1.一种芯片晶圆，其特征在于，包括：衬底以及设置在所述衬底上的多个led芯片；
所述led芯片包括依次层叠设置在所述衬底上的第二半导体图案、发光图案和第一半导体图案；所述led芯片还包括与所述第一半导体图案接触的第一电极和与所述第二半导体图案接触的第二电极；
所述芯片晶圆还包括设置在所述衬底上的第一信号线和第二信号线；所述第一信号线用于给多个所述led芯片的所述第一电极提供电信号，所述第二电极均与所述第二信号线电连接，所述第二信号线用于给所述第二电极提供电信号。
2.根据权利要求1所述的芯片晶圆，其特征在于，所述芯片晶圆至少还包括扫描信号线、数据信号线以及多个控制电路；一个所述控制电路与一个所述led芯片对应；
每个所述控制电路至少与所述扫描信号线、所述数据信号线、所述第一信号线以及所述第一电极电连接，至少在所述扫描信号线和所述数据信号线上信号的控制下，将所述第一信号线与所述第一电极连通，以给所述第一电极提供电信号。
3.根据权利要求2所述的芯片晶圆，其特征在于，所述控制电路包括第一晶体管、第二晶体管以及存储电容；
所述第一晶体管的栅极与所述扫描信号线电连接，第一极与数据信号线电连接，第二极与所述第二晶体管的栅极电连接；
所述第二晶体管的第一极与第一信号线电连接，第二极与所述led芯片的所述第一电极电连接；
所述存储电容的一端与所述第二晶体管的栅极电连接，另一端与所述第一信号线电连接。
4.根据权利要求3所述的芯片晶圆，其特征在于，所述第一半导体图案相对于所述第一晶体管、所述第二晶体管靠近所述衬底；
所述led芯片的第二电极与所述第二晶体管的第二极共用。
5.根据权利要求1所述的芯片晶圆，其特征在于，多个所述led芯片的所述第一电极均与所述第一信号线电连接。
6.根据权利要求5所述的芯片晶圆，其特征在于，所述芯片晶圆还包括多个控制开关；一个所述控制开关与一个所述led芯片对应；
每个所述控制开关包括至少一个晶体管。
7.一种芯片晶圆的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成多个led芯片、第一信号线和第二信号线；
其中，所述led芯片包括依次层叠设置在所述衬底上的第二半导体图案、发光图案和第一半导体图案；所述led芯片还包括与所述第一半导体图案接触的第一电极和与所述第二半导体图案接触的第二电极；所述第一信号线用于给多个所述led芯片的所述第一电极提供电信号，所述第二电极均与所述第二信号线电连接，所述第二信号线用于给所述第二电极提供电信号。
8.根据权利要求7所述的芯片晶圆的制备方法，其特征在于，所述芯片晶圆的制备方法还包括：
在所述衬底上至少形成扫描信号线、数据信号线以及多个控制电路；一个所述控制电路与一个所述led芯片对应；
其中，每个所述控制电路至少与所述扫描信号线、所述数据信号线、所述第一信号线以及所述第一电极电连接，至少在所述扫描信号线和所述数据信号线上信号的控制下，将所述第一信号线与所述第一电极连通，以给所述第一电极提供电信号。
9.根据权利要求8所述的芯片晶圆的制备方法，其特征在于，在所述衬底上至少形成扫描信号线、数据信号线以及多个控制电路之前，所述芯片晶圆的制备方法还包括：
在所述第一半导体图案上形成绝缘层；
在所述衬底上形成控制电路，包括：
在所述绝缘层上形成第一晶体管、第二晶体管以及存储电容；其中，所述第一晶体管的栅极与所述扫描信号线电连接，第一极与数据信号线电连接，第二极与所述第二晶体管的栅极电连接；所述第二晶体管的第一极与第一信号线电连接，第二极与所述led芯片的所述第一电极电连接；所述存储电容的一端与所述第二晶体管的栅极电连接，另一端与所述第一信号线电连接。
10.根据权利要求7所述的芯片晶圆的制备方法，其特征在于，多个所述led芯片的所述第一电极均与所述第一信号线电连接。
11.根据权利要求10所述的芯片晶圆的制备方法，其特征在于，
在所述衬底上形成所述led芯片的第一半导体图案之后，所述芯片晶圆的制备方法还包括：
在所述第一半导体图案上形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成多个控制开关；一个所述控制开关与一个所述led芯片对应，每个所述控制开关包括至少一个晶体管。
12.一种micro-led显示器，其特征在于，包括接收背板以及设置在所述接收背板上的多个发光单元，每个所述发光单元包括一个led芯片；多个所述发光单元是通过切割如权利要求1-6任一项所述的芯片晶圆，并转移得到的；
所述接收背板至少包括第一信号线、第二信号线、数据信号线以及扫描信号线；所述led芯片的第二电极均与所述第二信号线电连接；
所述micro-led显示器还包括：多个控制电路；一个所述控制电路与一个所述led芯片对应；所述控制电路至少在所述扫描信号线和所述数据信号线上信号的控制下，将所述第一信号线与所述第一电极连通，以给所述第一电极提供电信号；所述控制电路包括多个晶体管和存储电容；所述接收背板和/或所述发光单元包括多个所述晶体管和所述存储电容。