类共聚物的溶液，所述丙烯酸类共聚物具有来源于由丙烯酸2-乙基己酯(2eha)/丙烯酸2-羟基乙酯(hea)＝80.0/20.0(质量比)构成的原料单体的结构单元。稀释溶剂：乙酸乙酯，固体成分浓度：40质量％。

·丙烯酸类共聚物(ii)：包含重均分子量(mw)60万的丙烯酸类共聚物的溶液，所述丙烯酸类共聚物具有来源于由丙烯酸正丁酯(ba)/甲基丙烯酸甲酯(mma)/丙烯酸2-羟基乙酯(hea)/丙烯酸＝86.0/8.0/5.0/1.0(质量比)构成的原料单体的结构单元。稀释溶剂：乙酸乙酯，固体成分浓度：40质量％。

＜添加剂＞

·异氰酸酯交联剂(i)：东曹株式会社制造，制品名“coronatel”，固体成分浓度：75质量％。

·光聚合引发剂(i)：basf公司制造，制品名“irgacure184”，1-羟基环己基苯基酮。

＜热膨胀性粒子＞

·热膨胀性粒子(i)：kureha公司制造，制品名“s2640”，膨胀起始温度(t)＝208℃，平均粒径(d50)＝24μm，90％粒径(d90)＝49μm。

＜剥离材料＞

·重剥离膜：琳得科株式会社制造，制品名“sp-pet382150”，在聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)膜的一面设置有由有机硅类剥离剂形成的剥离剂层，厚度：38μm。

·轻剥离膜：琳得科株式会社制造，制品名“sp-pet381031”，在pet膜的一面设置有由有机硅类剥离剂形成的剥离剂层，厚度：38μm。

制造例1(第1粘合剂层(x-1)的形成)

在作为粘合性树脂的上述丙烯酸类共聚物(i)的固体成分100质量份中配合上述异氰酸酯类交联剂(i)5.0质量份(固体成分比)，用甲苯稀释，搅拌均匀，制备了固体成分浓度(有效成分浓度)25质量％的组合物(x-1)。

然后，将制备的组合物(x-1)涂布在上述重剥离膜的剥离剂层的表面上，形成涂膜，在100℃下将该涂膜干燥60秒钟，形成了厚度10μm的第1粘合剂层(x-1)。

需要说明的是，第1粘合剂层(x-1)在23℃下的剪切模量g’(23)为2.5×10⁵pa。

制造例2(第2粘合剂层(x-2)的形成)

在作为粘合性树脂的上述丙烯酸类共聚物(ii)的固体成分100质量份中配合上述异氰酸酯类交联剂(i)0.8质量份(固体成分比)，用甲苯稀释，搅拌均匀，制备了固体成分浓度(有效成分浓度)25质量％的组合物(x-2)。

然后，将制备的组合物(x-2)涂布在上述轻剥离膜的剥离剂层的表面上，形成涂膜，在100℃下将该涂膜干燥60秒钟，形成了厚度10μm的第2粘合剂层(x-2)。

需要说明的是，第2粘合剂层(x-2)在23℃下的剪切模量g’(23)为9.0×10⁴pa。

制造例3(膨胀性基材(y-1)的形成)

(1)组合物(y-1)的制备

使酯型二醇与异佛尔酮二异氰酸酯(ipdi)反应得到的末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物与丙烯酸2-羟基乙酯反应，得到了重均分子量(mw)5000的2官能的丙烯酸氨基甲酸酯类低聚物。

然后，在上述合成的丙烯酸氨基甲酸酯类低聚物40质量％(固体成分比)中配合作为能量线聚合性单体的丙烯酸异冰片酯(ibxa)40质量％(固体成分比)及丙烯酸苯基羟丙酯(hppa)20质量％(固体成分比)，相对于丙烯酸氨基甲酸酯类低聚物及能量线聚合性单体的总量100质量份，进一步配合作为光聚合引发剂的1-羟基环己基苯基酮(basf公司制造，制品名“irgacure184”)2.0质量份(固体成分比)、以及作为添加剂的酞菁类颜料0.2质量份(固体成分比)，制备了能量线固化性组合物。

然后，将上述热膨胀性粒子(i)配合于该能量线固化性组合物，制备了不含有溶剂的无溶剂型组合物(y-1)。

需要说明的是，相对于组合物(y-1)的总量(100质量％)，热膨胀性粒子(i)的含量为20质量％。

(2)膨胀性基材(y-1)的形成

将制备的组合物(y-1)涂布在上述轻剥离膜的剥离剂层的表面上，形成了涂膜。

然后，使用紫外线照射装置(eyegraphics公司制造，制品名“ecs-401gx”)及高压水银灯(eyegraphics公司制造，制品名“h04-l41”)在照度160mw/cm²、光量500mj/cm²的条件下照射紫外线，使该涂膜固化，形成了厚度50μm的膨胀性基材(y-1)。需要说明的是，紫外线照射时的上述照度及光量是使用照度/光量计(eit公司制造，制品名“uvpowerpuckii”)测得的值。

制造例4(膨胀性基材(y-2)的形成)

(1)氨基甲酸酯预聚物的合成

在氮气氛围下的反应容器内，相对于重均分子量(mw)1,000的碳酸酯型二醇100质量份(固体成分比)配合异佛尔酮二异氰酸酯(ipdi)，使得碳酸酯型二醇的羟基与异佛尔酮二异氰酸酯的异氰酸酯基的当量比为1/1，进一步加入甲苯160质量份，在氮气氛围下一边搅拌，一边在80℃下反应6小时以上，直至异氰酸酯基浓度达到理论量。

接着，添加将甲基丙烯酸2-羟基乙酯(2-hema)1.44质量份(固体成分比)在甲苯30质量份中稀释而成的溶液，进一步在80℃下反应6小时以上，直至两末端的异氰酸酯基消失，得到了重均分子量(mw)2.9万的氨基甲酸酯预聚物。

(2)丙烯酸氨基甲酸酯类树脂的合成

在氮气氛围下的反应容器内加入上述(1)得到的氨基甲酸酯预聚物100质量份(固体成分比)、甲基丙烯酸甲酯(mma)117质量份(固体成分比)、甲基丙烯酸2-羟基乙酯(2-hema)5.1质量份(固体成分比)、1-硫代甘油1.1质量份(固体成分比)、以及甲苯50质量份，一边进行搅拌，一边升温至105℃。

然后，进一步在保持105℃的状态下花费4小时将用甲苯210质量份稀释自由基引发剂(japanfinechem公司制造、制品名“abn-e”)2.2质量份(固体成分比)而成的溶液滴加至反应容器内。

滴加结束后，在105℃下反应6小时，得到了重均分子量(mw)10.5万的丙烯酸氨基甲酸酯类树脂的溶液。

(3)膨胀性基材(y-2)的形成

相对于上述(2)中得到的丙烯酸氨基甲酸酯类树脂的溶液的固体成分100质量份，配合上述异氰酸酯类交联剂(i)6.3质量份(固体成分比)、作为催化剂的双(2-乙基己酸)二辛基锡1.4质量份(固体成分比)、以及上述热膨胀性粒子(i)，用甲苯稀释，搅拌均匀，制备了固体成分浓度(有效成分浓度)30质量％的组合物(y-2)。

需要说明的是，相对于得到的组合物(y-2)中的有效成分的总量(100质量％)，热膨胀性粒子(i)的含量为20质量％。

然后，将制备的组合物(y-2)涂布在上述轻剥离膜的剥离剂层的表面上，形成涂膜，在100℃下将该涂膜干燥120秒钟，形成了厚度50μm的膨胀性基材(y-2)。

制造例5(膨胀性粘合剂层(y-3)的形成)

在作为粘合性树脂的上述丙烯酸类共聚物(ii)的固体成分100质量份中配合上述异氰酸酯类交联剂(i)6.3质量份(固体成分比)及上述热膨胀性粒子(i)，用甲苯稀释，搅拌均匀，制备了固体成分浓度(有效成分浓度)30质量％的组合物(y-3)。

需要说明的是，相对于得到的组合物(y-3)中的有效成分的总量(100质量％)，热膨胀性粒子(i)的含量为20质量％。

然后，将制备的组合物(y-3)涂布在上述轻剥离膜的剥离剂层的表面上，形成涂膜，在100℃下将该涂膜干燥120秒钟，形成了厚度50μm的膨胀性粘合剂层(y-3)。

对于制造例3～4中形成的膨胀性基材(y-1)～(y-2)及制造例5中形成的膨胀性粘合剂层(y-3)，基于上述的方法，分别测定了23℃、100℃及208℃下的储能模量e’及探针粘性值，其中208℃是使用的热膨胀性粒子的膨胀起始温度。将这些结果示于表1。

[表1]

实施例1

将制造例1中形成的第1粘合剂层(x-1)与制造例3中形成的膨胀性基材(y-1)的表面彼此贴合，除去膨胀性基材(y-1)侧的轻剥离膜，在露出的膨胀性基材(y-1)的表面上贴合制造例2中形成的第2粘合剂层(x-2)。

由此，制作了依次层叠有轻剥离膜/第2粘合剂层(x-2)/膨胀性基材(y-1)/第1粘合剂层(x-1)/重剥离膜的粘合片(1)。

实施例2

将膨胀性基材(y-1)制作了依次层叠有制造例4中形成的膨胀性基材(y-2)，除此以外，与实施例1同样地制作了依次层叠有轻剥离膜/第2粘合剂层(x-2)/膨胀性基材(y-2)/第1粘合剂层(x-1)/重剥离膜的粘合片(2)。

比较例1

将制造例2中形成的第2粘合剂层(x-2)与制造例5中形成的膨胀性粘合剂层(y-3)的表面彼此贴合。然后，除去膨胀性粘合剂层(y-3)侧的轻剥离膜，在露出的膨胀性粘合剂层(y-3)的表面上贴合制造例1中形成的第1粘合剂层(x-1)。

由此，制作了依次层叠有轻剥离膜/第2粘合剂层(x-2)/膨胀性粘合剂层(y-3)/第1粘合剂层(x-1)/重剥离膜的粘合片(3)。

比较例2

将制造例2中形成的第2粘合剂层(x-2)与制造例5中形成的膨胀性粘合剂层(y-3)的表面彼此贴合，制作了依次层叠有轻剥离膜/第2粘合剂层(x-2)/膨胀性粘合剂层(y-3)/轻剥离膜的粘合片(4)。

另外，对于制造的粘合片(1)～(4)，进行了以下的测定。将这些结果示于表2。

＜密封工序时的半导体芯片的位置偏移评价＞

将制作的粘合片(1)～(3)所具有的第2粘合剂层(x-2)侧的轻剥离膜除去，在露出的第2粘合剂层(x-2)的粘合表面粘贴作为硬质支撑体的sus板(厚度1mm、尺寸：200mmφ)。

然后，将粘合片(1)～(3)的重剥离膜除去，在露出的第1粘合剂层(x-1)的粘合表面上隔开必须的间隔放置9个半导体芯片(芯片尺寸6.4mm×6.4mm、芯片厚度200μm(#2000))，使得该粘合表面与半导体芯片的电路面相接。另外，将粘合片(4)的膨胀性粘合剂层(y-3)侧的轻剥离膜除去，在露出的膨胀性粘合剂层(y-3)的粘合表面上与粘合片(1)～(3)的情况同样地放置半导体芯片。

然后，将密封用树脂膜(密封材料)层叠在粘合表面及半导体芯片上，使用真空加热加压层压机(rohmandhaas公司制造的“7024hp5”)用密封材料包覆第1粘合剂层(x-1)的粘合表面及半导体芯片，并且使密封材料固化，制作了固化密封体。需要说明的是，密封条件如下所述。

·预热温度：工作台及膜片均为100℃

·真空抽吸：60秒钟

·动态压制模式：30秒钟

·静态压制模式：10秒钟

·密封温度：180℃(比热膨胀性粒子的膨胀起始温度208℃低的温度)

·密封时间：60分钟

在密封后，在热膨胀性粒子的膨胀起始温度(208℃)以上的240℃下将粘合片(1)～(4)加热3分钟，从粘合片(1)～(4)分离该固化密封体，通过肉眼及显微镜对分离后的固化密封体的表面(再布线层形成面)的半导体芯片进行观察，确认半导体芯片有无位置偏移，按照以下的基准进行了评价。

·a：未确认到比密封前发生了25μm以上位置偏移的半导体芯片。

·f：确认到比密封前发生了25μm以上位置偏移的半导体芯片。

＜密封工序后的半导体芯片侧的表面的平坦性的评价＞

使用粘合片(1)～(4)，按照与上述的“密封工序时的半导体芯片的位置偏移评价”相同的步骤制作固化密封体，从粘合片分离。

使用接触式表面粗糙度测量仪(mitutoyo公司制造的“sv3000”)测定制作的固化密封体的各半导体芯片侧的表面(再布线层形成面)，按照以下的基准评价了高低差。

·a：未确认到产生了2μm以上高低差的部位。

·f：确认到产生了2μm以上高低差的部位。

＜加热前后的粘合片的粘合力的测定＞

将制作的粘合片(1)～(3)所具有的第2粘合剂层(x-2)侧的轻剥离膜除去，在露出的第2粘合剂层(x-2)的粘合表面上层叠厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)膜(东洋纺株式会社制造、制品名“cosmoshinea4100”)，制成带有基材的粘合片。

然后，将粘合片(1)～(3)的重剥离膜也除去，将露出的第1粘合剂层(x-1)的粘合表面粘贴于作为被粘附物的不锈钢板(sus304360号抛光)，在23℃、50％rh(相对湿度)的环境下静置了24小时，作为试验样品。另外，将粘合片(4)的膨胀性粘合剂层(y-3)侧的轻剥离膜除去，对于露出的膨胀性粘合剂层(y-3)的粘合表面，按照与粘合片(1)～(3)相同的步骤准备了试验样品。

然后，使用上述的试验样品，在23℃、50％rh(相对湿度)的环境下，基于jisz0237:2000通过180°剥离法以拉伸速度300mm/分测定了23℃下的粘合力。

另外，在加热板上将上述试验样品以热膨胀性粒子的膨胀起始温度(208℃)以上的240℃加热3分钟，在标准环境(23℃、50％rh(相对湿度))中静置了60分钟，然后，基于jisz0237:2000通过180°剥离法以拉伸速度300mm/分测定了膨胀起始温度以上的加热后的粘合力。

需要说明的是，在无法粘贴于被粘附物不锈钢板的程度而难以测定粘合力的情况下，评价为“无法测定”，将其粘合力作为0(n/25mm)。

由表2可知，根据使用了实施例1及2的粘合片(1)及(2)的制造方法，在密封工序时的加热中，抑制半导体芯片沉入的效果好，因此，未观察到半导体芯片的位置偏移，而且密封工序后的半导体芯片侧的表面(再布线层形成面)也是平坦的。

另外，粘合片(1)及(2)尽管在加热前具有良好的粘合力，但在膨胀起始温度以上的加热后粘合力降低到了无法测定的程度，因此，结果是证实了在剥离时能够以微小的力容易地进行剥离。

另一方面，比较例1的粘合片(3)及比较例2的粘合片(4)不具有膨胀性基材，而具有膨胀性粘合剂层，因此，在密封工序时的加热中，发生了半导体芯片的沉入，观察到半导体芯片的位置偏移，而且在密封工序后的半导体芯片侧的表面(再布线层形成面)观察到高低差。因此可以认为，其不适于例如在制造fowlp及foplp时的密封工序中使用。