一种晶圆缺陷标记装置及晶圆缺陷标记方法与流程

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆缺陷标记装置及晶圆缺陷标记方法。

背景技术：

在大型集成电路的晶圆生产过程中，需要及时在各个制程工艺节点对晶圆上存在的缺陷进行切片分析，以探究缺陷产生的机理。

对于晶圆缺陷的切片分析首先要采用聚焦离子束显微镜进行制样。目前，业内用于制样的聚焦离子束显微镜主要有两种机型可供选择：其一是高精度聚焦离子束显微镜，其二是非破片式晶圆聚焦离子束显微镜。高精度聚焦离子束显微镜的样品台较小而无法对整片晶圆进行操作，需要人工事先对晶圆进行破片，这无疑增加了操作人员的工作难度和工作量。而非破片式晶圆聚焦离子束显微镜虽然可以对整片晶圆进行操作，但因分辨率较低，往往需要先采用扫描电子显微镜(sem)对晶圆进行扫描以找到缺陷位置，并对该缺陷位置进行碳化标记后，才可以在非破片式晶圆聚焦离子束显微镜中进行制样。

然而，采用sem对晶圆进行碳化标记后再在聚焦离子束显微镜中制样存在以下缺陷：

不同沉积膜材料碳化的难易程度不同，例如氮化硅材料就不易碳化；

碳化标记若长时间暴露于空气中其痕迹会消退变浅，即碳化标记后的晶圆需要马上制样而不能长时间保存；

导电性不好的沉积膜材料在进入聚焦离子束显微镜中制样时极易发生碳沉积现象，进而导致碳化标记难以分辨。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种晶圆缺陷标记装置及晶圆缺陷标记方法，以解决目前对晶圆进行标记时存在的不易标记、标记消退或标记难以分辨等问题。

为实现上述目的，本发明提供的一种晶圆缺陷标记装置，包括：

主腔室，具有扫描标记区；

扫描标记系统，与所述扫描标记区对应设置并包括扫描电子显微镜组件和激光标记组件；以及，

第一样品台，可活动地设置于所述主腔室内并用于承载待测晶圆，；

其中：当所述第一样品台运动至所述扫描标记区时，所述扫描电子显微镜组件用于先对所述第一样品台上的待测晶圆进行扫描探测，以得到所述待测晶圆的缺陷位置，进而所述激光标记组件用于向所述待测晶圆的缺陷位置发射激光，以对所述待测晶圆的缺陷位置进行刻蚀而形成标记。

可选地，所述晶圆缺陷标记装置还包括：

第一密闭腔，可活动地设置于所述主腔室内；

第二密闭腔，可活动地设置于所述主腔室内；以及

第二样品台，可活动地设置于所述主腔室内并用于承载待测晶圆；

其中：所述第一样品台设置于所述第一密闭腔，所述第一密闭腔用于带动所述第一样品台运动至所述扫描标记区，且当所述第一样品台运动至所述扫描标记区时，所述扫描标记系统用于透过所述第一密闭腔对所述第一样品台上的待测晶圆进行标记；

所述第二密闭腔用于运动至所述扫描标记区，以使所述扫描标记系统在所述第二密闭腔室中实现清洁；

所述第二样品台用于运动至所述扫描标记区，以使所述扫描电子显微镜组件对所述第二样品台上的待测晶圆进行扫描探测，以得到所述第二样品台上的待测晶圆的缺陷形貌。

可选地，所述晶圆缺陷标记装置还包括：

光学显微镜组件，与所述扫描标记区对应设置；

当所述第一样品台运动至所述扫描标记区时，所述扫描显微镜组件和所述光学显微镜组件共同对所述第一样品台上的待测晶圆进行扫描探测；和/或，

当所述第二样品台运动至所述扫描标记区时，所述扫描电子显微镜组件和所述光学显微镜组件共同对所述第二样品台上的待测晶圆进行扫描探测。

可选地，所述晶圆缺陷标记装置还包括：

第三密闭腔，可活动地设置于所述主腔室内；

其中：所述第二样品台设置于所述第三密闭腔，所述第三密闭腔用于带动所述第二样品台运动至所述扫描标记区，且当所述第二样品台运动至所述扫描标记区时，所述扫描电子显微镜组件对所述第二样品台上的待测晶圆进行扫描探测。

可选地，所述第一密闭腔、所述第二密闭腔和所述第三密闭腔均可升降地设置于所述主腔室中。

可选地，所述晶圆缺陷标记装置还包括：

平移台，设置于所述主腔室内并用于在所述主腔室内做水平运动，且所述第一密闭腔、第二密闭腔和第三密闭腔均可升降地设置于所述平移台上。

可选地，所述平移台为弧形板，所述第一密闭腔、所述第二密闭腔和所述第三密闭腔沿所述平移台的周向间隔布置；或，

所述平移台为矩形板，所述第一密闭腔、所述第二密闭腔和所述第三密闭腔沿所述平移台的一侧边方向间隔设置。

可选地，所述晶圆缺陷标记装置还包括：

抽真空系统，与所述第二密闭腔连接，以对所述第二密闭腔抽真空而对所述扫描标记系统进行清洁。

可选地，所述扫描标记系统设置于所述主腔室的顶壁上；所述第一密闭腔的顶部设置有可开闭的窗口；

当所述第一密闭腔运动至所述扫描标记区时，所述窗口打开，且所述第一密闭腔与所述主腔室的顶壁共同构成一密闭空间，所述激光标记组件用于将激光入射至所述密闭空间内；

可选地，所述激光标记组件包括：激光器、光阑、反射镜和聚焦镜；所述激光器用于发射激光，且所述激光依次经所述光阑、反射镜和聚焦镜后聚焦至所述第一样品台上的待测晶圆，以对所述待测晶圆的缺陷位置进行刻蚀标记。

可选地，所述晶圆缺陷标记装置还包括：

控制单元，分别用于控制所述第一样品台运动，所述扫描电子显微镜组件进行扫描探测，以及所述激光标记组件向所述待测晶圆的缺陷位置发射激光。

可选地，所述晶圆缺陷标记装置还包括：

控制单元，分别用于控制所述第一密闭腔、所述第二密闭腔以及所述第二样品台运动，还用于控制所述扫描显微镜组件进行扫描探测，以及所述激光标记组件向所述待测晶圆的缺陷位置发射激光。

此外，为实现上述目的，本发明提供一种晶圆缺陷标记方法，其基于如前所述的晶圆缺陷标记装置，包括：

提供一待测晶圆；

对所述待测晶圆进行sem扫描定位，得到所述待测晶圆的缺陷位置；

向所述待测晶圆的缺陷位置发射激光，使所述待测晶圆的缺陷位置被刻蚀而形成标记。

可选地，还包括：

将待测晶圆置于主腔室内的第一样品台上；

所述第一样品台先运动至主腔室内的扫描标记区，而后依次对所述待测晶圆进行sem扫描定位和激光刻蚀。

与现有技术相比，本发明的晶圆缺陷标记装置及晶圆缺陷标记方法具有如下优点：

第一、本发明提供的晶圆缺陷标记装置包括主腔室、第一样品台和扫描标记系统，所述扫描标记系统包括扫描电子显微镜组件和激光标记组件；实际应用时，待测晶圆放置在所述第一样品台上，而第一样品台需要运动至主腔室的扫描标记区，进而所述扫描电子显微镜组件先对第一样品台上的待测晶圆进行探测得到缺陷位置后，再利用所述激光标记组件对待测晶圆的缺陷位置进行激光刻蚀以形成标记，进而根据刻蚀形成的标记进行制样，以对晶圆的缺陷进行分析。这样做，便于在各类沉积膜材料上形成标记，同时，该标记可长期保存而不会消退，另外，该标记也不会因沉积膜材料自身发生碳沉积而无法辨认，因此缺陷标记的效果好，且标记的过程简单方便。

第二、上述晶圆缺陷标记装置通过在主腔室内设置第一密闭腔、第二密闭腔和第二样品台，使得该晶圆缺陷标记装置既可用于晶圆的刻蚀标记，也可单独用于晶圆缺陷的扫描探测，提高晶圆缺陷标记装置的利用率，同时，通过第一密闭腔和第二密闭腔的分割，避免刻蚀标记时产生的颗粒对单独进行扫描探测的晶圆造成污染。

第三、上述晶圆缺陷标记装置通过设置第三密闭腔，并将所述第二样品台设置于所述第三密闭腔内，进一步避免刻蚀标记时产生的颗粒对单独进行扫描探测的晶圆造成污染。

附图说明

图1是本发明根据一实施例所提供的晶圆缺陷标记装置的的结构示意图；

图2是本发明根据一实施例提供的激光标记组件的示意图；

图3是本发明根据一实施例提供的第一密闭腔的结构示意图；

图4是本发明根据一实施例提供的晶圆缺陷标记装置的俯视图，图中，所述主腔室的顶壁及扫描标记系统未示出；

图5是本发明根据另一实施例提供的晶圆缺陷标记装置的俯视图，图中，所述主腔室的顶壁及扫描标记系统未示出。

图中：

100-主腔室；

200-扫描标记系统；

210-扫描电子显微镜组件；

220-激光标记组件；

221-激光器，222-光阑，223-反射镜，224-聚焦镜；

230-光学显微镜组件；

300-第一样品台；

400-平移台；

500-第一密闭腔；

510-第一窗口，520-第二密封圈；

600-第二密闭腔；

700-第二样品台；

800-第三密闭腔。

具体实施方式

本发明的核心思想在于提供一种晶圆缺陷标记装置，用于对待测晶圆中的缺陷位置进行标记。所述晶圆缺陷标记装置包括：

主腔室，具有扫描标记区；

扫描标记系统，与所述扫描标记区对应设置并包括扫描电子显微镜组件和激光标记组件；以及，

第一样品台，可活动地设置于所述主腔室内并用于承载待测晶圆，；

其中：当所述第一样品台运动至所述扫描标记区时，所述扫描电子显微镜组件用于先对所述第一样品台上的待测晶圆进行扫描探测，以得到所述待测晶圆的缺陷位置，进而所述激光标记组件用于向所述待测晶圆的缺陷位置发射激光，以对所述待测晶圆的缺陷位置进行刻蚀而形成标记。

通过在晶圆缺陷标记装置上设置带有激光标记组件的扫描标记系统，在扫描电子显微镜对待测晶圆进行扫描定位后，采用激光标记组件对待测晶圆进行刻蚀以形成标记，该标记可长时间保留，并且不会因晶圆的沉积膜材料在后续处理过程中碳沉积而难以分辨，同时激光刻蚀可在各种沉积膜材料上进行，从而使得标记的过程简单方便。

为使本发明的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图对本发明提出的晶圆缺陷标记装置及晶圆缺陷标记方法作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

如在本说明书和所附权利要求中所使用的，单数形式″一″、″一个″以及″该″包括复数对象，复数形式″多个″包括两个或两个以上的对象，除非内容另外明确指出外。如在本说明书和所附权利要求中所使用的，术语″或″通常是以包括″和/或″的含义而进行使用的，除非内容另外明确指出外，以及术语″安装″、″相连″、″连接″应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接。可以是机械连接，也可以是电连接。可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。附图中相同或相似的附图标记代表相同或相似的部件。

图1所示为本发明一实施例提供的晶圆缺陷标记装置的结构示意图。如图1所示，所述晶圆缺陷标记装置包括：主腔室100、扫描标记系统200和第一样品台300；所述主腔室100具有一扫描标记区；所述扫描标记系统200与所述扫描标记区对应设置并包括扫描电子显微镜组件210和激光标记组件220；所述第一样品台300可活动地设置于所述主腔室100内并用于承载待测晶圆(图中未示出)。实际应用时，所述第一样品台300先运动至所述扫描标记区，而后所述扫描电子显微镜组件210对第一样品台300上的待测晶圆进行扫描探测，以得到该待测晶圆的缺陷位置，进而所述激光标记组件220再向所述待测晶圆的缺陷位置发射激光，以对所述缺陷位置进行刻蚀而形成标记。通过激光刻蚀所形成的标记能长时间保存而不会消退，而且所形成的标记也不会因晶圆上沉积膜材料自身发生碳沉积而无法辨认，提高了晶圆缺陷标记的有效性，而且缺陷标记的过程简单方便，效率高。

本实施例中，所述第一样品台300自身可以在主腔室100内运动，也可通过外部机构带动其运动，例如所述晶圆缺陷标记装置还包括设置于所述主腔室100中的平移台400，而所述第一样品台300设置于平移台400上，且所述平移台400可在所述主腔室100内运动，以带动所述第一样品台300在所述主腔室100中移动。

进一步的，所述扫描标记系200还可包括光学显微镜组件230，且所述光学显微镜组件230与所述平移台400一起构成所述晶圆缺陷标记装置的光学导航系统。实际上，该光学导航系统可与现有市售各类扫描电子显微镜的光学导航系统的组成、控制方式完全相同，即由所述光学显微镜组件230和所述平移台400构成光学导航系统对于本领域技术人员而言是公知常识。

接下来，以对待测晶圆的缺陷进行标记为例说明所述晶圆缺陷标记装置的使用方法。

首先，将待测晶圆放置于所述第一样品台300上；

之后，利用所述光学导航系统对待测晶圆进行光学探测，获得待测晶圆表面的整体导航图；

然后，基于所述整体导航图，利用所述扫描电子显微镜组件210对待测晶圆进行放大扫描，以获得待测晶圆的缺陷位置；

最后，在光学导航系统的作用下，所述激光标记组件220发射激光至所述待测晶圆的缺陷位置，以使缺陷位置处的沉积膜被刻蚀而形成标记。

需要说明的是，如何利用光学导航系统进行光学探测并得到晶圆表面的整体导航图，以及如何利用扫描电子显微镜组件210找到待测晶圆的缺陷位置，再在同一光学导航系统的作用下，将所述激光引导至所述缺陷位置是本领域的公知常识，因而此处不再赘述。

如图2所示，所述激光标记组件220可包括激光器221、光阑222、反光镜223和聚焦镜224。实际应用时，所述激光器221发射激光，所述激光经所述光阑222调整光束后射入所述反光镜223，以改变激光的传播路径，经过反射的所述激光经所述聚焦镜224聚焦并最终射向所述待测晶圆，从而对所述待测晶圆进行刻蚀。本实施例中对于激光的种类并不做严格限制，其可以根据待测晶圆的沉积膜材料做具体选择。

进一步地，所述晶圆缺陷标记装置还包括控制单元，用于控制所述第一样品台300运动，例如远离或靠近所述扫描标记区，并且所述控制单元还用于控制所述扫描标记系统200的工作，即控制扫描电子显微镜组件210对第一样品台300上的待测晶圆进行扫描探测，还用于控制激光标记组件220向所述待测晶圆的缺陷位置发射激光。本实施例中，所述控制单元可选用可编程的单片机、plc控制器等现有控制机构，而具体的控制程序可由本领域技术人员根据实际需要进行设置。

根据统计，在晶圆的实际生产过程中，需要做缺陷的切片分析的晶圆占比小于10％，剩余90％以上的晶圆只需要做缺陷的形貌分析。而且，本实施例提供的晶圆缺陷标记装置配备有扫描电子显微镜组件210，因此，为提高设备的利用率，该晶圆缺陷标记装置往往还单独用于对晶圆做缺陷形貌分析。但因为在对晶圆进行刻蚀标记时产生的颗粒会对主腔室100造成污染，从而影响缺陷形貌分析的结果，而每次需要进行缺陷形貌分析时都对主腔室100进行清洁又增加了设备的维护成本，同时导致工作效率低下。对此，请继续参考图1，所述晶圆缺陷标记装置还包括第一密闭腔500、第二密闭腔600和第二样品台700，且所述第一密闭腔500、第二密闭腔600和第二样品台700均可升降地设置于所述平移台400上。

具体而言，所述第一密闭腔500可活动地设置于所述主腔室100中，所述第一样品台200设置于所述第一密闭腔500中，并通过所述第一密闭腔500带动所述第一样品台200运动至所述扫描标记区。当第一密闭腔500运动至扫描标记区，所述扫描标记系统200可透过第一密闭腔500对第一样品台300上的待测晶圆进行缺陷标记，而且激光刻蚀此过程中产生的颗粒物一部分附着于扫描标记系统200上，一部分留在第一密闭腔500中。本实施例中，当第一密闭腔500运动至扫描标记区，扫描电子显微镜组件210的镜头、激光标记组件220的镜头以及所述光学显微镜组件230的镜头插入第一密闭腔500。在其他实施例中，所述扫描电子显微镜组件210的镜头和所述光学显微镜组件230的镜头也可不插入所述第一密闭腔500中。

所述第二密闭腔600可活动地设置在所述主腔室100中，且该第二密闭腔600也用于运动至所述扫描标记区，并用于罩设所述扫描电子显微镜210的镜头、所述激光标记组件220的镜头和所述光学显微镜230的镜头，以便扫描标记系统200在第二密闭腔室内实现清洁，从而去除激光刻蚀过程中产生的颗粒物，以避免影响后续扫描分析。

所述第二样品台700可活动地设置在所述主腔室100内并用于承载一待测晶圆，且第二样品台700也用于运动至扫描标记区，以便扫描电子显微镜组件210对第二样品台700上的待测晶圆进行扫描分析，以得到所述第二样品台上的待测晶圆的缺陷状态。

这样一来，所述晶圆缺陷标记装置可用于晶圆的缺陷形貌分析和缺陷标记处理，并且可避免因缺陷标记处理带来的颗粒物对缺陷形貌分析造成不利影响。

详细地，当待测晶圆随第一密闭腔500运动至所述扫描标记区并在第一密闭腔500内进行标记工作，此过程中会对扫描标记系统200造成污染；接着，第一密闭腔500远离所述扫描标记区；接着，所述第二密闭腔600运动至所述扫描标记区以便密封所述扫描标记系统200，并使扫描标记系统200在第二密闭腔600内进行清洁，以去除附着于所述扫描标记系统200上的颗粒物；接着，所述第二密闭腔600远离所述扫描标记区；最后，所述第二样品台700携带另一待测晶圆运动至所述扫描标记区并利用光学显微镜组件230和扫描显微镜组件210进行缺陷的形貌分析。即，本实施例中，在由第一密闭腔500切换至第二样品台700工作之前，先由第二密闭腔600对所述扫描标记系统200进行清洁，以去除标记工作时残留于扫描标记系统200上的颗粒，从而减小对晶圆的缺陷形貌分析的不良影响。

应知晓，对于扫描标记系统200的清洁工作可通过抽真空来完成。即，所述晶圆扫描标记装置还包括抽真空系统，与所述第二密闭腔600连接，以对所述第二密闭腔抽真空而对所述扫描标记系统进行清洁。可选的，所述抽真空系统包括真空管路和真空泵(图中未示出)，真空管路与第二密闭腔600连接。当所述第二密闭腔600运动至所述扫描标记区，并且所述扫描电子显微镜组件210的镜头、所述激光标记组件220的镜头和所述光学显微镜组件230的镜头位于所述第二密闭腔600内时，所述真空泵开启以对所述第二密闭腔600抽真空，从而对所述扫描标记系统200进行清洁。

在进一步地改进中，所述晶圆缺陷标记装置还包括第三密闭腔800，所述第三密闭腔800设置于所述平移台400上并用于容纳所述第二样品台700，这样，被承载于所述第二样品台700上的待测晶圆可在该第三密闭腔700中进行缺陷的形貌分析，如此，可进一步地降低标记工作时残留颗粒物对扫描探测工作的影响。

即，本实施例中，通过在主腔室100中设置相互独立的第一密闭腔500、第二密闭腔600和第三密闭腔800，且第一密闭腔500只用于扫描标记工作，第三密闭腔只用于缺陷的形貌分析工作，同时在由第一密闭腔500切换第三密闭腔800工作前，先由第二密闭腔600对扫描标记系统200进行清洁，从而避免标记工作产生的颗粒物对扫描工作造成干扰。

在本实施例中，所述扫描标记系统200固定设置在所述主腔室100的顶壁上，其中，所述光学显微镜组件230的镜头、扫描电子显微镜210的镜头以及激光标记组件220的聚焦镜224均位于所述主腔室100内。优选的，所述第一密闭腔500可与所述主腔室100的顶壁内侧面形成所述第一密闭空间，所述第二密闭腔600可与所述主腔室100的顶壁内侧面形成所述第二密闭空间，所述第三密闭腔700可与所述主腔室100的顶壁内侧面形成所述第三密闭空间。为此，所述第一密闭腔500、第二密闭腔600和第三密闭腔700均可升降地设置于所述平移台400上，也就是说，所述平移台400在主腔室100中可仅做水平运动，通过平移台400带动相应工作腔运动至扫描标记系统200的下方后，该工作腔上升以形成密闭腔室后进行相应工作。这里，用于实现所述第一密闭腔500、第二密闭腔600和第三密闭腔700的机构可为现有的各类升降机构，例如电推杆等。

更为具体地，所述主腔室100的顶壁内侧面上设置有环绕所述扫描标记系统200的第一密封圈(图中未示出)。所述第一密闭腔500的结构如图3所示，在所述第一密闭腔500的顶壁上设置有可开闭的第一窗口510，且第一密闭腔500的顶壁外侧面上设置有环绕所述第一窗口510并与所述第一密封圈相配合的第二密封圈520。当所述第一窗口510开启且所述第二密封圈520与所述第一密封圈紧密挤压时，所述第一密闭腔500与所述主腔室100的顶壁内侧面形成所述第一密闭空间。请结合图1，此时所述光学显微镜组件230的镜头、扫描电子显微镜210的镜头以及激光标记组件220的聚焦镜224可均位于所述第一密闭密闭空间内，从而可对该第一密闭空间中的待测晶圆进行扫描标记。应理解，这里的第一窗口510可采用现有的各类可自动启闭的自动窗。

所述第二密闭腔500的结构与第一密闭腔的结构类似。具体地，所述第二密闭腔500的顶壁上设有可开闭的第二窗口，且所述第二密闭腔500的顶壁的外侧面上设置有环绕所述第二窗口并与所述第一密封圈相配合的第三密封圈。当所述第二窗口开启且所述第三密封圈与所述第一密封圈紧密挤压时，所述第二密闭腔500与所述主腔室100的内顶壁形成所述第二密闭空间，此时所述光学显微镜组件230的镜头、扫描电子显微镜210的镜头以及激光标记组件220的聚焦镜224可均位于所述第二密闭腔室中，从而可开启所述真空泵，对所述扫描标记系统200进行清洁。

所述第三密闭腔800的结构同样与所述第一密闭腔500相类似。即，所述第三密闭腔800的顶壁上设有可开闭的第三窗口，且所述第三密闭腔800的顶壁的外侧面上设有环绕所述第三窗口并与所述第一密封圈相配合的第四密封圈。当所述第三窗口开启且所述第四密封圈与所述第一密封圈紧密挤压时，所述第三密闭腔800与所述主腔室100的内顶壁形成所述第三密闭空间，此时，所述光学显微镜组件230的镜头、扫描电子显微镜210的镜头以及激光标记组件220的聚焦镜224可均位于所述第三密闭空间中，从而使得位于所述第三密闭腔800中的待测晶圆被扫描探测。

也就是说，对于所述晶圆缺陷标记装置，依据实际需要选择合适的工作腔进行工作。在整个过程中，所述平移台400的水平动作，工作腔的竖直动作以及扫描标记系统200的动作均可由所述控制单元进行操控。这里，平移台400的水平运动可由一伺服电机驱动。

再进一步地，如图4所示，所述平移台400为弧形板，所述第一密闭腔500、第二密闭腔600及第三密闭腔800沿所述平移台400的周向间隔布置，这样，所述平移台400做往复的旋转运动，可方便第一密闭腔500和第三密闭腔800的切换。或者，再另一实施例中，如图5所示，所述平移台400也可为矩形板，此时，所述第一密闭腔500、第二密闭腔600及第三密闭腔800可沿所述平移台400的一侧边方向间隔设置。

此外，还需要说明的是，在进行晶圆缺陷的形貌分析时对于第三密闭腔800的清洁度要求较高，因此，每一次由第一密闭腔500切换至第三密闭腔800时，都需要对扫描标记系统200进行清洁。而进行晶圆缺陷的标记时，对于第一密闭腔500的清洁度要求相对较低，因此，无需每完成一次标记工作就对扫描标记系统200进行一次清洁，实际上，第一密闭腔500的清洁可与主腔室100的清洁一同进行，该清洁过程可通过另一与所述主腔室100连通的抽真空系统完成，且清洁时所述第一密闭腔500的第一窗口应处于开启状态。

进一步地，本发明还提供了一种晶圆缺陷标记方法，其基于前述的晶圆缺陷标记装置，该晶圆缺陷标记方法具体包括：

步骤s1：提供一待测晶圆；

步骤s2：对所述待测晶圆进行sem扫描定位，得到所述待测晶圆的缺陷位置；

步骤s3：向所述待测晶圆的缺陷位置发射激光，使所述待测晶圆的缺陷位置被刻蚀以形成标记。

即，对所述待测晶圆进行扫描定位的具体操作是：首先将一待测晶圆置于所述第一样品台上；然后所述第一样品台运动至所述主腔室内的扫描标记区；之后通过光学导航系统对所述待测晶圆进行光学探测以获得所述待测晶圆的整体导航图；再基于该整体导航图对所述待测晶圆进行放大扫描，并找到待测晶圆的缺陷位置；最后在同一光学导航系统的作用下，采用一激光器向所述缺陷发射激光，该激光对待测晶圆的缺陷位置进行刻蚀，从而形成所述标记。

虽然本发明披露如上，但并不局限于此。本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。