技术特征：
技术总结
本发明提供一种3D NAND存储器件及其制造方法，在形成存储单元串以及存储单元串上的导电层之后，形成掩膜层，掩膜层中同时具有位于台阶区的台阶接触图形以及位于核心存储区的导电层接触图形，以该掩膜层为掩蔽，进行第一刻蚀，在该次刻蚀中，将在导电层上形成导电层接触孔，而在台阶区仅形成打开台阶区部分深度的台阶接触开口，而后，在台阶接触开口及导电层接触孔的侧壁上形成阻挡层，进而，仍以该掩膜层为掩蔽，进行台阶区的第二刻蚀，以便形成台阶接触孔。该方法降低了制造成本且有效控制工艺质量，保证器件质量和性能。
技术研发人员：张文杰;王玉岐;宋宏光;刘立芃;袁野
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2019.02.28
技术公布日：2019.06.11