技术特征：
技术总结
一种3D NAND存储器的形成方法，包括：半导体衬底，半导体衬底上形成有包括若干交替层叠的牺牲层和隔离层的堆叠结构，堆叠结构中具有连通第一沟道孔和第二沟道孔，且第二沟道孔相对于第一沟道孔存在对准偏移，在第一沟道孔和第二沟道孔的交界处形成台阶，第一沟道孔中填充满牺牲材料层；在第二沟道孔的侧壁形成侧墙；去除部分所述牺牲材料层；刻蚀第一沟道孔使得第一沟道孔的宽度变宽，使得台阶的宽度变小；在第一沟道孔和第二沟道孔侧壁和底部上形成电荷存储层；在电荷存储层上形成沟道孔牺牲层；依次刻蚀第一沟道孔底部上的沟道孔牺牲层和电荷存储层，形成开口。本发明的方法防止台阶处的电荷存储层被刻断或损伤，从而防止存储器失效。
技术研发人员：霍宗亮;薛家倩
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2019.02.14
技术公布日：2019.06.14