技术总结
本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件包括衬底；隔离层，覆盖在衬底上；叠层结构，覆盖在隔离层上，包括交替堆叠的多个栅极导体层与层间绝缘层；以及多个沟道柱，贯穿叠层结构与隔离层，其中，衬底具有多个外延部，沟道柱分别与对应的外延部接触，在外延部处，栅极导体层通过隔离层与外延结构分隔。通过将沟道柱与作为外延结构的外延部接触，和叠层结构一起提供了3D存储器件的选择晶体管和存储晶体管。与常规工艺相比，本发明实施例提供方案直接将衬底接制作成具有外延部的形式，代替了常规工艺在沟道孔底部形成与衬底接触的外延结构的方案，避免了深孔中外延结构的高度不一致、表面不平整以及离子掺杂浓度不易控制的问题。
技术研发人员：肖梦;耿静静;张慧;吴佳佳;王香凝;刘新鑫;王攀
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2019.10.17
技术公布日：2020.01.24