粘晶胶纸随晶粒分离的方法与流程

本发明涉及胶纸处理方法，更具体地说是指粘晶胶纸随晶粒分离的方法。

背景技术：

记忆体市场的竞争主要看产品的容量和尺寸大小，大的存储容量和小尺寸备受欢迎。目前16g容量已经大众化，64g和128g的产品才更有未来。因此更薄及容量更高的晶圆需求和工艺的研发就变得十分的关键。

隐形切割工艺由于应用了激光能量来切割产品可以避免传统刀片切割存在的崩边，裂片的问题，但是在现有隐形切割工艺中也存在一定问题，比如最后的冷扩工序，该冷扩工序首先将研磨到目标厚度且贴有粘晶胶纸的整片晶圆放置于零下的环境中使粘晶胶纸脆化后，再对整片晶圆施加扩张力，从而使粘晶胶纸随晶粒分离，但是该种方法对粘晶胶纸材料的性能要求比较高，没有达到理想的性能要求时会发生粘晶胶纸分离不完全晶粒相连的问题，且由于上顶时对晶圆会施加一定的力，这很容易造成晶粒翘曲及裂片等问题，如图1至图3所示，尤其是当晶粒电路层越来越厚容量越来越大时，影响产品的良率，影响后续工序的加工。

因此，有必要设计一种新的方法，实现粘晶胶纸随晶粒分离，晶粒不翘曲和不裂片，提高产品良率。

技术实现要素：

本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供粘晶胶纸随晶粒分离的方法。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：粘晶胶纸随晶粒分离的方法，包括：

对晶圆进行研磨处理，以得到满足厚度要求的晶圆；

在满足厚度要求的晶圆的背面粘贴粘晶胶纸；

利用镭射对粘晶胶纸切割。

其进一步技术方案为：所述利用镭射对粘晶胶纸切割中，所述镭射的切割能量范围为0.5w至1.5w。

其进一步技术方案为：所述利用镭射对粘晶胶纸切割中，所述镭射的频率为50hz至150hz。

其进一步技术方案为：所述利用镭射对粘晶胶纸切割中，所述镭射的速度为50mm/s至100mm/s。

其进一步技术方案为：所述利用镭射对粘晶胶纸切割，包括：

利用镭射激光沿切割道的方向扫描粘晶胶纸。

其进一步技术方案为：所述对晶圆进行研磨处理，以得到满足厚度要求的晶圆，包括：

在晶圆表面贴研磨胶纸；

对晶圆进行背部研磨和切割，以得到满足厚度要求的晶圆。

其进一步技术方案为：所述对晶圆进行背部研磨和切割，以得到满足厚度要求的晶圆，包括：

对晶圆进行背部预研磨；

对晶圆沿其切割道方向进行镭射切割，以得到隐形切割的晶圆；

对隐形切割的晶圆进行背部研磨，以得到满足厚度要求的晶圆。

其进一步技术方案为：所述对晶圆进行背部研磨和切割，包括：

对晶圆沿其切割道方向进行刀片切割，以得到切割后的晶圆；

对切割后的晶圆进行背部研磨，以得到满足厚度要求的晶圆。

其进一步技术方案为：所述在满足厚度要求的晶圆的背面粘贴粘晶胶纸之后，还包括：

剥离晶圆的正面所粘贴的研磨胶纸。

其进一步技术方案为：所述对晶圆进行背部预研磨，具体是对晶圆进行背部的氧化层研磨。

本发明与现有技术相比的有益效果是：本发明通过将隐形切割工艺的冷扩步骤替换为镭射切割工序，使镭射激光沿切割道的方向扫描粘晶胶纸，能够更好的分割粘晶胶纸和晶粒，能够改善晶粒翘曲和裂片的问题，能够提高产品良率。

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步描述。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术提供的粘晶胶纸未随晶粒分离的示意图；

图2为现有技术提供的晶粒翘曲的示意图；

图3为现有技术提供的裂片的示意图；

图4为本发明实施例提供的粘晶胶纸随晶粒分离的方法的流程示意图；

图5为本发明实施例提供的粘晶胶纸随晶粒分离的方法的子流程示意图；

图6为本发明实施例提供的粘晶胶纸随晶粒分离的方法的子流程示意图；

图7为本发明实施例提供的粘晶胶纸的示意图；

图8为本发明实施例提供的晶粒翘曲情况的示意图；

图9为本发明实施例提供的裂片情况的示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。

还应当理解，在此本发明说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本发明。如在本发明说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。

还应当进一步理解，在本发明说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。

如图4～9所示的具体实施例，本实施例提供的粘晶胶纸随晶粒分离的方法可以运用在制作记忆体的过程中，实现粘晶胶纸随晶粒分离的问题，晶粒不翘曲和不裂片，提高产品良率。

图4是本发明实施例提供的粘晶胶纸随晶粒分离的方法的流程示意图。如图4所示，该方法包括以下步骤s110至s140。

s110、对晶圆进行研磨处理，以得到满足厚度要求的晶圆；

在本实施例中，由于制作的记忆体不同，因此需要不同厚度的晶圆。

在一实施例中，如图5所示，上述的步骤s110可包括步骤s111～s112。

s111、在晶圆表面贴研磨胶纸。

具体地，研磨胶纸可以对晶圆起到保护作用，且研磨过程中不会使得灰尘飞扬。

s112、对晶圆进行背部研磨和刀片切割，以得到满足厚度要求的晶圆。

在一实施例中，如图6所示，上述的步骤s112可包括步骤s1121～s1123。

s1121、对晶圆进行背部预研磨；

具体地，对晶圆进行背部的氧化层研磨，以磨去表面的氧化层等，便于对晶圆的后续处理，且提高产品的良率。

s1122、对晶圆沿其切割道方向进行镭射切割，以得到隐形切割的晶圆；

s1123、对隐形切割的晶圆进行背部研磨，以得到满足厚度要求的晶圆。

于其他实施例，上述的步骤s112可包括步骤s1121’～s1122’。

s1121’、对晶圆沿其切割道方向进行刀片切割，以得到切割后的晶圆；

s1122’、对切割后的晶圆进行背部研磨，以得到满足厚度要求的晶圆。

s120、在满足厚度要求的晶圆的背面粘贴粘晶胶纸；

s130、剥离晶圆的正面所粘贴的研磨胶纸；

s140、利用镭射对粘晶胶纸切割。

在本实施例中，利用镭射激光沿切割道的方向扫描粘晶胶纸，镭射的切割能量范围为0.5w至1.5w；镭射的频率为50hz至150hz；镭射的速度为50mm/s至100mm/s。

优选地，镭射的切割能量为1w，镭射的频率为100hz，镭射的速度为80mm/s.

镭射切割是使镭射激光沿切割道的方向扫描粘晶胶纸，利用激光的高容量使切割道上的粘晶胶纸升华或蒸发，进而实现粘晶胶纸随晶粒的分离，将传统隐形切割工艺的冷扩步骤替换为镭射切割工序的工艺应用在半导体封装过程的研磨切割工艺流程中，能够更好的分割粘晶胶纸和晶粒，能够改善晶粒翘曲和裂片的问题，能够提高产品良率，镭射切割后的粘晶胶纸的效果如图7至9所示。

上述的粘晶胶纸随晶粒分离的方法，通过将隐形切割工艺的冷扩步骤替换为镭射切割工序，使镭射激光沿切割道的方向扫描粘晶胶纸，能够更好的分割粘晶胶纸和晶粒，能够改善晶粒翘曲和裂片的问题，能够提高产品良率。

本发明实施例方法中的步骤可以根据实际需要进行顺序调整、合并和删减。本发明实施例装置中的单元可以根据实际需要进行合并、划分和删减。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。