一种肖特基芯片专用外延片的生长方法
【专利摘要】本发明公开了一种肖特基芯片专用的外延片生长方法，包括如下步骤：在高温环境下，先采用H2+HCL对硅片进行预处理；然后在硅片表面淀积一定厚度的不掺杂的纯硅；接着，按照一定的比例调整掺杂量，使得外延片的过渡层的电阻率呈线性变化，并且具有一定的斜率。本发明的肖特基芯片专用的外延片生长方法制造的外延片来生产肖特基芯片，可以使得芯片的正向（Vf）参数及抗ESD能力都非常优良。
【专利说明】一种肖特基芯片专用外延片的生长方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体【技术领域】，特别是涉及一种肖特基芯片专用外延片生长方法。【背景技术】
[0002]目前市场对肖特基芯片的正向压降(Vf)及抗ESD能力的要求越来越高，已经成为衡量芯片性能优劣的两项非常重要的指标。但是目前采用常规外延片生产加工的肖特基芯片难以做到正向(Vf)参数及抗ESD能力都兼顾。而在高端市场中对肖特基芯片的正向(Vf)参数及抗ESD能力都有相当严格的要求，因此常规的肖特基芯片在高端市场中的应用将会受到较大的影响。
【发明内容】
[0003]为了克服上述现有技术的不足，本发明提供了一种肖特基芯片专用的外延片生长方法，包括如下步骤:在高温环境下，先采用H2+HCL对硅片进行预处理；然后在硅片表面淀积一定厚度的不掺杂的纯硅；接着，按照一定的比例调整掺杂量，使得外延片的过渡层的电阻率呈线性变化，并且具有一定的斜率。
[0004]进一步的，通过调节掺杂量及硅沉积速率来控制电阻率曲线的斜率。
[0005]进一步的，所述线性变化为线性增大。
[0006]进一步的，达到外延片需要的电阻率值后，再进行稳定浓度的掺杂。
[0007]进一步的，掺杂浓度变化和外延片电阻率变化呈对应关系。
[0008]进一步的，不同斜率的外延片用于不同规格的肖特基芯片。
[0009]本发明的肖特基芯片专用的外延片生长方法制造的外延片来生产肖特基芯片，可以使得芯片的正向(Vf)参数及抗ESD能力都非常优良。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1为外延片掺杂浓度曲线图；
图2为外延片电阻率变化曲线图。
【具体实施方式】
[0011]下面结合附图对本发明作进一步说明。
[0012]本发明的肖特基芯片专用外延片生长方法，采用如下步骤进行:
如图1和2所示，在1150°C左右的高温环境下，先采用H2+HCL对硅片进行预处理。然后在抛光片表面淀积一定厚度的(一般为0.2um)不掺杂的纯娃,用来抑制抛光片中的杂质溢出。接下来按照一定的比例调整掺杂量，使得外延片的过渡层的电阻率曲线呈线性变化，并且具有一定的斜率。达到外延片需要的电阻率值后，再进行稳定浓度的掺杂。通过调节掺杂量及硅沉积速率，可以调节电阻率曲线的斜率。
[0013]用本方法加工的外延片作为基础材料来生产肖特基芯片，可以使得芯片具有低的 正向导通电阻及高的抗静电(ESD)能力。
【权利要求】
1.一种肖特基芯片专用的外延片生长方法，包括如下步骤:在高温环境下，先采用H2+HCL对硅片进行预处理；然后在硅片表面淀积一定厚度的不掺杂的纯硅；接着，按照一定的比例调整掺杂量，使得外延片的过渡层的电阻率呈线性变化，并且具有一定的斜率。
2.根据权利要求1所述的肖特基芯片专用的外延片生长方法，其特征在于:通过调节掺杂量及硅沉积速率来控制电阻率曲线的斜率。
3.根据权利要求1所述的肖特基芯片专用的外延片生长方法，其特征在于:所述线性变化为线性增大。
4.根据权利要求1所述的肖特基芯片专用的外延片生长方法，其特征在于:达到外延片需要的电阻率值后，再进行稳定浓度的掺杂。
5.根据权利要求1所述的肖特基芯片专用的外延片生长方法，其特征在于:掺杂浓度变化和外延片电阻率变化呈对应关系。
6.根据权利要求2所述的肖特基芯片专用的外延片生长方法，其特征在于:不同斜率的外延片用于不同规格的肖特基芯片。
【文档编号】H01L21/20GK103489761SQ201310423509
【公开日】2014年1月1日 申请日期:2013年9月17日 优先权日:2013年9月17日
【发明者】徐林海, 黄力平, 朱春生, 张瑞丽, 周诗雨 申请人:杭州立昂微电子股份有限公司