一种低插损双频微带天线的制作方法

文档序号:18811415发布日期:2019-10-08 23:15阅读:344来源:国知局
一种低插损双频微带天线的制作方法
本发明涉及微波领域,特涉及一种低插损双频微带天线,可应用于通信产品。
背景技术
:天线是无线通信系统的重要组成部件,其性能的优劣直接关系到整个通信系统,要求损耗特性好、频率选择性高。一般的微带天线只有一个频带,可满足通信产品的常规使用需求。但是,随着电子技术的不断发展,双频段技术的应用越来越多(如电子标签、手机天线),因此,对双频微带天线提出了需求,目前已有一些双频微带天线的设计,其插损一般在-0.5db~-1.5db,有的甚至达-2.5db,已无法满足通信系统对微带天线越来越高的指标要求。技术实现要素:针对现有技术的不足,本发明提出了一种低插损双频微带天线。本发明采用双点双线馈电技术,通过改变馈电点的位置对阻抗匹配进行优化,大幅度提高了插损指标。本发明将双频微带天线插损提高到了-0.15db~-0.35db。本发明的技术方案为:一种低插损双频微带天线,包括介质层、电路层和底层电路层和底层分布在介质层的两面。其特征在于:电路层包括左电路层、右电路层,左电路层各个支节的尺寸如表所示:位置编号尺寸(mm)位置编号尺寸(mm)x11.52y31.72x20.6y41.14x36.3y51.17x43.15y61.73x51.4d10.36y15.9d20.96y22除端口一外,左电路层呈上下对称结构;右电路层由左电路层以坐标原点为中心旋转180°得到,坐标系的x轴位于左电路层的水平中心线上,y轴距离左电路层边距为0.18mm。根据如上所述的一种低插损双频微带天线,其特征在于:介质层的整个矩形区域均填充介质,填充介质的材料为ptfeceramic,介电常数为10.2,厚度为1mm。根据如上所述的一种低插损双频微带天线,其特征在于:电路层覆铜箔且铜箔表面镀金,铜箔厚度0.035mm,镀金层厚度不小于0.2um。根据如上所述的一种低插损双频微带天线,其特征在于:底层覆铜箔且铜箔表面镀金,铜箔厚度0.035mm,镀金层厚度不小于0.2um。本发明的有益效果是:1、天线有两个工作频率,且有极低的插损,实现了尖锐的频率选择性。本发明在两个工作频率点以外的频率具有较高的抑制作用。2、本发明的电路结构简洁、便于批量生产,对制造精度要求不高,生产后的产品可以免于调试。3、结构尺寸小,可应用在手机、电子标签等领域。附图说明图1双频微带天线电路板主视图。图2介质层示意图。图3双频微带天线电路版侧视图。附图标记说明:介质层1、电路层2、底层3。具体实施方式以下结合附图和实施例对本发明进一步说明。图1和图3分别为双频微带天线电路板主视图及其侧视图,其中外边框包含的整个区域为介质层1,虚线部分为电路层2和底层3,电路层2和底层3分布在介质层1的两面。本发明的电路层2覆铜箔且铜箔表面镀金,铜箔厚度0.035mm,镀金层厚度不小于0.2um,底层3全面覆铜箔且铜箔表面镀金,厚度与电路层2一致。图2是介质层1示意图,整个矩形区域均填充介质,材料为ptfeceramic(聚四氟乙烯陶瓷),介电常数为10.2,厚度为1mm。如图1所示,本发明的电路层2包括左电路层、右电路层,左电路层各个支节的尺寸如表1所示。从结构上看,如果去掉端口一矩形区域,左电路层呈上下对称结构。右电路层由左电路层以坐标原点为中心旋转180°得到,坐标系的x轴位于左电路层的水平中心线上,y轴距离左电路层边距为0.18mm,即图中的d1为0.36mm。左电路层的端口为端口一,右电路层的端口为端口二。端口一和端口二为天线的输入/输出端口,两个端口可以互换使用。端口一可与功放连接,端口二可与微波发射装置连接。各个支节的尺寸如表1所示:表1位置编号尺寸(mm)位置编号尺寸(mm)x11.52y31.72x20.6y41.14x36.3y51.17x43.15y61.73x51.4d10.36y15.9d20.96y22本发明的装置整体结构尺寸小,大小为15.77mm×8.8mm×1.07mm,可以应用在电子标签、手机天线等领域,实现天线便捷化高性能通讯。通过测试获得,本发明的装置在频率点3140mhz和5080mhz工作时,插损分别为-0.33db和-0.15db。本发明不仅局限于上述具体实施方式,本领域一般技术人员根据本发明公开的内容,可以采用其它多种具体实施方式实施本发明,因此,凡是采用本发明的设计结构和思路,做一些简单的变化或更改的设计,都落入本发明保护的范围。当前第1页12
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