晶片干燥系统及方法与流程

本公开实施例涉及一种晶片干燥系统及方法，特别涉及一种保持晶片清洁的晶片干燥系统及方法。

背景技术：

半导体生产中使用的生产设备可能是集成电路(integratedcircuit,ic)制造设施中对于晶片的粒子来源。在晶片制造过程中，半导体晶片经历多次处理操作。在ic制造期间随着晶片暴露于额外的处理时，晶片表面上的粒子数量可能会增加。

技术实现要素：

根据本公开的一些实施例，提供一种晶片干燥系统，包括晶片干燥工作站、分析器、以及电路。晶片干燥工作站配置以分配干燥气体至一个或多个晶片上，以干燥一个或多个晶片；分析器配置以检测干燥气体中的污染并判断干燥气体中的污染的浓度；电路更配置以将污染的浓度与基准值比较；因应浓度等于或小于基准值，命令晶片干燥工作站移出一个或多个晶片；以及因应浓度大于基准值，命令晶片干燥工作站干燥一个或多个晶片。

根据本公开的一些实施例，提供一种晶片干燥方法，包括在晶片干燥工作站中，分配干燥气体至一个或多个晶片上；从晶片干燥工作站的排气口收集干燥气体；判断在干燥气体中污染物的浓度；因应污染物的浓度高于基准值，重新分配干燥气体至一个或多个晶片上；以及因应浓度等于或小于基准值，将一个或多个晶片传送出晶片干燥工作站。

根据本公开的一些实施例，提供一种晶片干燥系统，包括晶片干燥工作站、检测器、一个或多个分析器、以及电路。晶片干燥工作站配置以分配干燥气体至一个或多个晶片上；检测器配置以从晶片干燥工作站的排气管线收集分配至一个或多个晶片上的干燥气体；一个或多个分析器配置以分析收集的干燥气体，并且输出溶解在干燥气体中气体性分子污染物的浓度。晶片干燥系统也包括电路，配置以将气体性分子污染物的浓度与一个或多个基准值比较；因应气体性分子污染物的浓度等于或小于基准值，命令晶片干燥工作站将一个或多个晶片由晶片干燥工作站移出；以及因应气体性分子污染物的浓度大于基准值，命令晶片干燥工作站重新分配干燥气体至一个或多个晶片上。

附图说明

当阅读所附附图时，从以下的详细描述能最佳理解本公开的各方面。应注意的是，不同特征并未一定按照比例绘制。事实上，可任意的放大或缩小不同特征的大小及几何尺寸，以做清楚的说明。

图1是根据一些实施例的单一晶片干燥工作站的示意图。

图2是根据一些实施例的晶片干燥方法的流程图。

图3是根据一些实施例的晶片干燥系统。

附图标记说明：

100干燥工作站

110晶片

120支撑座

130基座

140干燥气体

150排气管线

160罩盖

170流动线

200方法

210、220、230、240、250、260操作

310阀

320主排气口

330检测器单元

340分析器

350计算机单元

360控制单元

具体实施方式

以下的公开描述许多不同典型的实施例以实行本公开的不同特征。以下叙述各个构件以及排列方式的特定范例，以简化本公开。当然，仅为范例且意图不限于此。举例来说，第一个特征形成在第二特征之上，在下面的描述中可以包括第一和第二特征以直接接触形成的实施例，以及也可以包括额外的特征形成在第一和第二特征之间，使得第一和第二特征不直接接触的实施例。

除此之外，空间相关用词，如：「在…下方」、「下方」、「较低的」、「上方」、「较高的」等等的类似用词，可在这里使用以便于描述附图中一个元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系。除了在附图中绘示的方位外，这些空间相关用词涵盖包含使用中或操作中的装置的不同方位。设备可被转向不同方位(旋转90度或其他方位)，则在此使用的空间相关用词亦可依此相同解释。

这里使用的用词「标称(nominal)」是指在产品或过程的设计阶段期间，设定的构件或处理操作的特征或参数的期望值或目标值，以及在期望值之上以及/或之下的一范围值。值的范围是通常是由于制造过程的微小变化或公差。

这里使用的用词「大致上」表示一给定量的值在该值的±5％变化。

这里使用的用词「垂直」意味着名义上垂直于基板的表面。

一种控制晶片不被粒子污染的方式是在处理中防止污染晶片。然而，这并不总是可行的，一旦晶片被污染，可以通过清洁去除污染物。晶片清洁处理的目标是去除晶片表面污染物，像是粒子、有机物(例如，有机副产物)、金属(微量金属)以及天然氧化物。半导体制造环境中的晶片可通过干式清洁方法、湿式清洁方法、或上述的结合被清洁。

湿式清洁方法可以在湿式机台中进行，湿式机台可以一次处理一个晶片(例如，「单一晶片」机台)或一次处理大批量晶片(例如，「批量」机台)。在单一晶片机台中，晶片进入清洁模块并定位在晶片载台(支撑座)上。然后通过位于晶片表面上头的一个或多个喷嘴使晶片接受湿式清洁方法。一个或多个喷嘴可以在压力下在晶片表面上流动化学品(例如，化学溶液、去离子水等)以去除目标的污染(例如，粒子、金属污染物、有机材料等)。在清洁处理之后，晶片可以用去离子水清洗并通过旋转干燥，同时惰性气体(如氮气、氦气、或具有水气含量低于-73℃露点(dewpoint)的清洁干空气、小于1百万分点浓度(partpermillion)的二氧化碳、以及/或小于0.003百万分点浓度的碳氢化合物蒸气)流至晶片表面上，以加速干燥处理。在批量机台的情况下，晶片可以浸没在一个或多个清洗槽中或者放置在密封反应器中，其中反应器侧壁上的喷嘴阵列可以将一种或多种化学品喷向晶片表面。随后可以用去离子水清洗晶片并用类似于单一晶片干燥处理的方法进行干燥。举例来说，晶片可以通过旋转被干燥，同时惰性气体或清洁干空气流过晶片表面以加速干燥处理。

一旦干燥处理完成，晶片可以从湿式清洁机台中移出。可以随机选择一个或多个晶片以筛选污染物以及粒子，以评估湿式清洁处理的效率。这里所使用的用词「污染物」可以指在承受湿式清洁处理的晶片表面上的任何不需要的粒子、有机物、金属、或天然氧化物，或指来自湿式清洁以及干燥处理中使用的湿式清洁溶液的化学痕迹(例如，水斑、酸、氨的衍生物等)。

与建立的基准(baseline)相比，如果晶片上的污染物浓度(例如，污染水平)升高，则可以「重新加工(reworked)」晶片(例如，晶片可以接受额外的清洁循环)或将晶片报废(例如，从生产线被抛弃(discarded))。这里所使用的用词「建立的基准」是指被认为对后续处理操作具有最小影响，或对晶粒良率损失具有任何可察觉的(appreciable)影响的污染水平。前述处理既耗时又昂贵，因为污染水平不是与干燥处理同时(实时)测量的，举例来说，上述取样处理需要在干燥处理之后，将一个晶片(或多个晶片)从湿式清洁机台移出，在不同的机台(例如，在制造设施的不同部分)上进行测量，然后如果需要，再返回湿式清洁机台进行另一轮清洁。在一些情况下，对所选择的几个晶片的分析可能花费大量时间(例如，一个或多个小时)，这可能影响整个晶片生产通过量(productionthroughput)。

本公开涉及一种晶片干燥方法，其利用干燥气体中污染物的实时检测作为晶片干燥处理的反馈参数。具体而言，此方法包括从干燥工作站收集干燥气体，分析干燥气体以判断其气体性分子污染浓度，并将浓度与建立的基准比较。基于比较的结果，此方法可以调整晶片干燥处理。举例来说，如果干燥气体中的气体性分子污染的浓度等于或低于建立的基准，则一个晶片(或多个晶片)可以从干燥工作站被移出并传送至下一个处理操作。如果干燥气体中的气体性分子污染的浓度高于建立的基准，则一个晶片(或多个晶片)可以进行额外的清洗(例如，用去离子水)以及干燥循环。气体性分子污染是化学污染，其可以以蒸气或气溶胶(aerosols)的形式结合进入干燥气体中。这些化学品本质上可以是有机的或无机的，并且可以包括酸、碱、聚合物添加剂、有机金属化合物、掺杂剂等。作为示例而非限制，气体性分子污染可包括挥发性的有机化合物、胺、无机酸、丙酮、二氧化硫(so2)、异丙醇(ipa)、水蒸气(湿气(humidity))、或是任何上述的结合。

图1是单一晶片干燥工作站100的示意图。在一些实施例中，单一晶片干燥工作站100是湿式清洁集束型机台(clustertool)上的模块(为简化而未在图1中示出)。湿式清洁集束型机台可包括其操作所需的附加构件。举例来说，这些构件可包括但不限于附加模块(例如，传送模块，湿式清洁工作站等)、机械手臂、泵、排气管线、加热元件、气体和化学品输送管线、质流控制器、闸阀、槽阀(slotvalves)、软管、外部以及内部电连接集束型机台的其他构件(像是计算机单元、化学分析仪、控制器单元、压力控制器、阀、泵等)。为了便于说明，这些附加构件可以或可以不在图1中示出。然而，这些构件在本公开的精神以及范围内。

在单一晶片干燥工作站100中，晶片110放置在晶片支撑座120上。晶片支撑座120连接到基座130，基座130可在干燥处理期间旋转晶片支撑座120以及旋转晶片110。干燥工作站100还可包括一个或多个气体出口(图1中未示出)，气体出口可在晶片110的表面上方分配一种或多种干燥气体140，如图1所示。在一些实施例中，如图1所示，干燥气体140可以自上而下的方式从晶片110上方的中心位置分配。然而，这不是限制性的，并且依据单一晶片干燥工作站100的设计，其他配置是可能的。举例来说，干燥气体140可以从一个或多个位置或从干燥工作站100的侧壁上的一位置以一定角度分配在晶片110上。无论气体出口相对于晶片110的位置的配置和位置如何，干燥气体140在通过排气管线150离开干燥工作站100之前，可以大致上平行于晶片110的表面流动，如图1所示。基座130以及其旋转机构可以通过罩盖160与干燥气体140隔离。在一些实施例中，干燥处理包括以预定速度旋转晶片110并同时以预定速率朝晶片表面分配干燥气体140。可用于晶片干燥处理的干燥气体140包括但不限于惰性气体，像是氮气、氦气、以及氩气。或者，清洁干空气可用作干燥气体。

作为示例而非限制，气体出口可以通过一个或多个气体盒连接到一个或多个外部槽，外部槽包括高纯度和压力下的各种干燥气体(99.999％以上)。气体盒可以是气体分配系统的一部分，其中容纳气体阀以及气体分配管线的网络。图1中未示出气体盒以及外部槽以简化。

图1中的干燥工作站100的图示不是限制性的。举例来说，干燥工作站100可以被配置以执行附加操作，像是在晶片110的表面上分配去离子水。举例来说，干燥工作站100可被配备具有连接到外部化学管线的一个或多个喷嘴，图1中未示出以简化。或者，湿式清洁工作站可以执行干燥工作站100的功能。

在一些实施例中，干燥工作站100可以设计成使用上述相同或类似的原理一次干燥多于一个晶片(例如，批量晶片)。举例来说，干燥工作站100可以包括旋转的晶片支撑座，其上一次可以装载多达25个晶片。在此配置中，并且在干燥处理期间，干燥气体可以从干燥工作站100的多个位置而不是从顶部位置分配。作为示例而非限制，干燥气体可以从位于干燥工作站100的侧壁上的出口分配。无论气体出口相对于晶片表面的位置如何，干燥气体都可以朝向晶片的表面流动，并且可以通过一个或多个排气管线(像是排气管线150)离开干燥站。

如上所述，并且参考图1，干燥工作站100包括排气管线150，干燥气体140可以经由排气管线150离开干燥工作站100。然而，这不是限制性的，并且干燥工作站100可以被配备具有多于一个排气管线。根据一些实施例，干燥气体140一旦从干燥工作站100移出，就可以转移(diverted)到分析单元，分析单元可以测量干燥气体140中的气体性分子污染物的浓度。由于干燥气体140接触晶片110的表面，来自湿式清洁处理的化学特征的痕迹可以气体性分子污染的形式结合进入干燥气体140中。通过测量干燥气体140中的气体性分子污染的浓度，系统可以判断晶片110是否需要「重新加工」；举例来说，在干燥工作站100中进行另一个清洗和干燥处理的循环。在一些实施例中，干燥气体140的收集以及分析是实时进行的，举例来说，当晶片110在干燥工作站100中干燥时。又，在一些实施例中，在干燥气体140的污染分析完成并且气体性分子污染物的分析浓度等于或低于建立的基准之前，不从干燥工作站100移出晶片110。

在一些实施例中，分析单元是配置以检测一种以上的气体性分子污染物，包括但不限于挥发性有机化合物，胺(例如，氨的衍生物)，酸，丙酮，二氧化硫，异丙醇，水蒸气等。作为示例而非限制，分析单元可包括可检测挥发性有机化合物的飞行时间质谱仪(timeofflightmassspectrometer,tofms)，可检测微量胺或酸的离子移动率光谱仪，湿度检测器或其他适用于检测所需气体性分子污染物的检测器。检测限制可依据可检测化学品的类型以及使用于化学检测的分析方法。在一些实施例中，可以通过本公开的实施例测量万亿分点浓度(partspertrillion,ppt)或百万分点浓度(ppm)中的污染物浓度水平。

图2是根据一些实施例的晶片干燥方法200的流程图，此方法检测干燥气体中的气体性分子污染物作为晶片干燥处理的反馈参数。在一些实施例中，晶片干燥方法200可以在单一晶片干燥工作站中执行，如图1中所示的干燥工作站100，或是在可以一次处理多于一个晶片(例如，一批晶片)的多晶片干燥工作站中执行。又，本公开不限于此操作描述。相反，其他操作也在本公开的精神和范围内。应了解的是，可执行额外操作。此外，本公开在此提供的操作并非需要全部执行。另外，一些操作可以同时执行，或者以与图2中所示不同的顺序执行。在一些实施方式中，除了目前描述的操作外，可以执行一个或多个其他操作，或是执行一个或多个其他操作以代替目前描述的操作。为了说明的目的，参考图1以及图3中所示的实施例描述了晶片干燥方法200。基于本公开，如同前述，单一晶片干燥工作站100或配置成一次干燥批量晶片的干燥工作站的其他配置可以与晶片干燥方法200一起使用，只要至少一种干燥气体参与晶片干燥处理即可。这些晶片干燥工作站以及其配置在本公开的精神和范围内。

晶片干燥方法200开始于操作210，其中晶片(例如，晶片110)被传送到如图1以及图3中所示的干燥工作站100。作为示例而非限制，晶片110可以从传送模块、湿式清洁工作站或另一个模块(这些都未在图1以及图3中示出以简化)传送到干燥工作站100。如上所述，干燥工作站100可以整合于集束型机台中。集束型机台可以是湿式清洁工具，其包括一个或多个清洁工作站、其他模块(例如，传送模块)、机械设备、气动(pneumatic)设备、电气设备、或操作所需的其他设备。在一些实施例中，晶片110从湿式清洁工作站传送到干燥工作站100。根据一些实施例，干燥工作站100可以用作湿式清洁工作站，或者包括图1以及图3中未示出的附加构件。

在晶片干燥方法200的操作220中，干燥气体(例如，图1中所示的干燥气体140)被分配在晶片干燥工作站100中的晶片110上。在一些实施例中，干燥气体140经由位于晶片110上头的一个或多个气体出口分配。在一些实施例中，干燥气体140可以从晶片110上方的中心位置分配并且向下朝向晶片110的表面流下，如图1中流动线170所示。当到达表面时，干燥气体140可以平行于晶片的顶部表面流动。然而，这不是限制性的并且其他配置是可能的，像是干燥气体140的流动线不同于图1中所示的流动线。无论气体出口相对于晶片110的位置的配置或位置如何，在经由排气管线150离开干燥工作站100之前，干燥气体140可以流过晶片110的表面。在一些实施例中，干燥处理包括以预定速度旋转晶片110并且同时地在晶片表面上以预定的速率分配干燥气体140。作为示例而非限制，干燥气体140可包括惰性气体，像是氮气、氦气、或氩气。或者，干燥气体140可包括清洁干空气。

当干燥气体140沿着旋转晶片110的表面行进时，气体性分子污染物可以被结合进入、溶解或悬浮在干燥气体140中。换句话说，干燥气体140可以用作「载体气体(carriergas)」，将气体性分子污染物传送远离晶片表面，但不与气体性分子污染物发生化学反应。作为示例而非限制，气体性分子污染物可包括挥发性有机化合物，氨的衍生物(例如，胺)、酸(例如氢氟酸、盐酸等)、丙酮、二氧化硫、异丙醇、水蒸气，在先前的晶片湿式清洁操作中使用的其他类型的化学品、或者上述的结合。基于待检测的气体性分子污染物的类型，可以选择合适的干燥气体。举例来说，干燥气体不应与气体性分子污染物发生化学反应，因为这种反应会导致晶片表面上沉积物的形成或气体性分子污染物的改变。举例来说，由于其反应性，清洁干空气可能不适用于某些类别的气体性分子污染物。参考图1以及图3，干燥气体140可以通过排气管线150离开干燥工作站100。

晶片干燥方法200继续来到操作230，在操作230中，可以从工作站的排气管线150收集干燥气体140。参考图3，根据一些实施例，干燥气体140可以从主排气口320(例如，通过阀310)转移(diverted)到检测器单元330。作为示例而非限制，检测器单元330可以是中间工作站，在检测器单元330中，干燥气体140可以被化学识别并且暂时储存，直到已经收集了预定体积的干燥气体140。举例来说，检测器单元330可以判断干燥气体140是否是氮气、氦气、氩气、清洁干空气、或是其他气体。在一些实施例中，一个或多个检测器单元330可用于从相应的一个或多个干燥工作站收集干燥气体。

在晶片干燥方法200的操作240中，可以分析收集的干燥气体140以获得结合进入干燥气体140中的污染物的浓度。在一些实施例中，在操作240中，污染物是干燥气体140中的气体性分子污染物，其可被识别并量化。举例来说，参考图3，干燥气体140从检测器单元330传送到一个或多个分析器340。在一些实施例中，分析器340可以检测多于一种类型的气体性分子污染物。在其他实施例中，分析器340可以限于检测单一类型的气体性分子污染物(例如，挥发性有机化合物)。因此，可能需要一个或多个分析器340来检测干燥气体140中其他类型的多种气体性分子污染物(例如，无机污染物)。又，每个分析器340可以被配置以从一个或多个检测器单元330接收干燥气体140的样本。在一些实施例中，一个或多个分析器340可以被设置在检测器单元330内或者是检测器单元330的一部分。

在一些实施例中，分析器340包括用于检测挥发性有机化合物的飞行时间质谱仪、用于检测胺以及酸的离子移动率光谱仪，用于检测二氧化硫的其他类型的检测器、湿度检测器、依据欲检测的气体性分子污染物而使用的其他类型的检测器、或上述的结合。在一些实施例中，分析器340可以百万分点浓度(ppm)、十亿分点浓度(partsperbillion,ppb)、原子百分比(atomicpercentage,at.％)、体积百分比、或其他合适的单位，提供结合进入干燥气体140中的气体性分子污染物的浓度水平。

参考图3以及图2的晶片干燥方法200的操作250，来自分析器340的气体性分子污染物的浓度数据可以被发送到计算机单元350或电路，在计算机单元350或电路中，浓度数据可以与建立的基准进行比较。作为示例而非限制，建立的基准可以包括干燥气体140中的气体性分子污染物的可允许的污染水平。可允许的污染水平可以是历史污染数据与污染对产量的影响之间的相关性的结果，以及/或是历史污染数据与污染对后续操作或处理的影响之间的相关性的结果。在一些实施例中，干燥气体140中的每种气体性分子污染物的建立的基准可以是不同的。又，可以依据气体性分子污染物的类型以及污染物对产量或整体产量目标的影响来调整建立的基准。作为示例而非限制，所建立的基准可以是数据库或伺服器中的一个或多个储存值。在一些实施例中，建立的基准可以是本地储存媒介(像是计算机单元350中的硬盘)上的一个或多个储存值。

作为示例而非限制，图3中所示的计算机单元350可以与晶片干燥工作站100或集束型机台的整体部分整合，集束型机台包括晶片干燥工作站100以及附加模块。或者，计算机单元350可以是远端单元(remoteunit)，像是伺服器或伺服器网络。又，计算机单元350可以是网络系统的整合部分，其收集以及分析各种来源的数据，像是但不限于集束型机台、压力感测器、分析工具、质流控制器等。在一些实施例中，计算机单元350可以被配置以从一个或多个分析器340接收输出数据，将输出数据与基准数据比较，并且基于其执行比较的分析结果，提供指令给其他单元或模块。

在晶片干燥方法200的操作260中，基于操作250中的比较分析，可以重新加工晶片110，或从干燥工作站100移出晶片110。在一些实施例中，重新加工处理可以包括使晶片110先受去离子水清洗以及随后在晶片干燥工作站100中进行干燥处理，或使晶片110在干燥工作站100中受晶片干燥处理。举例来说，参考图3，计算机单元350可以将一个或多个指令发送到控制单元360，以在干燥工作站100中重新加工晶片110或是将晶片110从干燥工作站100中移出。在一些实施例中，控制单元360可以是计算机单元350与干燥工作站100之间的沟通介面。在一些实施例中，控制单元360可以与(例如，一部分的)湿式清洁集束型机台整合。

在一些实施例中，如果干燥气体140中的气体性分子污染物的浓度等于或低于建立的基准，则可以从干燥工作站100移出晶片110。另一方面，如果干燥气体140中的气体性分子污染物的浓度高于建立的基准，则晶片110可以用去离子水清洗并干燥，或是在没有预先清洗的情况下受干燥处理。举例来说，如果挥发性有机化合物、胺、或二氧化硫的浓度高于这些污染物的建立的基准，则计算机单元350可命令控制单元360以使晶片受去离子水清洗，然后在干燥工作站中进行干燥循环。干燥循环可包括在干燥工作站100中旋转晶片，并在旋转的晶片上配置干燥气体140。另一方面，如果测量的干燥气体140的湿度水平高于可允许的水平，则计算机单元350可命令控制单元360使晶片受干燥循环而不用去离子水清洗。

在一些实施例中，在重新加工处理之后，可以根据晶片干燥方法200的操作，分析重新加工处理中使用的干燥气体的气体性分子污染物。这是为了确保重新加工操作已经从晶片表面去除了目标污染物。

如上所述，晶片干燥方法200可以应用于可以一次干燥多个晶片的工作站(例如，多晶片干燥工作站)。举例来说，在图2的晶片干燥方法200的操作210中，可以将晶片传送到多晶片干燥工作站。近似于单一晶片的情况下，晶片被传送到支撑座上。多晶片干燥工作站中的晶片支撑座可以垂直或横向堆叠晶片。在一些实施例中，支撑座可以一次支撑25个或更多个晶片。在操作220中，将干燥气体分配在晶片上。在一些实施例中，在干燥处理其间，晶片旋转的同时释放干燥气体。在晶片干燥方法200的操作230中，通过多晶片干燥工作站中的气体排气口收集干燥气体。在一些实施例中，使用晶片干燥方法200的操作240至250，可以对干燥气体进行取样以及分析气体性分子污染物。举例来说，可以利用与图3中相同或近似的检测器单元330、分析器340以及/或计算机单元350以执行操作240以及250。又，在晶片干燥方法200的操作260中，基于来自操作250的比较结果，多晶片干燥工作站中的晶片可以被重新加工或从多晶片工作站移出。在图3中，控制单元360可以是计算机单元350和多晶片干燥工作站之间的沟通介面。在一些实施例中，控制单元360可以是具有多晶片干燥工作站的批量湿式清洁集束型机台。

本公开涉及一种晶片干燥方法，其检测(例如，实时检测)干燥气体中的气体性分子污染物以作为单一晶片或多晶片干燥处理的反馈参数。更具体地说，此方法包括从单一晶片以及/或多晶片干燥工作站收集干燥气体，分析干燥气体以判断其气体性分子污染浓度，并将此浓度与一个或多个建立的基准值比较。根据比较结果，此方法可以对晶片干燥处理进行调整。举例来说，如果干燥气体中的气体性分子污染的浓度等于或低于建立的基准，则晶片(或多个晶片)可从单一晶片(或多晶片)干燥工作站移出并传送到下一个处理操作。如果气体性分子污染物的浓度高于建立的基准，则可以使晶片(或多个晶片)受去离子水的额外的清洗以及额外的干燥操作，或是使晶片(或多个晶片)受额外的干燥操作。在一些实施例中，气体性分子污染包括但不限于挥发性有机化合物、胺、无机酸、丙酮、二氧化硫(so2)、异丙醇(ipa)、水蒸气(湿气)等。在一些实施例中，干燥气体包括但不限于氮气、氩气、氦气、清洁干空气、或任何其他不与气体性分子污染物发生化学反应而在晶片上形成沉积物的合适的气体。

在一些实施例中，一种晶片干燥系统包括晶片干燥工作站、分析器、以及电路。晶片干燥工作站配置以分配干燥气体至一个或多个晶片上，以干燥一个或多个晶片；分析器配置以检测干燥气体中的污染并判断干燥气体中的污染的浓度；电路更配置以将污染的浓度与基准值比较；因应浓度等于或小于基准值，命令晶片干燥工作站移出一个或多个晶片；以及因应浓度大于基准值，命令晶片干燥工作站干燥一个或多个晶片。在一些实施例中，电路是更配置以因应浓度大于基准值，命令晶片干燥工作站以去离子水清洗一个或多个晶片。在一些实施例中，污染包括挥发性的有机化合物、胺、无机酸、丙酮、二氧化硫、异丙醇、水蒸气、或是上述的结合。在一些实施例中，干燥气体包括惰性气体或清洁干空气。在一些实施例中，惰性气体包括氮气、氩气、或氦气。在一些实施例中，分析器包括飞行时间质谱仪、离子移动率光谱仪、湿度检测器、或是上述的结合。在一些实施例中，系统还包括一集束型机台，容纳晶片干燥工作站以及电路；以及检测器单元，配置以收集来自晶片干燥工作站的干燥气体，并且将收集的干燥气体传送至分析器。

在一些实施例中，一种晶片干燥方法，包括在晶片干燥工作站中，分配干燥气体至一个或多个晶片上；从晶片干燥工作站的排气口收集干燥气体；判断在干燥气体中污染物的浓度；因应污染物的浓度高于基准值，重新分配干燥气体至一个或多个晶片上；以及因应浓度等于或小于基准值，将一个或多个晶片传送出晶片干燥工作站。在一些实施例中，污染物包括在收集的干燥气体中的气体性分子污染物。在一些实施例中，方法还包括因应污染物的浓度高于基准值，以去离子水清洗一个或多个晶片。在一些实施例中，方法还包括分配以及重新分配干燥气体至一个或多个晶片上的同时，旋转一个或多个晶片。在一些实施例中，污染物包括挥发性的有机化合物、胺、无机酸、丙酮、二氧化硫、异丙醇、水蒸气、或是上述的结合。在一些实施例中，干燥气体包括氮气、氩气、氦气、或清洁干空气。在一些实施例中，方法还包括在重新分配干燥气体至一个或多个晶片上后，从晶片干燥工作站的排气口收集重新分配的干燥气体；分析收集的重新分配的干燥气体，以另一次判断在收集的重新分配的干燥气体中污染物的浓度；因应另一次判断中污染物的浓度高于基准值，在一个或多个晶片上进行干燥气体的再次分配；以及因应另一次判断中污染物的浓度等于或小于基准值，将一个或多个晶片传送出晶片干燥工作站。

在一些实施例中，一种晶片干燥系统包括晶片干燥工作站、检测器、一个或多个分析器、以及电路。晶片干燥工作站配置以分配干燥气体至一个或多个晶片上；检测器配置以从晶片干燥工作站的排气管线收集分配至一个或多个晶片上的干燥气体；一个或多个分析器配置以分析收集的干燥气体，并且输出溶解在干燥气体中气体性分子污染物的浓度。晶片干燥系统也包括电路，配置以将气体性分子污染物的浓度与一个或多个基准值比较；因应气体性分子污染物的浓度等于或小于基准值，命令晶片干燥工作站将一个或多个晶片由晶片干燥工作站移出；以及因应气体性分子污染物的浓度大于基准值，命令晶片干燥工作站重新分配干燥气体至一个或多个晶片上。在一些实施例中，电路更配置以因应气体性分子污染物的浓度大于基准值，命令晶片干燥工作站清洗一个或多个晶片。在一些实施例中，晶片干燥工作站更配置以分配去离子水至一个或多个晶片上。在一些实施例中，一个或多个分析器更配置以接收由一个或多个晶片干燥工作站分配至一个或多个晶片上的干燥气体。在一些实施例中，其中气体性分子污染物包括挥发性的有机化合物、胺、无机酸、丙酮、二氧化硫、异丙醇、水蒸气、或是上述的结合。在一些实施例中，干燥气体包括氮气或清洁干空气。

应理解的是，实施方式而不是本公开的摘要部分，意图用于解释发明权利要求。本公开的摘要部分可以阐述发明人所预期的本公开的一个或多个但不是所有可能的实施例，因此，本公开的摘要部分并不意图以任何方式限制所附加的发明权利要求。

前面概述数个实施例的特征，使得本领域普通技术人员可更好地理解本公开的各方面。本领域普通技术人员应理解的是，可轻易地使用本公开作为设计或修改其他工艺以及结构的基础，以实现在此介绍的实施例的相同目的及/或达到相同优点。本领域普通技术人员亦应理解的是，这样的等同配置不背离本公开的精神以及范围，且在不背离本公开的精神以及范围的情况下，可对本公开进行各种改变、替换以及更改。