1.一种垂直腔面发射激光器装置(100)，
垂直腔面发射激光器装置(100)包括第一电接触体(105)、基体(110)、第二电接触体(135)和光学谐振器，
光学谐振器布置在基体(110)的第一侧上，
光学谐振器包括第一反射结构、第二反射结构、有源层(120)和引导结构(132)，第一反射结构包括第一分布式布拉格反射器(115)，第二反射结构包括第二分布式布拉格反射器(130)，有源层(120)布置在第一反射结构与第二反射结构之间，
其中，引导结构(132)被布置为能够将有源层(120)内的强度分布的第一相对强度最大值限定在光学谐振器的第一横向位置处，从而提供第一发光区域(124)，
其中，引导结构(132)被布置为能够将有源层(120)内的强度分布的至少一个第二相对强度最大值限定在光学谐振器的第二横向位置处，从而提供第二发光区域(124)，
其中，引导结构(132)还被布置为能够在垂直腔面发射激光器装置(100)的操作期间减小所述强度分布在至少两个发光区域(124)之间的强度，
其中，引导结构(132)被布置在第一分布式布拉格反射器(115)或第二分布式布拉格反射器(130)的层堆叠内。
2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器装置(100)，其中，引导结构(132)在垂直腔面发射激光器装置(100)的垂直方向上布置在第一分布式布拉格反射器(115)或第二分布式布拉格反射器(130)的层堆叠内部。
3.根据权利要求1或2所述的垂直腔面发射激光器装置(100)，其中，引导结构(132)被布置为能够减小对第一相对强度最大值和第二相对强度最大值中的至少一个有贡献的至少一个光学模式在至少第一发光区域(124)或第二发光区域(124)之外的强度，使得发光区域(124)的横向延伸被束缚到光学谐振器的相应横向位置。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的垂直腔面发射激光器装置(100)，其中，引导结构(132)被布置为能够提供第一反射结构或第二反射结构的反射率的与有源层(120)平行的横向变化。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的垂直腔面发射激光器装置(100)，其中，引导结构(132)被布置在光学谐振器内并被光学谐振器完全包围。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的垂直腔面发射激光器装置(100)，其中，引导结构(132)包括第一分布式布拉格反射器(115)或第二分布式布拉格反射器(130)的至少一个层的厚度的变化。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的垂直腔面发射激光器装置(100)，其中，引导结构(132)包括第一电接触体(105)或第二电接触体(130)的反射率的横向变化。
8.根据前述权利要求中的任一项所述的垂直腔面发射激光器装置(100)，其中，引导结构(132)包括在第一分布式布拉格反射器(115)或第二分布式布拉格反射器(130)的至少一个层内的氧化区域，其中，氧化区域被布置为能够减小发光区域(124)之间的强度。
9.根据前述权利要求中的任一项所述的垂直腔面发射激光器装置(100)，其中，光学谐振器包括分布式异质结双极型光电晶体管(125)，分布式异质结双极型光电晶体管(125)包括集电极层(125a)、光敏层(125c)、基极层(125e)和发射极层(125f)，其中，分布式异质结双极型光电晶体管(125)被布置为使得有源层(120)与分布式异质结双极型光电晶体管(125)之间存在光耦合，以用于借助于分布式异质结双极型光电晶体管(125)提供有源载流子限制；特别地，其中，引导结构(132)布置在能够在垂直腔面发射激光器装置(100)的操作期间借助于第一电接触体(105)和第二电接触体(135)提供的电流流动外部。
10.根据前述权利要求中的任一项所述的垂直腔面发射激光器装置(100)，其中，引导结构(132)被布置为能够横跨光学谐振器的横向剖面提供具有有效光学长度的区域，所述具有有效光学长度的区域使得能够通过具有不同有效光学长度的区域而中断谐振激光器操作，从而抑制激光操作。
11.根据前述权利要求中的任一项所述的垂直腔面发射激光器装置(100)，其中，引导结构(132)被布置为在发光区域(124)处提供局部电流限制。
12.根据前述权利要求中的任一项所述的垂直腔面发射激光器装置(100)，其中，光学谐振器包括横跨基体(110)延伸的光学腔，其中，引导结构(132)包括基体(110)的与基体(110)的第一侧相对的第二侧的横向结构。
13.一种光学传感器(300)，所述光学传感器(300)包括根据前述权利要求中的任一项所述的垂直腔面发射激光器装置(100)。
一种移动通信装置(380)，所述移动通信装置(380)包括至少一个根据权利要求13所述的光学传感器(300)。
14.一种制造垂直腔面发射激光器的方法，所述方法包括以下步骤：
设置第一电接触体(105)，
设置基体(110)，
设置第一分布式布拉格反射器(115)，
设置有源层(120)，
设置第二分布式布拉格反射器(130)，
设置第二电接触体(135)，
设置引导结构(132)，引导结构(132)被布置为能够将有源层(120)内的强度分布的第一相对强度最大值限定在光学谐振器的第一横向位置处，从而提供第一发光区域(124)，其中，引导结构(132)被布置为能够将有源层(120)内的强度分布的至少一个第二相对强度最大值限定在光学谐振器的第二横向位置处，从而提供第二发光区域(124)，其中，引导结构(132)还被布置为能够在垂直腔面发射激光器装置(100)的操作期间减小所述强度分布在至少两个发光区域(124)之间的强度，其中，引导结构(132)被布置在第一分布式布拉格反射器(115)或第二分布式布拉格反射器(130)的层堆叠内。