阵列基板及其制备方法与流程

本发明的实施例涉及显示技术领域，特别地，涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术：

有机发光二极管(organiclightemittingdiode，oled)显示器相对于液晶显示器(liquidcrystaldisplay，lcd)具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点，因此，其被认为是下一代显示技术。

制备oled显示器的薄膜沉积方法主要包括真空蒸镀法和溶液制程。真空蒸镀适用于有机小分子。真空蒸镀法使得成膜均匀度好且技术相对成熟。然而，该真空蒸镀法具有设备投资大、材料利用率低、关于大尺寸产品的掩模对位精度低等缺点。另一方面，溶液制程可以包括旋涂、喷墨打印、喷嘴涂覆法等。该溶液制程适用于聚合物材料和可溶性小分子。另外，该溶液制程使得设备成本低且在大规模、大尺寸生产方面具有突出的优势。

技术实现要素：

本发明的实施例提供了一种阵列基板及其制备方法，能够避免光学散射对用于像素的开口的尺寸的影响，从而提高器件性能。

根据本发明的一方面，提供了一种阵列基板。所述阵列基板包括：基板，其具有用于形成像素的第一区域和位于所述第一区域之间的第二区域；位于所述基板上的所述第二区域的邻近所述第一区域的部分内的遮光部；以及位于所述第二区域内的像素限定部。至少所述遮光部的靠近所述第一区域的侧表面未被所述像素限定部覆盖。

在本发明的实施例中，所述像素限定部的材料包括负性光致抗蚀剂。所述遮光部能够吸收具有所述负性光致抗蚀剂的敏感波长的光。

根据本发明的实施例，所述像素限定部覆盖所述遮光部的顶表面的至少一部分和所述遮光部的远离所述第一区域的侧表面。

根据本发明的实施例，所述像素限定部的沿垂直于所述基板的方向上的尺寸与所述遮光部的沿垂直于所述基板方向上的尺寸的比率为5:1至15:1。

根据本发明的实施例，所述遮光部具有0.1-0.5um的沿垂直于所述基板的方向上的尺寸和2-10um的沿平行于所述基板的方向上的尺寸。

根据本发明的实施例，所述负性光致抗蚀剂为紫外光敏感的光致抗蚀剂。所述遮光部的材料包括吸收紫外光的材料。

根据本发明的实施例，所述吸收紫外光的材料包括金属氧化物和/或含碳材料。

根据本发明的实施例，所述金属氧化物包括二氧化钛或氧化铅。所述含碳材料包括碳黑或碳纳米管。

根据本发明的实施例，所述像素限定部的材料包括聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、氟化聚酰亚胺、氟化聚甲基丙烯酸甲酯。

根据本发明的实施例，所述阵列基板还包括位于所述基板上且位于所述像素限定部之间的导电层。

根据本发明的一方面，提供了一种制备阵列基板的方法。所述方法包括：提供基板，所述基板具有用于形成像素的第一区域和位于所述第一区域之间的第二区域；在所述基板上的所述第二区域的邻近所述第一区域的部分内形成遮光部；以及在所述第二区域内形成像素限定部。至少所述遮光部的靠近所述第一区域的侧表面未被所述像素限定部覆盖。

根据本发明的实施例，形成所述遮光部包括：在所述基板上形成遮光部材料层，所述遮光部材料层的材料包括吸收紫外光的材料；以及图案化所述遮光部材料层以在所述基板上的所述第二区域的邻近所述第一区域的部分内形成遮光部。

根据本发明的实施例，所述像素限定部的材料包括光致抗蚀剂。

根据本发明的实施例，形成所述像素限定部包括：在所述基板和所述遮光部上形成像素限定部材料层；以及曝光并显影所述像素限定部材料层以去除位于所述第一区域内的所述像素限定部材料层的部分以使所述遮光部的靠近所述第一区域的侧表面暴露。

根据本发明的实施例，所述光致抗蚀剂为紫外光敏感的光致抗蚀剂。

适应性的进一步的方面和范围从本文中提供的描述变得明显。应当理解，本申请的各个方面可以单独或者与一个或多个其他方面组合实施。还应当理解，本文中的描述和特定实施例旨在仅说明的目的并不旨在限制本申请的范围。

附图说明

本文中描述的附图用于仅对所选择的实施例的说明的目的，并不是所有可能的实施方式，并且不旨在限制本申请的范围，其中：

图1示出了光的散射的示意图。

图2示出了具有拖尾的像素限定部的横截面示意图。

图3示出了根据本发明的实施例的阵列基板的横截面示意图。

图4示出了根据本发明的实施例的制备阵列基板的方法的流程图。

图5至图12示出了根据本发明的实施例的制备阵列基板的方法横截面示意图。

贯穿这些附图的各个视图，相应的参考编号指示相应的部件或特征。

具体实施方式

首先，需要说明的是，除非上下文中另外明确地指出，否则在本文和所附权利要求中所使用的词语的单数形式包括复数，反之亦然。因而，当提及单数时，通常包括相应术语的复数。相似地，措辞“包含”和“包括”将解释为包含在内而不是独占性地。同样地，术语“包括”和“或”应当解释为包括在内的，除非本文中另有说明。在本文中使用术语“实例”之处，特别是当其位于一组术语之后时，所述“实例”仅仅是示例性的和阐述性的，且不应当被认为是独占性的或广泛性的。

另外，还需要说明的是，当介绍本申请的元素及其实施例时，冠词“一”、“一个”、“该”和“所述”旨在表示存在一个或者多个要素；除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上；用语“包含”、“包括”、“含有”和“具有”旨在包括性的并且表示可以存在除所列要素之外的另外的要素；术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性及形成顺序。

本发明中描绘的流程图仅仅是一个例子。在不脱离本发明精神的情况下，可以存在该流程图或其中描述的步骤的很多变型。例如，所述步骤可以以不同的顺序进行，或者可以添加、删除或者修改步骤。这些变型都被认为是所要求保护的方面的一部分。

此外，在附图中，为了清楚起见夸大了各层的厚度及区域。应当理解的是，当提到层、区域、或组件在别的部分“上”时，指其直接位于别的部分上，或者也可能有别的组件介于其间。相反，当某个组件被提到“直接”位于别的组件上时，指并无别的组件介于其间。

现将参照附图更全面地描述示例性的实施例。

在oled显示器中，像素限定部的作用是限定像素的尺寸。然而，在制备像素限定部的过程中，由于曝光工艺引入的光学散射作用，所制备出的像素限定部的边缘具有较长的拖尾，由此会影响用于像素的实际开口的尺寸，从而会影响oled显示器的性能。例如，如图1所示，当通过掩模的开口对光致抗蚀剂进行曝光时，来自光源的光会在介质层和光致抗蚀剂中发生散射，由此影响曝光效果，从而形成拖尾。

具体地，图2示出了具有拖尾的像素限定部的横截面示意图。在制备像素限定部的过程中，在像素限定部的材料包括负性光致抗蚀剂的情况下，当使用掩模对要形成像素限定部的负性光致抗蚀剂的部分进行曝光时，由于光学散射的作用，在抗蚀剂的底部处用于曝光的光线的部分被散射到用于形成像素开口的区域中的负性光致抗蚀剂，由此形成了拖尾。

本发明的实施例提供了一种阵列基板及其制备方法，能够避免光学散射对用于像素的开口的尺寸的影响，从而提高器件性能。

图3示出了根据本发明的实施例的阵列基板的横截面示意图。如图3所示，阵列基板100包括：基板1，其具有用于形成像素的第一区域11和位于第一区域11之间的第二区域12；位于基板1上的第二区域12的邻近第一区域11的部分内的遮光部2；以及位于第二区域12内的像素限定部3。需要说明的是，图3中对第一和第二区域11、12的划分仅为示例性的，其不应被视为是对本发明的限定。

根据本发明的实施例，像素限定部3的材料可以包括负性光致抗蚀剂。遮光部2能够吸收具有负性光致抗蚀剂的敏感波长的光。

根据本发明的实施例，至少遮光部2的靠近第一区域11的侧表面22未被像素限定部3覆盖。由此，在制备像素限定部3的过程中能够遮挡住散射的光，避免形成拖尾。

根据本发明的实施例，进一步地，像素限定部3覆盖遮光部2的顶表面21的至少一部分和遮光部2的远离第一区域11的侧表面23。

根据本发明的示例性实施例，像素限定部3的沿垂直于基板1的方向y上的尺寸与遮光部2的沿垂直于基板1的方向y上的尺寸的比率(s31:s21)可以为5:1至15:1。

根据本发明的示例性实施例，遮光部2的沿垂直于基板1的方向y上的尺寸s21可以为约0.1-0.5um。

根据本发明的示例性实施例，遮光部2的沿平行于基板1的方向x上的尺寸s22可以为约2-10um。

根据本发明的示例性实施例，光致抗蚀剂可以为紫外光敏感的光致抗蚀剂。

根据本发明的示例性实施例，遮光部2的材料可以包括吸收紫外光的材料。

根据本发明的示例性实施例，吸收紫外光的材料可以包括金属氧化物和/或含碳材料。

根据本发明的示例性实施例，金属氧化物可以包括二氧化钛或氧化铅。含碳材料可以包括碳黑或碳纳米管。

根据本发明的示例性实施例，像素限定部的材料可以包括聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、氟化聚酰亚胺、氟化聚甲基丙烯酸甲酯。

根据本发明的实施例，如图3所示，阵列基板100还可以包括位于基板1上且位于像素限定部3之间的导电层4。作为示例，该导电层4可以例如为oled显示器中的oled发光器件的阳极层。

本发明的实施例还提供了一种制备阵列基板的方法，能够制备出如上所述的阵列基板。由此，能够避免光学散射对用于像素的开口的尺寸的影响，从而提高器件性能。

图4示出了根据本发明的实施例的制备阵列基板的方法的流程图。如图4所示，该方法包括步骤s401至步骤s403。

下面参考图5至图12详细地描述制备阵列基板的方法。

在步骤s401中，提供基板1。如图5所示，基板1具有用于形成像素的第一区域11和位于第一区域11之间的第二区域12。

在步骤s402中，在基板1上的第二区域12的邻近第一区域11的部分内形成遮光部2。

具体地，形成所述遮光部2包括：如图6所示，在基板1上形成遮光部材料层2’；以及如图7所示，图案化遮光部材料层2’以在基板1上的第二区域12的邻近第一区域11的部分内形成遮光部2。

在步骤s403中，在第二区域12内形成像素限定部3。

具体地，形成像素限定部3包括：如图8所示，在基板1和遮光部2上形成像素限定部材料层3’；以及如图9所示，图案化像素限定部材料层3’以形成像素限定部3。

根据本发明的实施例，像素限定部材料层3’可以包括负性光致抗蚀剂。

参考图10，使用掩模5通过掩模5的开口51对位于用于形成像素限定部的第二区域12内的像素限定部材料层3’进行曝光。由于遮光部2的存在，在第二区域12底部处，用于曝光的光不能散射到第一区域，因而不会形成拖尾。

接下来，对未被曝光的像素限定部材料层3’显影以去除位于第一区域11内的像素限定部材料层3’的部分31’(如图10所示)以使遮光部2的靠近第一区域11的侧表面22(如图9所示)暴露。

根据本发明的实施例，如图9所示，至少遮光部2的靠近第一区域11的侧表面22未被像素限定部3覆盖。

根据本发明的实施例，上述光致抗蚀剂可以为紫外光敏感的光致抗蚀剂。遮光部材料层3’的材料可以包括吸收紫外光的材料。

此外，在步骤s402之前，也就是，在形成遮光部2之前，制备阵列基板的方法还可以包括：在基板1上形成导电层4。形成导电层4包括：如图11所示，在基板1上形成导电材料层4’；以及如图12所示，图案化导电材料层4’以在用于形成像素的第一区域11内形成导电层4。作为示例，该导电层4可以例如为oled显示器中的oled发光器件的阳极层。

应注意，在图9的结构之后，可以根据本领域已知的技术形成例如oled发光器件的另外的结构，例如，发光层、阴极层等等。在此不再赘述。

需要说明的是，在该实施例中，关于阵列基板的结构的其他描述与参考图3描述的实施例类似，在此不再赘述。

以上为了说明和描述的目的提供了实施例的前述描述。其并不旨在是穷举的或者限制本申请。特定实施例的各个元件或特征通常不限于特定的实施例，但是，在合适的情况下，这些元件和特征是可互换的并且可用在所选择的实施例中，即使没有具体示出或描述。同样也可以以许多方式来改变。这种改变不能被认为脱离了本申请，并且所有这些修改都包含在本申请的范围内。