1.一种半导体图案的形成方法，包含：
提供目标层以及位于该目标层上的第一材料层；
在该第一材料层上形成第一图案；
进行第一自对准图案转移步骤，在该第一图案的周围定义多个第一侧壁图案，并且将该第一侧壁图案转移至该第一材料层中，以在该第一材料层中形成多个第一凹槽；
形成第二材料层于该第一材料层上；
在该第二材料层上形成第二图案；
进行第二自对准图案转移步骤，在该第二图案的周围定义多个第二侧壁图案，并且将该第二侧壁图案转移至该第二材料层中，以在该第二材料层中形成多个第二凹槽；以及
进行蚀刻步骤，将该第一凹槽与该第二凹槽的重叠部分的图案转移至该目标层中，其中从一上视图来看，该目标层包含有多个第三图案以及多个第四图案，其中各该第四图案的面积大于各该第三图案的面积。
2.如权利要求1所述的形成方法，其中各该第三图案呈阵列排列。
3.如权利要求2所述的形成方法，其中各该第四图案排列成框形，围绕以阵列排列的该些第三图案。
4.如权利要求1所述的形成方法，其中从该上视图来看，各该第三图案包含圆形孔洞，而各该第四图案包含有椭圆形孔洞。
5.如权利要求1所述的形成方法，其中该第一图案由多个第一子图案a、多个第二子图案b以及多个第三子图案c组合成，各该第一子图案a、各该第二子图案b以及各该第三子图案c都分别包含有长条形图案，沿着第一方向排列。
6.如权利要求5所述的形成方法，其中各该第一子图案a还包含有水平部件以及垂直部件，分别位于该长条形图案的两侧，其中该水平部件沿着水平方向排列，该垂直部件沿着垂直方向排列。
7.如权利要求6所述的形成方法，其中各该第二子图案b还包含有两水平部件，沿着该水平方向排列，分别位于该长条形图案的两侧。
8.如权利要求7所述的形成方法，其中该第二图案由多个第一子图案d、多个第二子图案e以及多个第三子图案f组合成，各该第一子图案d、各该第二子图案e以及各该第三子图案f都分别包含有长条形图案，沿着第二方向排列。
9.如权利要求8所述的形成方法，其中各该第一子图案d还包含有水平部件以及垂直部件，分别位于该长条形图案的两侧，其中该水平部件沿着该水平方向排列，该垂直部件沿着该垂直方向排列。
10.如权利要求9所述的形成方法，其中各该第二子图案e还包含有两水平部件，沿着该水平方向排列，分别位于该长条形图案的两侧。
11.如权利要求10所述的形成方法，其中该第一方向与该第二方向不互相平行，且该第一方向也不平行于该水平方向或该垂直方向。
12.如权利要求5所述的形成方法，其中该第一侧壁图案围绕各该第一子图案a、各该第二子图案b以及各该第三子图案c。
13.如权利要求1所述的形成方法，其中该第一自对准图案转移步骤包含：
该第一图案包含有多个凹槽；
形成氧化层，覆盖各该第一图案并填入各该凹槽；
形成材料层，覆盖该氧化层并且填入各该凹槽；以及
进行蚀刻步骤，以该第一图案以及该材料层为一掩模，移除部分该氧化层。
14.如权利要求13所述的形成方法，其中还包含有第二氧化层，位于该第一材料层与该第一图案之间，其中该第一自对准图案转移步骤进行过程中，该氧化层填入该凹槽并位于该第二氧化层上。
15.如权利要求14所述的形成方法，其中该蚀刻步骤进行后，剩余的该氧化层位于该第二氧化层上，共同定义为氧化掩模，且该氧化掩模包含有至少两种不同厚度。
16.如权利要求1所述的形成方法，其中该目标层上定义有元件区以及周边区，且各该第四图案相邻该周边区。