1.一种存储器结构，其特征在于，包括：
第一晶体管与第二晶体管，设置于基底上；
隔离结构，设置于所述第一晶体管与所述第二晶体管之间的所述基底中；
导电层，设置于所述第一晶体管与所述第二晶体管上方，且包括线路部分与至少一虚设部分，其中所述线路部分电连接至所述第一晶体管与第二晶体管，且所述虚设部分位于所述隔离结构上方；以及
电容器，设置于所述第一晶体管与所述第二晶体管之间，且包括：
主体部分，设置于所述导电层的虚设部分上方；
第一延伸部分，自所述主体部分延伸至所述第一晶体管的源极/漏极区；以及
第二延伸部分，自所述主体部分延伸至所述第二晶体管的源极/漏极区，
其中所述第一延伸部分与所述第二延伸部分各自设置于所述线路部分与所述虚设部分之间。
2.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述第一晶体管为n型金属氧化物半导体晶体管与p型金属氧化物半导体晶体管中的一者，且所述第二晶体管为n型金属氧化物半导体晶体管与p型金属氧化物半导体晶体管中的另一者。
3.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述至少一虚设部分包括彼此间隔开的第一虚设部分与第二虚设部分。
4.如权利要求3所述的存储器结构，其中所述电容器还包括第三延伸部分，自所述主体部分延伸至所述隔离结构，且设置于所述第一虚设部分与所述第二虚设部分之间。
5.如权利要求1所述的存储器结构，还包括衬层，设置于所述导电层的侧壁上。
6.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述电容器由下电极、上电极以及位于所述下电极与所述上电极之间的绝缘层构成，且所述主体部分、所述第一延伸部分与所述第二延伸部分各自包括所述下电极、所述上电极以及所述绝缘层。
7.如权利要求6所述的存储器结构，其中所述第一延伸部分的所述下电极与所述第一晶体管的源极/漏极区连接。
8.如权利要求6所述的存储器结构，其中所述第二延伸部分的所述下电极与所述第二晶体管的源极/漏极区连接。
9.一种存储器结构的制造方法，包括：
在基底上形成第一晶体管与第二晶体管；
在所述第一晶体管与所述第二晶体管上方形成导电层，其中所述导电层包括线路部分与至少一虚设部分，所述线路部分电连接至所述第一晶体管与第二晶体管，且所述虚设部分位于所述隔离结构上方；以及
在所述第一晶体管与所述第二晶体管之间形成电容器，其中所述电容器包括：
主体部分，位于所述导电层的虚设部分上方；
第一延伸部分，自所述主体部分延伸至所述第一晶体管的源极/漏极区；以及
第二延伸部分，自所述主体部分延伸至所述第二晶体管的源极/漏极区，
其中所述第一延伸部分与所述第二延伸部分各自位于所述线路部分与所述虚设部分之间。
10.如权利要求9所述的存储器结构的制造方法，其中所述导电层的形成方法包括：
在所述基底上形成第一介电层，其中所述第一介电层覆盖所述第一晶体管与第二晶体管；
在所述第一介电层中形成第一接触窗与第二接触窗，其中所述第一接触窗与所述第一晶体管的源极/漏极区连接，且所述第二接触窗与所述第二晶体管的源极/漏极区连接；
在所述第一介电层上形成导电材料层；以及
将所述导电材料层图案化，以形成所述导电层，其中所述线路部分与所述第一接触窗以及所述第二接触窗连接。
11.如权利要求10所述的存储器结构的制造方法，其中所述电容器的形成方法包括：
在所述第一介电层上形成第二介电层，其中所述第二介电层覆盖所述导电层；
在所述第一介电层与所述第二介电层中形成沟槽，其中所述沟槽的第一部分暴露出所述第一晶体管的源极/漏极区，所述沟槽暴的第二部分露出所述第二晶体管的源极/漏极区，且所述沟槽的第三部分暴露出所述至少一虚设部分；
在所述沟槽的侧壁与底面上形成下电极；
在所述下电极上形成绝缘层；以及
在所述绝缘层上形成上电极。
12.如权利要求11所述的存储器结构的制造方法，其中所述至少一虚设部分包括彼此间隔开的第一虚设部分与第二虚设部分，且所述沟槽的第四部分位于所述第一虚设部分与所述第二虚设部分并暴露出所述隔离结构的一部分。
13.如权利要求9所述的存储器结构的制造方法，其中在形成所述导电层之后以及在形成所述电容器之前，还包括于所述导电层的侧壁上形成衬层。
14.一种存储器结构，其特征在于，包括：
第一晶体管与第二晶体管，设置于基底上；
隔离结构，设置于所述第一晶体管与所述第二晶体管之间的所述基底中；
导电层，设置于所述第一晶体管与所述第二晶体管上方，且包括线路部分、第一虚设部分与第二虚设部分，其中所述线路部分电连接至所述第一晶体管与第二晶体管，所述第一虚设部分位于所述第一晶体管上方，且所述第二虚设部分位于所述第二晶体管上方；以及
电容器，设置于所述基底上，且位于所述第一虚设部分与所述第二虚设部分之间。
15.如权利要求14所述的存储器结构，其中所述第一晶体管为n型金属氧化物半导体晶体管与p型金属氧化物半导体晶体管中的一者，且所述第二晶体管为n型金属氧化物半导体晶体管与p型金属氧化物半导体晶体管中的另一者。
16.如权利要求14所述的存储器结构，其中所述电容器覆盖所述第一虚设部分的顶面的至少一部分以及所述第二虚设部分的顶面的至少一部分。
17.如权利要求14所述的存储器结构，其中所述电容器不与所述第一晶体管的栅极以及第二晶体管的栅极接触。
18.如权利要求14所述的存储器结构，还包括衬层，设置于所述导电层的侧壁上。
19.如权利要求14所述的存储器结构，其中所述电容器由下电极、上电极以及位于所述下电极与所述上电极之间的绝缘层构成。
20.如权利要求19所述的存储器结构，其中所述电容器的所述下电极与所述第一晶体管的源极/漏极区、所述第二晶体管的源极/漏极区以及所述隔离结构连接。
21.一种存储器结构的制造方法，包括：
在基底上形成第一晶体管与第二晶体管；
在所述第一晶体管与所述第二晶体管上方形成导电层，其中所述导电层包括线路部分、第一虚设部分与第二虚设部分，所述线路部分电连接至所述第一晶体管与第二晶体管，所述第一虚设部分位于所述第一晶体管上方，且所述第二虚设部分位于所述第二晶体管上方；以及
在所述基底上形成电容器，其中所述电容器位于所述第一虚设部分与所述第二虚设部分之间。
22.如权利要求21所述的存储器结构的制造方法，其中所述导电层的形成方法包括：
在所述基底上形成第一介电层，其中所述第一介电层覆盖所述第一晶体管与第二晶体管；
在所述第一介电层中形成第一接触窗与第二接触窗，其中所述第一接触窗与所述第一晶体管的源极/漏极区连接，且所述第二接触窗与所述第二晶体管的源极/漏极区连接；
在所述第一介电层上形成导电材料层；以及
将所述导电材料层图案化，以形成所述导电层，其中所述线路部分与所述第一接触窗以及所述第二接触窗连接。
23.如权利要求22所述的存储器结构的制造方法，其中所述电容器的形成方法包括：
在所述第一介电层上形成第二介电层，其中所述第二介电层覆盖所述导电层；
在所述第一虚设部分与所述第二虚设部分之间的所述第一介电层与所述第二介电层中形成沟槽，其中所述沟槽暴露出所述第一晶体管的源极/漏极区、所述第二晶体管的源极/漏极区所述隔离结构；
在所述沟槽的侧壁与底面上形成下电极；
在所述下电极上形成绝缘层；以及
在所述绝缘层上形成上电极。
24.如权利要求23所述的存储器结构的制造方法，其中所述沟槽暴露所述第一虚设部分的顶面的至少一部分以及所述第二虚设部分的顶面的至少一部分。
25.如权利要求21所述的存储器结构的制造方法，其中在形成所述导电层之后以及在形成所述电容器之前，还包括于所述导电层的侧壁上形成衬层。