1.一种接合结构体，是在半导体元件与基板之间存在的接合结构体，其中，所述接合结构体包含：sn相、含有1质量％以上且不到7质量％的p的cu合金粒子、和ag粒子，
所述cu合金粒子用cu6sn5被覆层被覆，所述ag粒子用ag3sn被覆层被覆，
所述cu合金粒子与所述ag粒子经由cu10sn3相至少部分地结合，
相对于所述接合结构体，所述cu合金粒子和所述ag粒子的添加量的合计为25质量％以上且不到65质量％，
所述ag粒子的添加量相对于所述cu合金粒子的添加量的质量比为0.2以上且不到1.2。
2.根据权利要求1所述的接合结构体，其中，cu-p化合物粒子在所述接合结构体内点状分布。
3.一种半导体装置，其中，半导体元件与基板经由根据权利要求1或2所述的接合结构体而接合。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，在所述半导体元件与所述接合结构体之间，从所述半导体元件侧依次形成有ag层和ag3sn界面层，在所述基板与所述接合结构体之间，从所述基板侧依次形成有cu层和cu6sn5界面层。
5.一种半导体装置的制造方法，其具有：
调制糊剂的工序，其将sn粒子、含有1质量％以上且不到7质量％的p的cu合金粒子、ag粒子和溶剂混合以调制糊剂，其中，相对于所述sn粒子、所述cu合金粒子和所述ag粒子的合计量，使所述cu合金粒子和所述ag粒子的合计量为25质量％以上且不到65质量％，并且使所述ag粒子相对于所述cu合金粒子的质量比为0.2以上且不到1.2；
将所述糊剂涂布在基板上的工序；
在所述糊剂上载置半导体元件的工序；
加热到120℃以上且200℃以下的温度以使所述糊剂中的溶剂挥发的工序；和
加热到340℃以上且不到450℃的温度以使所述半导体元件与所述基板接合的工序。