衬底结构及包含其半导体结构的制造方法与流程

本

技术实现要素：
是有关于半导体制造技术，且特别是有关于用于成长氮化镓半导体材料的衬底结构及包含其半导体结构的制造方法。

背景技术：

氮化镓(gan-based)半导体材料具有许多优秀的材料特性，例如高抗热性、宽能隙(band-gap)、与高电子饱和速率。因此，氮化镓半导体材料适合应用于高速与高温的操作环境。近年来，氮化镓半导体材料已广泛地应用于发光二极管(lightemittingdiode，led)器件、高频率器件，例如具有异质界面结构的高电子迁移率晶体管(highelectronmobilitytransistor，hemt)。

随着氮化镓半导体材料的发展，这些使用氮化镓半导体材料的半导体结构应用于更严苛的工作环境中，例如更高频、更高温或更高电压的工作环境。因此，具有氮化镓半导体材料的半导体结构的工艺条件也面临许多新的挑战。

发明内容

本发明内容的一些实施例提供衬底结构，此衬底结构包含衬底、弯曲度(bow)调节层以及硅层。弯曲度调节层位于衬底的上表面上。硅层位于弯曲度调节层上。衬底结构具有总弯曲度值(bowvalue)，此总弯曲度值位于-20微米(μm)至-40微米的范围内。

本发明内容的一些实施例提供半导体结构的制造方法，此方法包含：形成衬底结构，以及在衬底结构之上形成氮化镓(gan-based)半导体层。形成衬底结构包含：提供衬底，及在该衬底的上表面上形成弯曲度调节层，以将衬底结构的总弯曲度值调节成为小于50微米。

本发明内容的半导体结构可应用于多种类型的半导体装置，为让本发明内容的特征和优点能更明显易懂，下文特举出应用于高电子迁移率晶体管的实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

附图说明

为让本发明内容的特征和优点能更明显易懂，下文特举不同实施例，并配合所附图式作详细说明如下：

图1a至图1f是根据本发明内容的一些实施例，说明形成半导体结构在各个不同阶段的剖面示意图；

图2a至图2d是根据本发明内容的一些实施例，说明形成衬底结构在各个不同阶段的剖面示意图；

图3是根据本发明内容的一些实施例，显示使用图1e的衬底结构所形成的高电子迁移率晶体管的剖面示意图。

附图标记说明

50～主动区；

100、100'、100”、200、200'～衬底结构；

101、102、202～衬底；

102a、202a～上表面；

102b、202b～下表面；

104～弯曲度调节层；

106～硅层；

108～标记；

110～缓冲层；

112～氮化镓半导体层；

114～氮化镓铝半导体层；

116、126～可流动介电材料垫层；

117～隔离结构；

118～源极/漏极电极；

120～栅极电极；

150～研磨步骤；

300～高电子迁移率晶体管；

b1、b5～弯曲度值；

b2、b3、b4、b6～总弯曲度值；

p～直径；

t1、t2、t3、t4、t5～厚度。

具体实施方式

以下的发明内容提供了许多的实施例或范例，用于实施所提供的半导体结构的不同器件。各器件和其配置的具体范例描述如下，以简化本发明内容的实施例的说明。当然，这些仅仅是范例，并非用以限定本发明内容的实施例。举例而言，叙述中若提及第一器件形成在第二器件之上，可能包含第一和第二器件直接接触的实施例，也可能包含额外的器件形成在第一和第二器件之间，使得它们不直接接触的实施例。此外，同样或相似的器件标号可能会在本发明内容实施例的不同的范例中重复使用。如此重复是为了简明和清楚，而非用以表示所讨论的不同实施例之间的关系。

以下描述实施例的一些变化。在不同图式和说明的实施例中，相似的器件符号被用来标示相似的器件。可以理解的是，在方法的前、中、后可以提供额外的步骤，且一些所叙述的步骤可在所述方法的其他实施例被取代或删除。

本发明内容的实施例提供了衬底结构及包含其半导体结构的制造方法。本发明内容的实施例中，半导体结构的制造方法包含采用弯曲度调节层交衬底结构的总弯曲度值调节成为小于约50微米，使得沉积氮化镓半导体层后所形成的半导体结构的总弯曲度值小于约80微米，因而可以达到防止后续成长于其上的膜层的破片，而可以提高半导体结构的良率与品质。

图1a至图1f是根据本发明内容的一些实施例，说明形成半导体结构在各个不同阶段的剖面示意图。请参照图1a至图1b，提供衬底102。

根据本发明内容的一些实施例，衬底102是通过粉末冶金进行高温烧结所形成。请参照图1a，一些实施例中，先提供多个衬底材料粉体(未绘示)，接着对这些衬底材料粉体进行高温工艺，以将衬底材料粉体烧结而形成如图1a所示的衬底101。进行高温工艺后所形成的衬底101通常会产生弯曲(bow)，例如可能具有约50微米(μm)至约-50微米的弯曲度值b1。并且，此时的衬底101的两个相对的表面可具有实质上相同的曲率。

在一些实施例中，衬底材料粉体包含陶瓷材料粉体，例如包含氮化铝、碳化硅、氧化铝、或上述的任意组合。在一些实施例中，高温工艺的温度例如是约1500℃至约1900℃。

接着，请参照图1b，可进行研磨步骤150，以研磨衬底101的上表面，使得研磨后的衬底102的上表面102a的曲率小于衬底102的下表面102b的曲率，也就是研磨后的上表面102a比未研磨的下表面102b更为平坦。如图1b所示，衬底102的下表面102b相对于衬底102的上表面102a。根据本发明内容的一些实施例，研磨后而较为平坦的上表面102a有助于让后续的膜层能够更均匀地成长，且具有较良好的附着性。

在一些实施例中，如图1b所示，衬底102的弯曲度值b1可以是负值，使得衬底102的上表面102a具有内凹轮廓。在研磨衬底102的上表面102a之后，衬底102的上表面102a可仍然具有内凹轮廓，但内凹的程度被研磨步骤所减低。在一些其他实施例中，衬底102的弯曲度值b1亦可以是正值(未绘示于图1b中)，使得衬底102的上表面102a可具有外凸轮廓。

在一些实施例中，在研磨衬底101之前，可对衬底101进行弯曲度检测(bowmeasurement)，而得到一个弯曲度值。此数值会依据基板的设置方式而呈现正值或负值。接着，以衬底101的弯曲度值为负值做为基准，以定义出衬底101的上表面(也就是后续预备进行研磨步骤的表面)与下表面。换言之，在弯曲度检测的步骤之后，决定了将衬底101以具有负值弯曲度值的方式设置。因此，如图1a所示，衬底101的上表面具有内凹轮廓，下表面具有外凸轮廓，且衬底101的弯曲度值b1为负值。

在本发明内容的一些实施例中，在后续步骤中会通过弯曲度调节层104来调节衬底结构的总弯曲度值，然后会在衬底结构上形成具有正值弯曲度值的氮化镓半导体层，当衬底结构具有负值弯曲度值，则有利于补偿调氮化镓半导体层的正值弯曲度值。因此，根据本发明内容的一些实施例，先对衬底101进行弯曲度检测，而将衬底101设置为已经具有负值弯曲度值，因此可以减低后续弯曲度的调整程度，进而可以降低后续形成的弯曲度调节层104所需要的厚度，进而降低整个装置结构的厚度。并且，此设计依然能够有效地利用衬底结构的负值总弯曲度值补偿氮化镓半导体层的正值弯曲度值，而使得所形成的具有氮化镓半导体层的结构具有相对平整的结构与平坦的上表面，有利于进行后续膜层成长的工艺。

在一些实施例中，如图1b所示，在对衬底101进行弯曲度检测并定义出衬底101的上表面与下表面之后，可在衬底101的下表面上形成标记108。一些实施例中，标记108是激光标记。在一些实施例中，形成标记108的步骤可在研磨步骤150之前进行，因为先形成标记108在衬底101的下表面上，有助于有效率地选取出预备进行研磨的上表面，可提高半导体结构的工艺步骤的效率。

在一些实施例中，衬底102可以是圆形的，并且衬底102的直径p可以是4英寸或以上，例如6英寸、8英寸或12英寸，以适用于半导体工业的制造设备。在一些实施例中，衬底102的厚度t1为约750毫米(mm)至约1000毫米。在一些实施例中，衬底102的厚度t1为约750毫米。

在一些实施例中，衬底102是陶瓷衬底。举例而言，衬底102可以是氮化铝(aln)衬底、碳化硅(sic)衬底、蓝宝石(sapphire)衬底、适用的类似衬底、或上述的任意组合。在一些实施例中，衬底102是氮化铝衬底。

在一些实施例中，衬底102可用于制造含有氮化镓(gan-based)半导体层的半导体装置，例如发光二极管(light-emittingdiode，led)、高频装置、或高压装置。高频装置或高压装置可以是例如，高电子迁移率晶体管(hemt)、肖特基二极管(schottkybipolardiode，sbd)、双极性晶体管(bipolarjunctiontransistor，bjt)、接面场效晶体管(junctionfieldeffecttransistor，jfet)、或绝缘栅双极晶体管(insulatedgatebipolartransistor，igbt)。

接着，请参照图1c，在衬底102的上表面102a上形成弯曲度(bow)调节层104，以将衬底结构的总弯曲度值(totalbowvalue)调节成为小于约50微米。在一些实施例中，如图1c所示，衬底结构100的总弯曲度值b2被调节为负值，例如是位于小于0微米至约-50微米的范围内。在一些实施例中，在衬底102的上表面102a上形成弯曲度调节层104，以将衬底结构100的总弯曲度值调节成为约-20微米至约-40微米。

在一些实施例中，可以通过沉积工艺将弯曲度调节层104沉积在衬底102的上表面102a上。在一些实施例中，沉积工艺包含电浆增强化学气相沉积(pecvd)、次大气压化学气相沉积(sacvd)、或上述的组合。

在一些实施例中，弯曲度调节层104包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、或上述的任意组合。在一些实施例中，弯曲度调节层104的厚度t2为约0.3微米至约2.5微米。在一些实施例中，弯曲度调节层104的厚度t2为约0.5微米至约1.5微米。

在一些实施例中，可以采用甲硅烷(sih4)与氧气作为前驱物与反应气体、并通过电浆增强化学气相沉积(pecvd)，在衬底102的上表面102a沉积氧化硅层作为弯曲度调节层104。在此条件下，当沉积厚度为约0.5微米时，氧化硅层(弯曲度调节层104)的弯曲度值为约5微米至约10微米；当沉积厚度为约1微米时，氧化硅层(弯曲度调节层104)的弯曲度值为约25微米至约30微米；当沉积厚度为约1.5微米时，氧化硅层(弯曲度调节层104)的弯曲度值为约35微米至约40微米。

在一些其他实施例中，可以采用甲硅烷(sih4)与氧气作为前驱物与反应气体、并通过次大气压化学气相沉积(sacvd)，在衬底102的上表面102a沉积氧化硅层作为弯曲度调节层104。在此条件下，当沉积厚度为约0.5微米时，氧化硅层(弯曲度调节层104)的弯曲度值为约0微米至约-5微米；当沉积厚度为约1微米时，氧化硅层(弯曲度调节层104)的弯曲度值为约-18微米至约-23微米；当沉积厚度为约1.5微米时，氧化硅层(弯曲度调节层104)的弯曲度值为约-26微米至约-31微米。

如上所示，根据本发明内容的一些实施例，可以根据衬底102的弯曲度值，选择将具有适合且匹配的弯曲度值的弯曲度调节层104形成在衬底102的上表面102a上，而够达到将衬底结构的总弯曲度值调节成为小于50微米。举例而言，当衬底102的弯曲度值为约-50微米时，将具有约20微米的弯曲度调节层104形成在衬底102的上表面102a上，而可以将衬底102与弯曲度调节层104的整体结构的总弯曲度值(也就是衬底结构100的总弯曲度值b2)调节为实质上约-30微米，而具有负值的总弯曲度的整体结构具有内凹的上表面。

需注意的是，上述的一些实施例仅是范例，并非用于限定本发明内容的范围。本发明内容的弯曲度调节层104并不限定于以上实施例列举的制作方式、材料、厚度等条件。所属技术领域中具有通常知识者可以基于本发明内容的精神与范围选用其他适用的制作方式、材料、厚度等条件，将弯曲度调节层104制作在衬底102的上表面102a上。

根据本发明内容的一些实施例，如图1c所示，衬底结构100可包含衬底102和弯曲度调节层104，衬底结构100的总弯曲度值b2则实质上等于衬底102的弯曲度值与弯曲度调节层104的弯曲度值的总和。在一些实施例中，衬底结构100的直径实质上等于衬底102的直径p，且衬底结构100的直径为约6英寸至约8英寸。

接着，在一些实施例中，请参照图1d，形成衬底结构的步骤可更包含在弯曲度调节层104上形成硅层106。在一些实施例中，硅层106可由沉积工艺形成。

在一些实施例中，硅层106的厚度t3为约0.1微米至约0.6微米。在一些实施例中，硅层106的厚度t3为约0.2微米至约0.5微米。在一些实施例中，硅层106的厚度t3为约0.35微米。

根据本发明内容的一些实施例，如图1d所示，衬底结构100'可包含衬底102、弯曲度调节层104、和硅层106，衬底结构100'的总弯曲度值b3则实质上等于衬底102的弯曲度值、弯曲度调节层104的弯曲度值、与硅层106的弯曲度值的总和。在一些实施例中，衬底结构100'的直径实质上等于衬底102的直径p，且衬底结构100'的直径为约6英寸至约8英寸。

接着，在一些实施例中，请参照图1e，形成衬底结构的步骤可更包含在硅层106上形成缓冲层110。在一些实施例中，缓冲层110的厚度t4为约0.2微米至约0.5微米。在一些实施例中，缓冲层110的材料可以是氮化铝(aln)、氮化镓(gan)、氮化镓铝(alxga1-xn(其中0<x<1))、适用的类似材料、或上述的任意组合。在一些实施例中，缓冲层110可由外延成长工艺形成，例如金属有机化学气相沉积(mocvd)、氢化物气相外延法(hvpe)、分子束外延法(mbe)、适用的类似方法、或上述的任意组合。尽管在如图1e所示的实施例中，缓冲层110为单层结构，然而缓冲层110也可以是多层结构。

根据本发明内容的一些实施例，如图1e所示，衬底结构100”可包含衬底102、弯曲度调节层104、硅层106、和缓冲层110，衬底结构100”的总弯曲度值b4则实质上等于衬底102的弯曲度值、弯曲度调节层104的弯曲度值、硅层106的弯曲度值、与缓冲层110的弯曲度值的总和。在一些实施例中，衬底结构100”的直径实质上等于衬底102的直径p，且衬底结构100”的直径为约6英寸至约8英寸。

接着，根据本发明内容的一些实施例，在衬底结构上形成氮化镓(gan-based)半导体层。在一些实施例中，氮化镓半导体层例如是如图1f所示的氮化镓半导体层112或氮化镓铝半导体层。在一些实施例中，氮化镓半导体层可由外延成长工艺形成，例如金属有机化学气相沉积(mocvd)、氢化物气相外延法(hvpe)、分子束外延法(mbe)、适用的类似方法、或上述的任意组合。在一些实施例中，请参照图1f，例如是在衬底结构上100”形成氮化镓半导体层112，则形成如图1f所示的半导体结构100g。

在一些实施例中，成长氮化镓半导体层112的工艺温度可以是约800℃至约1000℃。由于氮化镓半导体层112是经由高温工艺而制作而成，因此氮化镓半导体层112通常具有正值的弯曲度值。在一些实施例中，氮化镓半导体层112的厚度t5为约5微米至约15微米。在一些实施例中，当氮化镓半导体层112的厚度t5为约5微米时，其弯曲度值为约30微米至约40微米。

在一些实施例中，衬底结构的总弯曲度值调节成为小于约50微米，使得沉积氮化镓半导体层后所形成的半导体结构的总弯曲度值小于约80微米，因而可以达到防止后续成长于其上的膜层的破片，而可以提高半导体结构的良率与品质。

在一些实施例中，当衬底结构100的总弯曲度值b2、衬底结构100'的总弯曲度值b3、或衬底结构100”的总弯曲度值b4通过弯曲度调节层104的调节而落在-20微米(μm)至-40微米的范围内，接着在衬底结构上形成具有弯曲度值为约30微米至约40微米的氮化镓半导体层112之后，此时的整体结构的总弯曲度值便可以经由各别弯曲度值的彼此补偿而达到落在约-10微米至20微米的范围内，因此具有相对平坦的上表面。如此一来，不仅可以防止因为弯曲度过大而造成后续成长于其上的膜层的破片，因此有利于后续在氮化镓半导体层112之上进一步进行膜层的沉积工艺，并且可以提高膜层的均匀度与附着力，可进一步提高半导体结构的良率与品质。

图2a至图2d是根据本发明内容的一些实施例，说明形成衬底结构在各个不同阶段的剖面示意图。本实施例中与前述实施例相同或相似的器件沿用同样或相似的器件标号，且相同或相似器件的相关说明请参考前述，在此不再赘述。

请参照图2a，对衬底材料粉体进行高温工艺，以将衬底材料粉体烧结而形成如图2a所示的衬底101，衬底101可具有约50微米至约-50微米的弯曲度值b1。并且，此时的衬底101的两个相对的表面具有实质上相同的曲率。

接着，如图2a，可在衬底101的选定的下表面上形成标记108。

接着，请参照图2b，可进行研磨步骤150，以研磨衬底101的上表面，使得研磨后所形成的衬底202的上表面202a的曲率小于衬底202的下表面202b的曲率，也就是研磨后的上表面202a比未研磨的下表面202b更为平坦。如图2b所示，衬底202的下表面202b相对于衬底202的上表面202a，标记108位于衬底202的下表面202b上。

在一些实施例中，如图2b所示，衬底202的弯曲度值b5可以是正值，使得衬底202的上表面202a具有外凸轮廓，衬底202的下表面202b具有内凹轮廓。在研磨衬底202的上表面202a之后，衬底202的上表面202a可仍然具有外凸轮廓，但外凸的程度被研磨步骤所减低。

接着，请参照图2c，在衬底202的上表面202a上形成弯曲度调节层104，以将衬底结构的总弯曲度值调节成为小于约50微米。在一些实施例中，如图2c所示，衬底结构200的总弯曲度值b6被调节为负值，例如是位于小于0微米至约-50微米的范围内。在一些实施例中，在衬底202的上表面202a上形成弯曲度调节层104，以将衬底结构200的总弯曲度值调节成为约-20微米至约-40微米。

如上所示，根据本发明内容的一些实施例，可以根据衬底202的弯曲度值，选择将具有适合且匹配的弯曲度值的弯曲度调节层104形成在衬底202的上表面202a上，而够达到将衬底结构的总弯曲度值调节成为小于50微米。举例而言，当衬底202的弯曲度值b5为约10微米时，将具有约-30微米的弯曲度调节层104形成在衬底202的上表面202a上，而可以使得衬底202与弯曲度调节层104的整体结构的总弯曲度值(也就是衬底结构200的总弯曲度值b6)达到实质上为约-20微米，如图2c所示，而具有负值的总弯曲度的整体结构具有内凹的上表面。

接着，在一些实施例中，请参照图2d，形成衬底结构的步骤可更包含在弯曲度调节层104上形成硅层106。接着，在一些实施例中，请参照图2d，形成衬底结构的步骤可更包含在硅层106上形成缓冲层110，而形成衬底结构200'。

接着，根据本发明内容的一些实施例，在衬底结构上形成氮化镓半导体层。一些实施例中，请参照图2d，例如是在衬底结构上200'形成如图1f所示的氮化镓半导体层112。

在一些实施例中，当衬底结构的总弯曲度值b6通过弯曲度调节层104的调节而落在-20微米(μm)至-40微米的范围内，接着在衬底结构上形成具有弯曲度值为约30微米至约40微米的氮化镓半导体层112之后，此时的整体结构的总弯曲度值便可以经由各别弯曲度值的补偿而达到落在约-10微米至20微米的范围内，因此具有相对平坦的上表面。如此一来，不仅可以防止因为弯曲度过大而造成后续成长于其上的膜层的破片，因此有利于后续在氮化镓半导体层112之上进一步进行膜层的沉积工艺，并且可以提高膜层的均匀度与附着力，可进一步提高半导体结构的良率与品质。

图3是根据本发明内容的一些实施例，显示使用图1e的衬底结构100”所形成的高电子迁移率晶体管的剖面示意图。如图3所示的高电子迁移率晶体管亦可以使用如图1c所示的衬底结构100、如图1d所示的衬底结构100'、如图2c所示的衬底结构200、及如图2d所示的衬底结构200'所形成，制作步骤类似于以下实施例所述，在此不再重述。此外，本实施例中与前述实施例相同或相似的器件沿用同样或相似的器件标号，且相同或相似器件的相关说明请参考前述，在此亦不再赘述。

一般而言，高电子迁移率晶体管(hemt)的击穿电压(breakdownvoltage)主要取决于作为通道层的氮化镓(gan)半导体层的厚度。举例而言，氮化镓半导体层的厚度增加1微米可提升高电子迁移率晶体管(hemt)的击穿电压(breakdownvoltage)约100伏特。在形成氮化镓半导体层的外延成长工艺期间，需要使用具有高热传导性和高机械强度的衬底来沉积氮化镓半导体材料于其上，否则可能造成衬底弯曲，甚至破裂。因此，相较于硅衬底，氮化铝衬底具有较高热传导性和较高机械强度，以形成较厚的氮化镓半导体层在氮化铝衬底上。举例而言，在硅衬底表面上可形成的氮化镓半导体层的厚度为约2至4微米。在氮化铝衬底表面上可形成的氮化镓半导体层的厚度可达到5微米至15微米。

请参照图3，提供如图1e所示的衬底结构100”。图3显示了图1e的衬底结构100”的一部分，其中衬底结构100”的此部分中具有弯曲度调节层104，并且高电子迁移率晶体管300的其余器件形成于衬底结构100”的此部分上。在图3所示的实施例中，衬底102是氮化铝衬底。

在一些实施例中，高电子迁移率晶体管300可包含氮化镓半导体层112，氮化镓半导体层112形成在缓冲层110上。在一些实施例中，高电子迁移率晶体管300可包含氮化镓铝半导体层114，氮化镓铝半导体层114形成在氮化镓半导体层112上。

在高电子迁移率晶体管300中，二维电子气(two-dimensionalelectrongas，2deg)(未显示)可形成于氮化镓半导体层112与氮化镓铝半导体层114之间的异质界面上。在一些实施例中，氮化镓半导体层112和氮化镓铝半导体层114中没有掺杂物。在一些其他实施例中，氮化镓半导体层112和氮化镓铝半导体层114可具有掺杂物，例如n型掺杂物或p型掺杂物。氮化镓半导体层112和氮化镓铝半导体层114可由外延成长工艺形成，例如金属有机化学气相沉积(mocvd)、氢化物气相外延法(hvpe)、分子束外延法(mbe)、适用的类似方法、或上述的任意组合。

根据本发明内容的一些实施例，在图3所示，由于衬底102为具有高热传导性和高机械强度的氮化铝衬底，所以可沉积氮化镓半导体层112的厚度t5在约5微米至约15微米的范围内。

在一些实施例中，高电子迁移率晶体管300可包含隔离结构117，隔离结构117形成在氮化镓半导体层112和氮化镓铝半导体层114中，以定义出主动区50。隔离结构117的材料可以是介电材料，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、适用的类似材料、或上述的任意组合。并且，可通过蚀刻工艺和沉积工艺形成隔离结构117。

在一些实施例中，高电子迁移率晶体管300可包含源极/漏极电极118以及介于源极/漏极电极118之间的栅极电极120，源极/漏极电极118和栅极电极120形成在主动区50中的氮化镓铝半导体层114上。在一些实施例中，源极/漏极电极118和栅极电极120的材料可以是导电材料，例如金属、金属氮化物或半导体材料。金属可以是金(au)、镍(ni)、铂(pt)、钯(pd)、铱(ir)、钛(ti)、铬(cr)、钨(w)、铝(al)、铜(cu)、适用的类似材料、或上述的任意组合。半导体材料可以是多晶硅或多晶锗。形成源极/漏极电极118和栅极电极120的步骤可以包含在氮化镓铝半导体层114上沉积导电材料，并且将导电材料图案化来形成源极/漏极电极118和栅极电极120。源极/漏极电极118与栅极电极120可以在相同工艺中形成，或者也可以在不同工艺中各自形成。

以上概述数个实施例，以便在本发明所属技术领域中具有通常知识者可以更理解本发明的实施例的观点。在本发明所属技术领域中具有通常知识者应该理解，他们能以本发明实施例为基础，设计或修改其他工艺和结构，以达到与在此介绍的实施例相同的目的及/或优势。在本发明所属技术领域中具有通常知识者也应该理解到，此类等效的工艺和结构并无悖离本发明的精神与范围，且他们能在不违背本发明的精神和范围之下，做各式各样的改变、取代和替换。