裸片和芯片的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明的各个实施例涉及裸片和芯片。
【背景技术】
[0002]现今，包括集成电路(IC)、传感器和其它更复杂的器件的而且还包括分立电子器件的电子和电气器件，通常基于薄膜和半导体或半导体相关技术来实现。相应结构典型地形成在衬底材料诸如半导体材料上，或集成至衬底材料诸如半导体材料中。制造过程典型地在晶片级上执行，随后将晶片划片成单独裸片。裸片随后典型地被封装形成芯片。
[0003]在封装框架中，裸片通常被安装至载体诸如引线框架上。通常，使用包括焊膏的一些形式的粘合剂将裸片安装至载体上。
[0004]然而，通常这些粘合剂包含了趋向于爬行(ere印)至裸片的顶表面上的一些形式的助焊剂或其它组分。可是，这会引起在进一步制造期间不期望的结果和问题，引起不期望的器件性能或者其它器件相关性能。
[0005]由于裸片的大小典型地直接涉及制造工艺效率，因此存在减小相应裸片的大小的趋向。因此，用于例如使得相应的电子或电气器件能够与外部元件通信的接触焊盘趋向于更紧密地集成至相应裸片的横向边缘。因此，不希望的对接触焊盘的污染的风险趋向于增加。
【发明内容】
[0006]因此，在制造和封装芯片期间需要减少裸片顶侧的污染的风险。
[0007]根据实施例的一种裸片包括:接触焊盘，其被配置用于提供至裸片中包括的电路元件的电接触；横向边缘，其最接近于接触焊盘；以及覆盖层，其包括保护结构，该保护结构包括至少一个细长结构。保护结构布置在横向边缘与接触焊盘之间。
[0008]根据实施例的一种裸片包括:接触焊盘，其被配置用于提供至裸片中包括的电路元件的电接触；横向边缘，其最接近于接触焊盘；以及保护结构，其包括至少一个细长结构，其中保护结构布置在横向边缘与接触焊盘之间。
[0009]根据实施例的一种芯片包括载体和裸片，该裸片包括:接触焊盘，其被配置用于提供与裸片中包括的电路元件的电接触；横向边缘，其最接近于接触焊盘；以及保护结构，保护结构包括至少一个细长结构，其中保护结构被布置在横向边缘与接触焊盘之间。裸片通过使用焊膏来安装至载体上。
[0010]在阅读以下详细描述以及在查看附图之后，本领域的技术人员将认识到另外的特征和优点。
【附图说明】
[0011]本发明的若干实施例将在附图中进行描述。在附图中:
[0012]图1示出根据实施例的包括根据实施例的裸片的芯片的示意性平面图；
[0013]图2示出根据另一个实施例的裸片的示意性平面图；
[0014]图3示出图2的裸片沿着图2中示出的虚线的截面图；
[0015]图4示出包括若干接触焊盘的更常规的裸片的示意性图；以及
[0016]图5示出说明污染的风险的更常规的方法。
【具体实施方式】
[0017]以下，根据本发明的实施例将进行更详细的描述。在此上下文中，概括性的参考符号将被用于同时描述若干对象，或者用于描述这些对象的共同的特征、尺寸、特性等等。概括性的参考符号基于它们的特有的参考符号。此外，在若干实施例或若干附图中出现、但就它们的至少一些功能或结构特征的而言相同或至少类似的对象，将以相同或类似的参考符号指示。为了避免不必要的重复，涉及这类对象的描述的部分也会涉及不同实施例或不同附图中的对应对象，除非在考虑说明书和附图的上下文的情况下另外明确或者隐含地表明。因此，类似或相关的对象能够通过至少一些相同或类似的特征、尺寸以及特性实现，但也可能实现为具有不同的性能。
[0018]在有时也被称为微芯片的芯片中，裸片通常通过使用粘合剂诸如焊膏安装至载体诸如引线框架上。当使用这类粘合剂时，存在该粘合剂或其组分例如助焊剂从裸片背侧沿着横向边缘爬行至裸片顶侧的风险。然而，这可能引起关于进一步的制造工艺操作、封装操作、或者由芯片实现的相应电气或电子器件的进一步的性能的不期望的效果。
[0019]例如，当裸片被焊接至包括助焊剂而助焊剂又包括锡(Sn)或铅(Pb)的引线框架时，包含这些原子的助焊剂可以从裸片背侧沿着裸片的横向边缘爬行至该裸片的前侧或顶侦U。在这种情况下，助焊剂可以与裸片前侧金属化结构(FSM)相互作用，这会引起锡(Sn)或铅(Pb)原子侵蚀或扩散至前侧金属化结构的金属中的过程。
[0020]然而，锡或铅原子扩散至前侧金属化结构中会引起金属化结构相对于它们机械性能的机械不稳定性。例如，金属化结构对布置在金属化结构下方的电介质的粘附力可以减小至这样的水平，使得在随后的键合接线张紧期间，金属化结构可以在键合接线的合金化之后出现松动。键合接线以及键合球(bond ball)可以从电介质分离并被撕掉，从而引起所谓的剥落金属效应。
[0021]然而，不仅在使用焊膏时而且还在使用其它粘合剂时，在使用其它粘合剂或者其它键合或安装技术以将裸片安装在载体诸如引线框架上时，可能会发生类似的或其它的不希望的效果。
[0022]如以下将概述，通过使用实施例，可能降低在制造和封装芯片期间对裸片顶侧的污染以及例如对布置在顶侧上的接触焊盘的污染的对应风险。
[0023]图1示出了根据一个实施例的包括裸片110的芯片100的示意性平面图。除了裸片110之外，芯片100还包括载体120，该载体可以例如被实现为引线框架130。此外，芯片100可以包括包封裸片110和载体120以形成包封的芯片100的模制化合物140。替代使用模制技术以将裸片110与其载体120 —起包封，自然地，也可使用任何其它包封技术。
[0024]裸片110典型地是具有基本上为矩形或方形的形式的衬底。沿着第一方向150以及沿着第二方向160,裸片包括显著沿大于第三方向170的长度或延伸，该第三方向基本上垂直于第一方向150和第二方向160两者。第一和第二方向150、160典型地还相对于彼此垂直。相对于第三方向170的延伸也称为裸片110的厚度。通常，裸片110的厚度比裸片110沿着第一和第二方向150、160的长度更小至少五倍。
[0025]在原则上，裸片110可以是适合于集成或提供相应电气电路元件或者电气或电子电路的任何材料。例如，裸片I1可以包括电绝缘材料、导电材料或者其组合。例如，裸片110可以包括半导体材料，诸如硅(Si)、砷化锗(GeAs)、碳化硅(SiC)等等。在已经进行了制造工艺中的至少一些之后，可以将裸片110、或者包括裸片110的相应材料的类似结构，从晶片划片下来。
[0026]在制造工艺期间，典型地还提供接触焊盘180，该接触焊盘使得能够建立至裸片110中包括的电路元件的电接触。由于电路元件的更高实现密度、并且从而使得裸片尺寸缩小的趋势的影响，与更常规的设计方法相比，沿着裸片110的横向边缘190-1更紧密地布置至少一些接触焊盘。在图1所示示例中，横向边缘190-1是最接近接触焊盘180的横向边缘。换言之，在在沿着垂直于相应横向边缘190的方向上、从接触焊盘180至裸片110的任何横向边缘190的距离中，关于侧缘190-1的距离是最小的。
[0027]除了横向边缘190-1之外，裸片110进一步包括横向边缘190-2、190-3和190-4。横向边缘190-1和190-3平行地布置，并基本上取向成垂直于第一方向150并且因此平行于第二方向160。相反地，横向边缘190-2、190-4布置成基本上垂直于第二方向160且因此平行于第一方向150。而且,这两个横向边缘也基本上平行地布置。
[0028]裸片110进一步包括保护结构200-1，该保护结构可以例如被配置和布置成，使得在不毁坏或损坏保护结构200-1的情况下，可以经由保护结构200-1，来避免通过键合接线的至裸片中的任何电路或任何电路元件的任何电接触。例如，保护结构200-1可以被实现为，使得通过保护结构避免所描述的电接触。保护结构200-1被布置在最接近的横向边缘190-1与接触焊盘180之间。
[0029]在此上下文中，术语“包括”可以涵盖，被集成至裸片110中的、被设置在裸片110上例如在裸片110的表面上的电路或电路元件、或者其任何组合的任何可能实现形式。换言之，电路或电路元件可以被完全地布置在裸片110的表面上，可被集成至裸片110的材料中，或者其可以包括被集成至裸片110中的一个或多个部分，而相应电路或电路元件的至少一个另外部分被布置在裸片110的顶表面上或上方。
[0030]如下文将更详细地陈述，保护结构200-1可以被配